普通晶閘管的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開(kāi)關(guān)S，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。按封裝形式分類(lèi)：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。河南進(jìn)口西門(mén)康SEMIKRON可控硅推薦貨源西門(mén)康SEMIKRON可控硅 ...

晶閘管等元件通過(guò)整流來(lái)實(shí)現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長(zhǎng)，體積小等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái)，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門(mén)單獨(dú)的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。目前國(guó)內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A，國(guó)外更大。我國(guó)的韶山電力機(jī)車(chē)上裝載的都是我國(guó)自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應(yīng)用：一、可控整流如同...

就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱(chēng)為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓?..

BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái)，E接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開(kāi)關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見(jiàn)表1應(yīng)用舉例：可控硅在實(shí)際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來(lái)有直流觸發(fā)電路，交流觸發(fā)電路，相位觸發(fā)電路等等。1、直流...

普通晶閘管的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開(kāi)關(guān)S，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。廣東西門(mén)康SEMIKRON可控硅哪里有賣(mài)的西門(mén)康SEMIKRON可控硅 鑒別可...

答；可控硅有兩種叫法，精細(xì)一點(diǎn)叫晶閘管。常用的電力半導(dǎo)體器件有；普通可控硅（SCR）、門(mén)極（GTO）關(guān)斷可控硅、電力可控硅（GTR）、電力MoS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MosFET）、絕緣柵雙極型晶體管、（lGBT）、Mos柵控可控硅等等?？煽毓枘K；是根據(jù)不同的用途與技術(shù)要求，將單向可控進(jìn)行組合。兩只單向可控硅的串聯(lián)（一只的陽(yáng)極A與另一只的陰極K相接）這樣就組成了一個(gè)可控硅模塊。常用于大功率三相橋式、單相橋式整流電路之中。兩只單相可控硅反向并聯(lián)（就是一只的陽(yáng)極A與另一只的陰極K聯(lián)接，另一端點(diǎn)一只陰極k與一只陽(yáng)極A相接）組成一只雙向可控硅模塊。常用于大功率三相或單相交流調(diào)壓電路中。例如軟啟動(dòng)...

可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類(lèi)2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可控硅模塊分類(lèi)編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\M...

通過(guò)上面對(duì)工作原理的分析可知，可控硅只具有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，那么這兩種工作狀態(tài)之間如何進(jìn)行轉(zhuǎn)換呢？狀態(tài)的轉(zhuǎn)換需要什么條件呢？下圖將會(huì)告訴你答案?？煽毓柚饕獏?shù)⒈額定通態(tài)電流（IT）即大穩(wěn)定工作電流，俗稱(chēng)電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），俗稱(chēng)耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。⒊控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱(chēng)觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值可控硅用途普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路...

在門(mén)極G上加以正電壓或正脈沖信號(hào)，則GT0導(dǎo)通；當(dāng)門(mén)極上信號(hào)消失后，GTO仍然保持導(dǎo)通狀態(tài)，這與普通SCR性能完全一樣。這時(shí)如在門(mén)極與陰極之間加入反向電壓或較強(qiáng)的反向脈沖信號(hào)，可使GTO關(guān)斷。GTO在門(mén)極加負(fù)脈沖關(guān)斷信號(hào)時(shí)，有一個(gè)反向偏置工作安全區(qū)問(wèn)題。就是指一定條件下GT0能可靠關(guān)斷的陽(yáng)極電流和陽(yáng)極電壓的軌跡。以上圖可控硅模塊來(lái)說(shuō)，怎么判斷可控硅模塊如下1、這種模塊已經(jīng)標(biāo)注有詳細(xì)的圖，在門(mén)極上部也清楚標(biāo)注有希拉數(shù)字4、5、6、7。也就是說(shuō)可控硅模塊無(wú)需極性判別。簡(jiǎn)單的判別，可用數(shù)字萬(wàn)用表的電阻擋位200Ω，測(cè)量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6，是否一一對(duì)應(yīng)。如不對(duì)應(yīng)表示...

