選擇快恢復(fù)二極管時(shí)，主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對(duì)選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端加反向電壓時(shí)，其內(nèi)部電場(chǎng)區(qū)域變寬，有較少的漂移電流通過(guò)PN結(jié)，形成我們所說(shuō)的漏電流。漏電流也是評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的重要參數(shù)，快恢復(fù)二極管漏電流過(guò)大不僅使其自身溫升高，對(duì)于功率電路來(lái)說(shuō)也會(huì)影響其效率，不同反向電壓下的漏電流是不同的，關(guān)系如圖4所示：反向電壓愈大，漏電流越大，在常溫下肖特基管的漏電流可忽略。其實(shí)對(duì)快恢復(fù)二極管漏電流影響的還是環(huán)境溫度，下...

這樣使連線減小，模塊可靠性提高。4)外殼：殼體使用抗壓、抗拉和絕緣強(qiáng)度高以及熱變溫度高的，并加有40％玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料構(gòu)成，它能很好地化解與銅底板、主電極之間的熱脹冷縮的匹配疑問(wèn)，通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂的澆注固化工藝或環(huán)氧板的間距，實(shí)現(xiàn)上下殼體的構(gòu)造連接，以達(dá)到較高的防護(hù)強(qiáng)度和氣閉密封，并為主電極引出提供支撐。3主要技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用大功率高頻開(kāi)關(guān)器件(IGBT、功率MOSFET、IGCT等)已普遍用以VVVF、UPS、SMPS、逆變焊機(jī)、伺服電機(jī)傳動(dòng)放大器等具備直流環(huán)的逆變?cè)O(shè)備內(nèi)。圖3和4分別示出了VVVF變頻器和高頻逆變焊機(jī)的電原理圖。目前，圖中的VD1～VD6均使用平常整流...

快恢復(fù)二極管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACSF1005CT~SF1060CTVRM;50-600V,IF;10A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACMUR1001FCT~MUR1010FCTVRM;100-600V,IF;10A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACMUR805~MUR8100VRM;50-1000V,IF;8A快恢復(fù)二極管-ITO-220ABUF1000FCT-UF1008FCTVRM;50-800...

FRED的其主要反向關(guān)斷屬性參數(shù)為：反向回復(fù)時(shí)trr=ta+tb(ta一少數(shù)載流子在存儲(chǔ)時(shí)間，tb一少數(shù)載流子復(fù)合時(shí)間)；反向回復(fù)峰值電流IRM；反向回復(fù)電荷Qrr=l／2trr×IRM以及表示器件反向回復(fù)曲線軟度的軟度因子S=tb／ta。而FRED的正向?qū)ㄖ饕獏?shù)有：正向平均電流IF(AV)；正向峰值電壓UFM；正向均方根電流IF(RMS)以及正向(不反復(fù))浪涌電流IFSM。FRED的反向陰斷屬性參數(shù)為：反向反復(fù)峰值電壓URRM和反向反復(fù)峰值電流IRRM。須要指出：反向回復(fù)時(shí)間trr隨著結(jié)溫Tj的升高，所加反向電壓URRM的增高以及流過(guò)的正向電流IF(AV)的增大而增長(zhǎng)，而主要用來(lái)測(cè)...

進(jìn)行全部快恢復(fù)二極管一般地說(shuō)用以較高頻率的整流和續(xù)流。至于電源模塊的輸入部份，仿佛頻率不高，無(wú)需用快恢復(fù)二極管，用一般而言二極管即可，但你要用它在電源電路中整流也是可以的?？旎謴?fù)二極管分單管（一般而言兩腳的）和對(duì)管（3腳的），對(duì)管內(nèi)部涵蓋兩只快回復(fù)二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對(duì)管、共陽(yáng)對(duì)管之分。用它做全橋時(shí)，你得打算兩只對(duì)管，一只共陰對(duì)管，一只共陽(yáng)對(duì)管，而且電流要等于，所以你得測(cè)量一下拆下的管子究竟是共陰還是共陽(yáng)，查查它們的相關(guān)參數(shù)如反向耐壓、額定電流等。一般功放都是要求電源電流比起大的，所以你一定要查查原平常二極管的額定電流，看看變換的快恢復(fù)二極管是不是適于。至于它與一般...

