常州MgF2靶材型號

來源: 發(fā)布時間:2021-09-05

PECVD 制備氫化非晶硅薄膜   本實驗采用單晶硅片為襯底,按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干,然后置于PECVD系統(tǒng)中。樣品制備條件為襯底溫度250℃,工作氣壓120 Pa, 射頻功率100 W, 氣體流量SiH4/H2=15/5 sccm, 沉積時間30min, 制備得到a- Si:H 薄膜樣品。   (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨著濺射功率的增大而增大,膜的均勻性將會變差;   (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小,非晶硅薄膜均勻性變好;   (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范圍內(nèi),隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大;   (4) 隨著濺射時間的增加, 膜的厚度成非線性增加,沉積速率開始較快,之后逐漸減慢,膜的表面粗糙度逐漸變大;   (5)隨著濺射氣壓的增大,沉積速率有所降低。采用中頻電源或射頻電源。常州MgF2靶材型號

影響磁控靶濺射電壓的主要因素有:靶面磁場、靶材材質(zhì)、氣體壓強、陰-陽極間距等。本文詳細分析這些因素距對靶濺射電壓的影響。

一、 靶面磁場對靶濺射電壓的影響 1. 磁控靶的陰極工作電壓,隨著靶面磁場的增加而降低,也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因為靶的濺射刻蝕槽面會越來越接近靶材后面的磁鋼的強磁場。因此,靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強的磁場中使用。 2. 鐵磁性靶材會對磁控靶的濺射造成影響,由于大部分磁力線從鐵磁性材料內(nèi)部通過,使靶材表面磁場減少,需要很高電壓才能讓靶面點火起輝。除非磁場非常的強,否則磁性材靶材必須比非磁性材料要薄,才能起輝和正常運行(永磁結(jié)構(gòu)的Ni靶的典型值<0.16cm,磁控靶非特殊設(shè)計最大值一般不宜超過3mm,F(xiàn)e,co靶的最大值不超過2mm;電磁結(jié)構(gòu)的靶可以濺射厚一些的靶材,甚至可達6mm厚)才能起輝和正常運行。正常工作時,磁控靶靶材表面的磁場強度為0.025T~0.05T左右;靶材濺射刻蝕即將穿孔時,其靶材表面的磁場強度大為提高,接近或大于0.1T左右。 成都鎳鉻靶材作用濺射過程不影響靶材合金、混合材質(zhì)的比例和性質(zhì)。

真空鍍膜設(shè)備維修保養(yǎng)技巧 1、真空鍍膜設(shè)備每完成200個鍍膜程序以上,應(yīng)清潔工作室一次。 方法:用燒堿(NaOH)飽和溶液反復(fù)擦洗真空室內(nèi)壁,( 注意人體皮膚不可以直接接觸燒堿溶液,以免灼傷)目的是使鍍上去的膜料鋁(AL)與NaOH發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)后膜層脫落,并釋放出氫氣。再用清水清洗真空室和用布沾汽油清洗精抽閥內(nèi)的污垢。 2、當粗抽泵(滑閥泵,旋片泵)連續(xù)工作一個月(雨季減半),需更換新油。 方法:擰開放油螺栓,放掉舊油,再將泵啟動數(shù)秒,使泵內(nèi)的舊油完全排放出來。擰回放油螺栓,加入新油至額定量(油視鏡觀察)。連續(xù)使用半年以上,換油時應(yīng)將油蓋打開,用布擦干凈箱內(nèi)污垢。 3、擴散泵連續(xù)使用6個月以上,抽速明顯變慢。 擴散泵連續(xù)使用6個月以上,抽速明顯變慢,或操作失當,充入大氣,拆去聯(lián)結(jié)水管,卸下電爐盤,將一級噴嘴擰出,先用汽油將泵腔及泵膽清洗一遍,再用洗衣粉兌水清洗一遍,然后用清水徹底清洗干凈,待水份揮發(fā)干以后,裝好泵膽,加入新擴散泵油,并裝回機體,接好水管,裝好電爐盤,便可以重新開機。在重新開機前,要注意檢漏工作。