可控硅的主要參數(shù)有：1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。4、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫...

在門(mén)極G上加以正電壓或正脈沖信號(hào)，則GT0導(dǎo)通；當(dāng)門(mén)極上信號(hào)消失后，GTO仍然保持導(dǎo)通狀態(tài)，這與普通SCR性能完全一樣。這時(shí)如在門(mén)極與陰極之間加入反向電壓或較強(qiáng)的反向脈沖信號(hào)，可使GTO關(guān)斷。GTO在門(mén)極加負(fù)脈沖關(guān)斷信號(hào)時(shí)，有一個(gè)反向偏置工作安全區(qū)問(wèn)題。就是指一定條件下GT0能可靠關(guān)斷的陽(yáng)極電流和陽(yáng)極電壓的軌跡。以上圖可控硅模塊來(lái)說(shuō)，怎么判斷可控硅模塊如下1、這種模塊已經(jīng)標(biāo)注有詳細(xì)的圖，在門(mén)極上部也清楚標(biāo)注有希拉數(shù)字4、5、6、7。也就是說(shuō)可控硅模塊無(wú)需極性判別。簡(jiǎn)單的判別，可用數(shù)字萬(wàn)用表的電阻擋位200Ω，測(cè)量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6，是否一一對(duì)應(yīng)。如不對(duì)應(yīng)表示...

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái)，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正...

即導(dǎo)通角為180°（或p）。正是由于正弦波被切割、波形遭受破壞，會(huì)給電網(wǎng)帶來(lái)干擾等問(wèn)題……好的調(diào)光設(shè)備應(yīng)采取必要措施，努力降低使用可控硅技術(shù)后產(chǎn)生的干擾?？煽毓璧淖饔每煽毓璧淖饔弥痪褪强煽卣鳎@也是可控硅基本也重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒(méi)有實(shí)現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路。在一個(gè)基本的單相半波可控整流電路中，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí)，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時(shí)，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通，負(fù)載上才會(huì)有電壓輸出，因此可以通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖到來(lái)的時(shí)間，來(lái)進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值，達(dá)到可控整流的作用?？煽毓璧淖饔弥?..

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái)，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正...

可控硅的主要參數(shù)有：1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。4、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫...

可控硅模塊又叫晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：第1層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。率塑封和鐵封可控...

■首先，我們可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫(huà)出圖表-27（C）的等效電路圖來(lái)分析。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過(guò)程是“...

可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線(xiàn)簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠(chǎng)家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展?？煽毓枘K通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。河南哪里有西門(mén)康SEMIKRON可控硅工廠(chǎng)直銷(xiāo)西門(mén)康SEMIKRON可控硅 故晶...

4、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓韫ぷ髟碓诜治隹煽毓韫ぷ髟頃r(shí)，我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個(gè)PNP管和NPN管構(gòu)成，如下圖所示。當(dāng)陽(yáng)極A端加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)，此時(shí)由控制極...

可控硅模塊作為電路中非常重要的一個(gè)基礎(chǔ)元件，它也有好壞之分，其好壞的合適與否都直接關(guān)系到運(yùn)行質(zhì)量的好壞，所以，在選購(gòu)可控硅模塊前學(xué)會(huì)如何判斷可控硅的好壞是非常重要的，選擇好的可控硅模塊，可以保證運(yùn)行的質(zhì)量和性能。其實(shí)，判斷可控硅模塊是否完好也并不難，需要從四個(gè)方面來(lái)進(jìn)行檢查和判斷：首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)是否完好；其次就是在陰極與陽(yáng)極之間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通；緊接著就是當(dāng)控制極開(kāi)路時(shí)，陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通；第四就是給控制極加上正向電流，給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱(chēng)作雙向晶...

C）的等效電路圖來(lái)分析。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō)，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。■可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已...

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用?？煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多?？煽毓韫ぷ髟?..