我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時(shí)，主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對(duì)選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端加正向偏置電壓時(shí)，其內(nèi)部電場(chǎng)區(qū)域變窄，可以有較大的正向擴(kuò)散電流通過(guò)PN結(jié)。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為，硅管約為）以后，快恢復(fù)二極管才能真正導(dǎo)通。但快恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降是恒定不變的嗎？它與正向擴(kuò)散電流又存在什么樣的關(guān)系？通過(guò)下圖1的測(cè)試電路在常溫下對(duì)型號(hào)為快恢復(fù)二極管進(jìn)行導(dǎo)通電流與導(dǎo)通壓降的關(guān)系測(cè)試，可...

我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時(shí)，主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對(duì)選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端加正向偏置電壓時(shí)，其內(nèi)部電場(chǎng)區(qū)域變窄，可以有較大的正向擴(kuò)散電流通過(guò)PN結(jié)。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為，硅管約為）以后，快恢復(fù)二極管才能真正導(dǎo)通。但快恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降是恒定不變的嗎？它與正向擴(kuò)散電流又存在什么樣的關(guān)系？通過(guò)下圖1的測(cè)試電路在常溫下對(duì)型號(hào)為快恢復(fù)二極管進(jìn)行導(dǎo)通電流與導(dǎo)通壓降的關(guān)系測(cè)試，可...

這種銅底板尚存在一定弧度的焊成品，當(dāng)模塊壓裝在散熱器上時(shí)，能保證它們之間的充分接觸，有利于熱傳導(dǎo)，從而使模塊的接觸熱阻降低，有利于模塊的出力和可靠性。(3)由于FRED模塊工作于高頻(20kHZ以上)，因此，必須在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要充分考慮消除寄生電感等問(wèn)題，為此，在電磁等原理基礎(chǔ)上，充分考慮三個(gè)主電極形狀、布局和走向，同時(shí)對(duì)鍵合鋁絲長(zhǎng)短和走向也作了合適安排。以減少模塊內(nèi)部的分布電感，確保二單元的分布電感一致，從而解決模塊的噪音和發(fā)熱問(wèn)題，提高裝置效率。3.主要技術(shù)參數(shù)圖3是FRED模塊導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流和電壓波形圖，它顯示了FRED器件從正向?qū)ǖ椒聪蚧謴?fù)的全過(guò)程。其主要關(guān)斷特性參數(shù)為：反向...

適用于高頻率的電路場(chǎng)合，低頻如工頻50HZ以下用普通的整流二極管就好?？旎謴?fù)二極管做整流二極管常用在在頻率較高的逆變電路中。但是由于整流電路由于頻率很低，故只對(duì)耐壓有要求，只要耐壓能滿足，肯定是可以代用的，且快恢復(fù)二極管也有用于整流的情況，就是在開(kāi)關(guān)電源次級(jí)整流部份，由于頻率較高，只能使用快恢復(fù)二極管整流，否則由于二極管損耗太大會(huì)造成電源整體效率降低，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒毀二極管。另外快恢復(fù)二極管的價(jià)格較整流二極管貴很多，耐壓越高越貴，所以一般是不會(huì)拿快恢復(fù)二代管使用的。之所以稱其為快速恢復(fù)二極管，這是因?yàn)槠胀ㄕ鞫O管一般工作于低頻(如市電頻率為50Hz)，其工作頻率低于3kHz，當(dāng)工作頻率在幾十至幾...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié)，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對(duì)比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí)，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護(hù)膠和硅...

所述容納腔的內(nèi)部也填入有冰晶混合物。所述散熱桿至少設(shè)有四根。所述金屬材質(zhì)為貼片或者銅片中的一種，所述封裝外殼的表面涂覆有絕緣涂層。所述絕緣涂層包括電隔離層和粘合層，所述粘合層涂覆在封裝外殼的外表面，所述電隔離層涂覆在所述粘合層的外表面，所述電隔離層為pfa塑料制成的電隔離層，所述電隔離層為單層膜結(jié)構(gòu)、雙層膜結(jié)構(gòu)或多層膜結(jié)構(gòu)。（三）有益于效用本實(shí)用新型提供了一種高壓快回復(fù)二極管芯片，具有有以下有益于效用：本實(shí)用設(shè)立了芯片本體，芯片本體裹在熱熔膠內(nèi)，使其不收損害，熱熔膠封裝在封裝外殼內(nèi)，多個(gè)散熱桿呈輻射狀固定在所述芯片本體上，封裝外殼的殼壁設(shè)有容納腔，容納腔與散熱桿的內(nèi)部連接，芯片工作產(chǎn)生熱...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié)，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對(duì)比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí)，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護(hù)膠和硅...

