杭州硫化鎘靶型號(hào)

鈀，是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密  度（20℃）/g?cm-3：12.02 熔  點(diǎn)/℃：1552 蒸發(fā)溫度/℃：1460 沸  點(diǎn)/℃：3140 汽化溫度/℃：1317 比 熱 容（25℃）J?（g?K）-1：0.2443 電 阻 率（0℃）/uΩ?cm：10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1：16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1：361.7 熱 導(dǎo) 率（0～100℃）/J?（cm?s?℃）-1：0.753 電阻溫度系數(shù)（0～100℃）/℃-1：0.0038 外  觀：銀白色 蒸 發(fā) 源（絲、片）：W（鍍Al2O3） 坩  堝：Al2O3 性  質(zhì)：與難溶金屬形成合金，閃爍蒸發(fā)，在EB***內(nèi)激烈飛濺，鈀是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片?；瘜W(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下在空氣和潮濕環(huán)境中穩(wěn)定，加熱至 800℃，鈀表面形成一氧化鈀薄膜。 二、主要產(chǎn)品： 1、鈀 顆粒 99.99%（點(diǎn)擊查看詳情） 常規(guī)尺寸：φ3*6mm；量大可定做。

由于所使用冷卻水的潔凈程度和設(shè)備運(yùn)行過程中可能會(huì)產(chǎn)生的污垢會(huì)沉積在陰極冷卻水槽內(nèi)。杭州硫化鎘靶型號(hào)

濺射靶材的分類有哪些？金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(Pb

As)，砷化銦靶材(InAs)。1.金屬靶材：鎳靶、Ni、鈦靶、T濺射靶材i、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、濺射靶材不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。

硒化銻靶靶中毒的解決辦法：采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。

有些陰極設(shè)計(jì)是與陽(yáng)極的空隙較小，所以在安裝靶材時(shí)需要確保陰極與陽(yáng)極之間沒有接觸也不能存在導(dǎo)體，否則會(huì)產(chǎn)生短路。請(qǐng)參考設(shè)備商操作手冊(cè)中關(guān)于如何正確安裝靶材的相關(guān)信息。在收緊靶材夾具時(shí)，請(qǐng)先用手轉(zhuǎn)緊一顆鏍栓，再用手轉(zhuǎn)緊對(duì)角線上的另外一顆鏍栓，如此重復(fù)直到安裝上所有鏍栓后，再用工具收緊。七．濺射靶材的制備方法有哪些？濺射靶材是指通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜設(shè)備在適當(dāng)工藝條件下濺射沉積在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。濺射靶材廣泛應(yīng)用于裝飾、工模具、玻璃、電子器件、半導(dǎo)體、磁記錄、平面顯示、太陽(yáng)能電池等眾多領(lǐng)域，不同領(lǐng)域需要的靶材各不相同。

  磁控靶材面積與承載功率范圍 1、靶材面積與承載功率范圍   (1) 圓形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~25瓦/cm2。   (2)矩形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~36瓦/cm2。   (3)柱狀磁控靶、錐形平面磁控靶功率密度范圍一般為40~50瓦/cm2。 2、磁控靶實(shí)際承載功率   磁控靶的實(shí)際的承載功率除了與濺射工藝、薄膜的質(zhì)量要求等因數(shù)有關(guān)外，主要與靶的冷卻狀況和散熱條件密切相關(guān)。磁控靶按其冷卻散熱方式的不同，分為“靶材直接水冷卻”和“靶材間接水冷卻”兩種。   考慮到濺射靶長(zhǎng)期使用老化后，其散熱條件變差;兼顧各種不同靶材材質(zhì)的散熱系數(shù)的不同，磁控靶的使用時(shí)的承載功率，直接水冷卻靶實(shí)際的承載大功率可按略小于功率密度范圍的上限選取;間接水冷卻靶的實(shí)際承載大功率可按功率密度范圍上限值的二分之一左右選取。   磁控靶材(主要是Cu，Ag，黃銅(Brass)和Al青銅(Al bronze) “自濺射”時(shí)，一般是選用經(jīng)過專門設(shè)計(jì)“靶材直接水冷卻”的磁控濺射靶。其使用時(shí)的承載功率，均需大于靶功率密度范圍的上限值(即>100W/cm2以上)。濺射靶材安裝過程中**重要的注意事項(xiàng)是一定要確保在靶材和濺射冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。

磁控濺射鍍膜中出現(xiàn)膜層不良的表現(xiàn)有哪些，如何改善？ 1.脫膜主要表現(xiàn)：點(diǎn)狀/片狀膜層脫落 原因分析：雜質(zhì)附著，清洗殘留，真空室臟，臟污、油斑、灰點(diǎn)、口水點(diǎn)， 膜層局部附著不良等。 改善：加強(qiáng)清洗，加強(qiáng)烘烤，環(huán)境管控（清潔干燥），對(duì)于多層膜系，底層須與基材匹配（吸附力、硬度、熱膨脹）。 2.裂紋/暴膜主要表現(xiàn)： 網(wǎng)狀裂痕/龜裂/起泡脫膜，出爐外觀OK，放置一段時(shí)間后爆裂/起泡脫膜。 原因分析：鍍膜過程基材加熱不充分，成膜后及出爐后降溫過快，膜層應(yīng)力累積， 膜層與基材不匹配，多層膜之間參數(shù)不匹配。 改善： 基材充分預(yù)熱加熱；增加離子輔助，減小應(yīng)力；鍍膜緩慢降溫；底層須與基材匹配；多層膜之間參數(shù)不突變。 3，色差主要表現(xiàn)：同爐產(chǎn)品顏色不一致 原因分析及改善：靶材分布；布?xì)猓淮艌?chǎng)；遮擋。使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。南通釕酸鍶靶

不同用途的靶材對(duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。杭州硫化鎘靶型號(hào)

PVD技術(shù)常用的方法PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍），以下介紹幾種常用的方法。電子束蒸發(fā)電子束蒸發(fā)是利用聚焦成束的電子束來加熱蒸發(fā)源，使其蒸發(fā)并沉積在基片表面而形成薄膜。濺射沉積濺射是與氣體輝光放電相聯(lián)系的一種薄膜沉積技術(shù)。濺射的方法很多，有直流濺射、RF濺射和反應(yīng)濺射等，而用得較多的是磁控濺射、中頻濺射、直流濺射、RF濺射和離子束濺射。RF(射頻)濺射RF濺射使用的頻率約為13.56MHz，它不需要熱陰極，能在較低的氣壓和較低的電壓下進(jìn)行濺射。RF濺射不可以沉積金屬膜，而且可以沉積多種材料的絕緣介質(zhì)膜，因而使用范圍較廣。電弧離子鍍陰極弧技術(shù)是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積，該技術(shù)材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。杭州硫化鎘靶型號(hào)

江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國(guó)外的先進(jìn)技術(shù)，并通過與國(guó)內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢(shì)，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽(yáng)能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時(shí)也為國(guó)內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗(yàn)用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺(tái)，冷壓燒結(jié)爐一臺(tái)，真空熔煉設(shè)備兩臺(tái)，等靜壓設(shè)備一臺(tái)，等離子噴涂?jī)商?，綁定平臺(tái)兩套，各類機(jī)加工設(shè)備七臺(tái)，檢驗(yàn)設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。