即導(dǎo)通角為180°（或p）。正是由于正弦波被切割、波形遭受破壞，會(huì)給電網(wǎng)帶來(lái)干擾等問(wèn)題……好的調(diào)光設(shè)備應(yīng)采取必要措施，努力降低使用可控硅技術(shù)后產(chǎn)生的干擾?？煽毓璧淖饔每煽毓璧淖饔弥痪褪强煽卣?，這也是可控硅基本也重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒(méi)有實(shí)現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路。在一個(gè)基本的單相半波可控整流電路中，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí)，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時(shí)，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通，負(fù)載上才會(huì)有電壓輸出，因此可以通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖到來(lái)的時(shí)間，來(lái)進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值，達(dá)到可控整流的作用?？煽毓璧淖饔弥?..

早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類(lèi)2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可控硅模塊分類(lèi)編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MD...

在門(mén)極G上加以正電壓或正脈沖信號(hào)，則GT0導(dǎo)通；當(dāng)門(mén)極上信號(hào)消失后，GTO仍然保持導(dǎo)通狀態(tài)，這與普通SCR性能完全一樣。這時(shí)如在門(mén)極與陰極之間加入反向電壓或較強(qiáng)的反向脈沖信號(hào)，可使GTO關(guān)斷。GTO在門(mén)極加負(fù)脈沖關(guān)斷信號(hào)時(shí)，有一個(gè)反向偏置工作安全區(qū)問(wèn)題。就是指一定條件下GT0能可靠關(guān)斷的陽(yáng)極電流和陽(yáng)極電壓的軌跡。以上圖可控硅模塊來(lái)說(shuō)，怎么判斷可控硅模塊如下1、這種模塊已經(jīng)標(biāo)注有詳細(xì)的圖，在門(mén)極上部也清楚標(biāo)注有希拉數(shù)字4、5、6、7。也就是說(shuō)可控硅模塊無(wú)需極性判別。簡(jiǎn)單的判別，可用數(shù)字萬(wàn)用表的電阻擋位200Ω，測(cè)量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6，是否一一對(duì)應(yīng)。如不對(duì)應(yīng)表示...

可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。廣西代理西門(mén)康SEMIKRON可控硅代理商西門(mén)康SEMIKRON可控硅 早是...

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件?？煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備。海南西門(mén)康SEMIKRON可控硅西門(mén)康SEMIKRON可控硅 提到可控硅模塊，人們都會(huì)想到它是一種類(lèi)似于二極管的東西，但是...

指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開(kāi)G極，指針立即退回∞位置，則說(shuō)明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進(jìn)一步測(cè)量，對(duì)于單向可控硅，閉合開(kāi)關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開(kāi)K燈仍不息滅，否則說(shuō)明可控硅損壞。對(duì)于雙向可控硅，閉合開(kāi)關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開(kāi)K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說(shuō)明是好的。否則說(shuō)明該器件已損壞。左手665收藏時(shí)間：2016年2月6日18：40如何鑒別可控硅的三個(gè)極關(guān)鍵字：可控硅檢測(cè)方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就...

因此負(fù)載獲得較少的電功率。這個(gè)典型的電功率無(wú)級(jí)調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應(yīng)用它?？煽毓柚饕獏?shù)有：1、額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。3、反向陰斷峰值電壓當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。4、控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加一定電壓，使可控硅從...

指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開(kāi)G極，指針立即退回∞位置，則說(shuō)明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進(jìn)一步測(cè)量，對(duì)于單向可控硅，閉合開(kāi)關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開(kāi)K燈仍不息滅，否則說(shuō)明可控硅損壞。對(duì)于雙向可控硅，閉合開(kāi)關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開(kāi)K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說(shuō)明是好的。否則說(shuō)明該器件已損壞。左手665收藏時(shí)間：2016年2月6日18：40如何鑒別可控硅的三個(gè)極關(guān)鍵字：可控硅檢測(cè)方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就...