二極管的軟度可以獲取更進(jìn)一步操縱。圖3SONIC軟恢復(fù)二極管的壽命控制該二極管回復(fù)波形異常的平滑從未振蕩，所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復(fù)二極管不僅引致開(kāi)關(guān)損失縮減，而且容許除去二極管的并聯(lián)RC緩沖器。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。電力電子學(xué)中的功率開(kāi)關(guān)器件（IGBT、MOSFET、BJT、GTO）總是和迅速二極管相并聯(lián)，在增加開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，除傳導(dǎo)損耗以外，功率開(kāi)關(guān)的固有的功用和效率均由二極管的反向恢復(fù)屬性決定（由圖2的Qrr,IRM和Irr特點(diǎn)表示）。所以對(duì)二極管要求正向瞬態(tài)壓降小，反向回復(fù)時(shí)間斷，反向回復(fù)電荷少，并且具備軟恢復(fù)特點(diǎn)。反向峰值電流IRM是另一個(gè)十分關(guān)...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié)，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對(duì)比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí)，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護(hù)膠和硅...

有一種二極管叫做SONIC二極管，其反向回復(fù)時(shí)間較為長(zhǎng)，約～μs，軟度因子在。在制造中除了使用平面結(jié)終止結(jié)構(gòu)，玻璃鈍化并有硅橡膠保護(hù)外，還使用了從硅片背面開(kāi)展深擴(kuò)散磷和控制軸向壽命抑制因素，使迅速二極管的反向恢復(fù)電流衰減較慢，具反向“軟恢復(fù)”特點(diǎn)，防范在高頻應(yīng)用時(shí)在硬關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生過(guò)高的反向尖峰電壓，維護(hù)了開(kāi)關(guān)器件及其二極管自身。該二極管在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)性能安定，并且對(duì)于溫度的變化正向電壓降的變化可以忽視不計(jì)。該二極管是為高頻應(yīng)用設(shè)計(jì)的，在高頻應(yīng)用時(shí)安定確實(shí)。新的迅速軟恢復(fù)二極管——SONIC二極管系列克服了這些缺陷，它們的優(yōu)點(diǎn)為：1．并聯(lián)二極管工作時(shí)正向電壓降Vf與溫度無(wú)關(guān)；2．阻...

這種銅底板尚存在一定弧度的焊成品，當(dāng)模塊壓裝在散熱器上時(shí)，能保證它們之間的充分接觸，有利于熱傳導(dǎo)，從而使模塊的接觸熱阻降低，有利于模塊的出力和可靠性。(3)由于FRED模塊工作于高頻(20kHZ以上)，因此，必須在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要充分考慮消除寄生電感等問(wèn)題，為此，在電磁等原理基礎(chǔ)上，充分考慮三個(gè)主電極形狀、布局和走向，同時(shí)對(duì)鍵合鋁絲長(zhǎng)短和走向也作了合適安排。以減少模塊內(nèi)部的分布電感，確保二單元的分布電感一致，從而解決模塊的噪音和發(fā)熱問(wèn)題，提高裝置效率。3.主要技術(shù)參數(shù)圖3是FRED模塊導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流和電壓波形圖，它顯示了FRED器件從正向?qū)ǖ椒聪蚧謴?fù)的全過(guò)程。其主要關(guān)斷特性參數(shù)為：反向...

快恢復(fù)二極管是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。性能特點(diǎn)1）反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間trr的概念是：電流通過(guò)零點(diǎn)由正向變換到規(guī)定低值的時(shí)間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的主要技術(shù)指標(biāo)。IF為正向電流，IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流，當(dāng)t≤t0時(shí)，正向電流I=IF。當(dāng)t＞t0時(shí)，由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷?，因此正向電流很快下降，在t=t1時(shí)刻，I=0。然后整流器件上流過(guò)反向電流IR，并且IR日漸增大；在t=t2日子達(dá)到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用，反向電流日趨減少，并在t=t3日子達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過(guò)程與電容器放電過(guò)程有相像之...