鋁鈧合金靶材(AlSc),尺寸按需求定制,比列按需求定制,含鈧比較高能做到AlSc45wt%,質(zhì)量優(yōu)異,雜質(zhì)含量低,歡迎新老客戶來電咨詢洽談。

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相關(guān)靶材清單如下:

稀土合金靶材 :

鋁鈧AlSc;鈰釓CeGd;鈰鎂CeMg;鈰釤CeSm;鏑鈷DyCo;鏑鐵DyFe; 釓銅GdCu;釓鐵GdFe;鈥銅HoCu;鑭鋁LaAl;鑭鎳LaNi;鋁釹AlNd;釹鐵NdFe;釹鐵硼NdFe;鎳鎂鈰NiMgCe;鎳鎂鐵鈰NiMgFeCe;鋱鏑鐵TbDyFe;鋱鐵TbFe;釔鋁YAl;釔銅YCu;釔鐵YFe;釔鎂YMg;釔鎳YNi;釔鋯ZrY 通常靶材為多晶結(jié)構(gòu),晶粒大小可由微米到毫米量級。

任何本領(lǐng)域技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動與修改,因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。本發(fā)明涉及靶材領(lǐng)域,具體涉及一種長壽命靶材組件。

背景技術(shù):

目前,現(xiàn)有的半導(dǎo)體濺射用ilc1013系列靶材的濺射壽命已經(jīng)到了一個極限,為提高靶材的使用壽命,節(jié)省多次更換靶材的重復(fù)性?,F(xiàn)有的技術(shù)都是通過磁場強度,把靶材表面設(shè)計成曲面來延長壽命,公開了一種靶材,包括靶材本體及基體,所述基體的至少一面設(shè)有所述靶材本體,所述靶材本體是由高純度靶材合金粉末通過等離子弧噴涂機噴涂熔焊在所述基體上。所述基體與所述靶材本體的結(jié)合面為呈內(nèi)凹的圓弧面。所述基體為矩形體或圓形。所述靶材的制造方法步驟如下:(1)準備合金粉體;(2)準備基體;(3)等離子轉(zhuǎn)移弧噴涂成型;(4)、清理被噴涂層表面,按照步驟(3)的要求再次噴涂處理,直至獲得要求厚度的靶材。本發(fā)明有益效果在于:一是生產(chǎn)的靶材無氣孔殘留;二是生產(chǎn)設(shè)備簡單、投資??;三是靶材可以修復(fù)再利用。 金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高,靶中毒后,靶材表面都是金屬化合物。常州MgF2靶材型號

適用范圍和背靶的選擇三個方面來為大家介紹一下靶材綁定。常州MgF2靶材型號

非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有較高的電遷移率和穩(wěn)定的光電性能,是制備微電子器件、薄膜晶體管、大面積平板液晶顯示的質(zhì)量材料。多晶硅薄膜被公認為是制備低耗、理想的薄膜太陽能電池的材料。因此,如何制備多晶硅薄膜是一個非常有意義的研究課題。固相法是制備多晶硅薄膜的一種常用方法,它是在高溫退火的條件下,使非晶硅薄膜通過固相相變而成為多晶硅薄膜。本文采用固相法,利用X- ray 衍射及拉曼光譜,對用不同方法制備的非晶硅薄膜的晶化過程進行了系統(tǒng)地研究。   在硅薄膜太陽能電池材料中,非晶硅薄膜太陽能電池制造工藝相對簡單,但是存在光電轉(zhuǎn)換效率低,壽命短,穩(wěn)定性不好,并且存在光致衰退效應(yīng)(S-W 效應(yīng))等缺點。單晶硅薄膜太陽能電池因為制作工藝和制作成本等原因始終得不到推廣,而多晶硅薄膜材料在長波段具有光敏性,能有效的吸收可見光并且具有光照穩(wěn)定性。常州MgF2靶材型號

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