在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，用到30V時(shí)，則trr約為35ns，而用到350V時(shí)，trr》35ns，trr還隨著結(jié)濕上升而增加，Tj=125℃時(shí)的trr,約為25℃時(shí)的2倍左右。同時(shí)，trr還隨著流過(guò)正向峰值電流IFM的増加而增加。IRM和Qrr主要是用來(lái)計(jì)算FRED的功耗和RC電路，但他們亦隨結(jié)溫的升高而増大。125℃結(jié)溫時(shí)的Qrr是25℃時(shí)的約、而125℃結(jié)溫時(shí)的Qrr是25℃時(shí)的近3倍以上。因此，在選用FRED時(shí)必須充分慮這些參數(shù)的測(cè)試條件、以便作必要的調(diào)整。因此，trr短，IRM小和S大的FRED模塊是逆變電路中的二極管，而trr短和Qrr小的FRED，使逆變電路中的開(kāi)關(guān)器件和二極管的損耗減少...

進(jìn)行全部快恢復(fù)二極管一般地說(shuō)用以較高頻率的整流和續(xù)流。至于電源模塊的輸入部份，仿佛頻率不高，無(wú)需用快恢復(fù)二極管，用一般而言二極管即可，但你要用它在電源電路中整流也是可以的?？旎謴?fù)二極管分單管（一般而言兩腳的）和對(duì)管（3腳的），對(duì)管內(nèi)部涵蓋兩只快回復(fù)二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對(duì)管、共陽(yáng)對(duì)管之分。用它做全橋時(shí)，你得打算兩只對(duì)管，一只共陰對(duì)管，一只共陽(yáng)對(duì)管，而且電流要等于，所以你得測(cè)量一下拆下的管子究竟是共陰還是共陽(yáng)，查查它們的相關(guān)參數(shù)如反向耐壓、額定電流等。一般功放都是要求電源電流比起大的，所以你一定要查查原平常二極管的額定電流，看看變換的快恢復(fù)二極管是不是適于。至于它與一般...

在開(kāi)機(jī)的瞬間，濾波電容的電壓尚未建立，由于要對(duì)大電容充電．通過(guò)PFC電感的電流相對(duì)比較大。如果在電源開(kāi)關(guān)接通的瞬間是在正弦波的最大值時(shí)，對(duì)電容充電的過(guò)程中PFC電感L有可能會(huì)出現(xiàn)磁飽和的情況，此時(shí)PFC電路工作就麻煩了，在磁飽和的情況，流過(guò)PFC開(kāi)關(guān)管的電流就會(huì)失去限制，燒壞開(kāi)關(guān)管。為防止悲劇發(fā)生，一種方法是對(duì)PFC電路工作的工作時(shí)序加以控制，即當(dāng)對(duì)大電容的充電完成以后，再啟動(dòng)PFC電路：另一種比較簡(jiǎn)單的辦法就是在PFC線圈到升壓二極管上并聯(lián)一只二極管旁路。啟動(dòng)的瞬間，給大電容的充電提供另一個(gè)支路，防止大電流流過(guò)PFC線圈造成飽和，過(guò)流損壞開(kāi)關(guān)管，保護(hù)開(kāi)關(guān)管，同時(shí)該保護(hù)二極管也分流了升壓...

快恢復(fù)二極管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACSF1005CT~SF1060CTVRM;50-600V,IF;10A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACMUR1001FCT~MUR1010FCTVRM;100-600V,IF;10A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACMUR805~MUR8100VRM;50-1000V,IF;8A快恢復(fù)二極管-ITO-220ABUF1000FCT-UF1008FCTVRM;50-800...

行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié)，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對(duì)比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí)，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護(hù)膠和硅片不貼合，會(huì)產(chǎn)生漏氣，導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定...

二極管的軟度可以獲取更進(jìn)一步操縱。圖3SONIC軟恢復(fù)二極管的壽命控制該二極管回復(fù)波形異常的平滑從未振蕩，所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復(fù)二極管不僅引致開(kāi)關(guān)損失縮減，而且容許除去二極管的并聯(lián)RC緩沖器。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。電力電子學(xué)中的功率開(kāi)關(guān)器件（IGBT、MOSFET、BJT、GTO）總是和迅速二極管相并聯(lián)，在增加開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，除傳導(dǎo)損耗以外，功率開(kāi)關(guān)的固有的功用和效率均由二極管的反向恢復(fù)屬性決定（由圖2的Qrr,IRM和Irr特點(diǎn)表示）。所以對(duì)二極管要求正向瞬態(tài)壓降小，反向回復(fù)時(shí)間斷，反向回復(fù)電荷少，并且具備軟恢復(fù)特點(diǎn)。反向峰值電流IRM是另一個(gè)十分關(guān)...

應(yīng)用場(chǎng)合以及選用時(shí)應(yīng)注意的問(wèn)題等供廣大使用者參考。2.快恢復(fù)二極管模塊工藝結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)圖1超快恢復(fù)二極管模塊內(nèi)部電路連接圖本模塊是由二個(gè)或二個(gè)以上的FRED芯片按一定的電路(見(jiàn)圖1)連成后共同封裝在一個(gè)PPS(加有40%的玻璃纖維)外殼內(nèi)制成，模塊分絕緣型(模塊銅底板對(duì)各主要電極的絕緣耐壓Uiso≥)和非絕緣型二種，其特點(diǎn)(1)采用高、低溫氫(H2)、氮(N2)混合氣體保護(hù)的隧道爐和熱板爐二次焊接工藝，使焊接溫度、焊接時(shí)間和傳送帶速度之間有較好的匹配，并精確控制升溫速度、恒溫時(shí)同和冷卻速度，使焊層牢固，幾乎沒(méi)有空洞，從而降低了模塊熱阻、保證模塊出力，根據(jù)模塊電流的大小，采用直接焊接或鋁絲超...

繼電器線圈可以儲(chǔ)存能量的（線圈會(huì)阻止電流的突變，即電流只能慢慢增大和減少），如果一下使線圈斷電，它兩端就會(huì)產(chǎn)生很大的電壓，這樣就可能使線圈損壞、相連接的元器件擊穿。這時(shí)，我們只要在線圈兩端接上快恢復(fù)二極管，便可以使它產(chǎn)生一個(gè)回路（斷電時(shí)相當(dāng)于在線圈兩端接根短路線），使線圈儲(chǔ)存的能量放完。這個(gè)快恢復(fù)二極管在這里起到續(xù)流的作用，我們通常稱它為續(xù)流快恢復(fù)二極管。電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示，電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過(guò)線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很??；當(dāng)交流信號(hào)通過(guò)線圈時(shí)，線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交...

確保模塊的出力。2)DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成，它有著優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性，并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃，DBC為5．6×10-6／℃)，因而可以與硅芯片直接焊接，從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和下降熱阻。同時(shí)，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形，以當(dāng)作主電路端子和支配端子的焊接支架，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣，使模塊有著有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3)電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù)，并在模塊制作過(guò)程中再涂有...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié)，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對(duì)比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí)，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護(hù)膠和硅...

FRED的其主要反向關(guān)斷屬性參數(shù)為：反向回復(fù)時(shí)trr=ta+tb(ta一少數(shù)載流子在存儲(chǔ)時(shí)間，tb一少數(shù)載流子復(fù)合時(shí)間)；反向回復(fù)峰值電流IRM；反向回復(fù)電荷Qrr=l／2trr×IRM以及表示器件反向回復(fù)曲線軟度的軟度因子S=tb／ta。而FRED的正向?qū)ㄖ饕獏?shù)有：正向平均電流IF(AV)；正向峰值電壓UFM；正向均方根電流IF(RMS)以及正向(不反復(fù))浪涌電流IFSM。FRED的反向陰斷屬性參數(shù)為：反向反復(fù)峰值電壓URRM和反向反復(fù)峰值電流IRRM。須要指出：反向回復(fù)時(shí)間trr隨著結(jié)溫Tj的升高，所加反向電壓URRM的增高以及流過(guò)的正向電流IF(AV)的增大而增長(zhǎng)，而主要用來(lái)測(cè)...

確保模塊的出力。2)DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成，它有著優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性，并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃，DBC為5．6×10-6／℃)，因而可以與硅芯片直接焊接，從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和下降熱阻。同時(shí)，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形，以當(dāng)作主電路端子和支配端子的焊接支架，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣，使模塊有著有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3)電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù)，并在模塊制作過(guò)程中再涂有...

選擇快恢復(fù)二極管時(shí)，主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對(duì)選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中?？旎謴?fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間為電流通過(guò)零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換成反向，再由反向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔，實(shí)際上是釋放快恢復(fù)二極管在正向?qū)ㄆ陂g向PN結(jié)的擴(kuò)散電容中儲(chǔ)存的電荷。反向恢復(fù)時(shí)間決定了快恢復(fù)二極管能在多高頻率的連續(xù)脈沖下做開(kāi)關(guān)使用，如果反向脈沖的持續(xù)時(shí)間比反向恢復(fù)時(shí)間短，則快恢復(fù)二極管在正向、反向均可導(dǎo)通就起不到開(kāi)關(guān)的作用。PN結(jié)中儲(chǔ)存的電荷量與反向電壓共同決定了反向恢復(fù)...