半導(dǎo)體激光器原理析讀來(lái)源：未知2014-10-14作者：陳睿[摘要]半導(dǎo)體激光器是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器，常用工作物質(zhì)有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。下面小編給大家介紹一下半導(dǎo)體激光器原理?！救A強(qiáng)安防網(wǎng)訊】半導(dǎo)體激光器是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器，常用工作物質(zhì)有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。下面小編給大家介紹一下半導(dǎo)體激光器原理。半導(dǎo)體激光器通過(guò)一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)之間，實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，當(dāng)...

每當(dāng)其撞擊一級(jí)階梯時(shí)，就會(huì)放射出紅外光子。這些紅外光子在包含電子瀑布的半導(dǎo)體共振器內(nèi)前后反射，從而激發(fā)出其他光子。這一放大過(guò)程將產(chǎn)生出很高的輸出能量?！瑢拵Ъす馄骺稍?~8微米紅外波長(zhǎng)范圍產(chǎn)生。Gmachl指出：“從理論上講，波長(zhǎng)范圍可以更寬或更窄。選擇6~8微米范圍波長(zhǎng)發(fā)射激光，目的是更令人信服地演示我們的想法。未來(lái)，我們可以根據(jù)諸如光纖應(yīng)用等具體應(yīng)用的特定需求量身定制激光器?！卑雽?dǎo)體激光器編輯半導(dǎo)體激光器的常用參數(shù)可分為：波長(zhǎng)、閾值電流Ith、工作電流Iop、垂直發(fā)散角θ⊥、水平發(fā)散角θ∥、監(jiān)控電流Im。（1）波長(zhǎng)：即激光管工作波長(zhǎng)，可作光電開(kāi)關(guān)用的激光管波長(zhǎng)有635nm、...

激光引信通過(guò)激光對(duì)目標(biāo)進(jìn)行探測(cè),對(duì)激光回波信息進(jìn)行處理和計(jì)算,判斷出目標(biāo),計(jì)算出炸點(diǎn),在佳位置適時(shí)。一旦未捕獲或丟失目標(biāo)以及引信失靈后,自炸機(jī)構(gòu)可以彈丸自毀。半導(dǎo)體激光引信是激光探測(cè)技術(shù)在武器系統(tǒng)中成功的應(yīng)用。激光制導(dǎo)：它使導(dǎo)彈在激光射束中飛行直至摧毀目標(biāo)。半導(dǎo)體激光制導(dǎo)已用于地-空導(dǎo)彈、空-空導(dǎo)彈、地-地導(dǎo)彈等。激光制導(dǎo)跟蹤在上具有十分的應(yīng)用。激光制導(dǎo)的方法之一是駕束制導(dǎo),又稱激光波束制導(dǎo)。從制導(dǎo)站的激光發(fā)射系統(tǒng)按一定規(guī)律向空間發(fā)射經(jīng)編碼調(diào)制的激光束,且光束中心線對(duì)準(zhǔn)目標(biāo);在波束中飛行的導(dǎo)彈,當(dāng)其位置偏離波束中心時(shí),裝在導(dǎo)彈尾部的激光接收器探測(cè)到激光信號(hào),經(jīng)信息處理后,彈上解算裝...

根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，半導(dǎo)體激光器包括半導(dǎo)體層序列。半導(dǎo)體層序列包含n型傳導(dǎo)的n型區(qū)域。同樣地，半導(dǎo)體層序列具有p型傳導(dǎo)的p型區(qū)域。在n型區(qū)域和p型區(qū)域之間存在有源區(qū)。有源區(qū)構(gòu)建用于基于電致發(fā)光產(chǎn)生激光輻射。換言之，沿著或相反于半導(dǎo)體層序列的生長(zhǎng)方向，n型區(qū)域、有源區(qū)和p型區(qū)域彼此相隨，推薦直接彼此相隨。半導(dǎo)體層序列推薦基于iii-v族化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料例如為氮化物化合物半導(dǎo)體材料，如alnin1-n-mgamn，或?yàn)榱谆锘衔锇雽?dǎo)體材料，如alnin1-n-mgamp，或也為砷化物化合物半導(dǎo)體材料，如alnin1-n-mgamas，其中分別有0≤n≤1，0≤m≤1并且...

下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是半導(dǎo)體激光器一結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第七實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本申請(qǐng)...

已超過(guò)300種，半導(dǎo)體激光器的主要應(yīng)用領(lǐng)域是Gb局域網(wǎng)，850nm波長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器適用于）1Gh/。局域網(wǎng)，1300nm-1550nm波長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器適用于10Gb局域網(wǎng)系統(tǒng).半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用范圍覆蓋了整個(gè)光電子學(xué)領(lǐng)域，已成為當(dāng)今光電子科學(xué)的技術(shù).半導(dǎo)體激光器在激光測(cè)距、激光雷達(dá)、激光通信、激光模擬武器、激光警戒、激光制導(dǎo)跟蹤、引燃、自動(dòng)控制、檢測(cè)儀器等方面獲得了的應(yīng)用，形成了廣闊的市場(chǎng)。1978年，半導(dǎo)體激光器開(kāi)始應(yīng)用于光纖通信系統(tǒng)，半導(dǎo)體激光器可以作為光纖通信的光源和指示器以及通過(guò)大規(guī)模集成電路平面工藝組成光電子系統(tǒng).由于半導(dǎo)體激光器有著超小型、高效率和高速工作的優(yōu)異特點(diǎn)，所...

降低結(jié)溫，多數(shù)半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電流限制在20mA左右。但是，半導(dǎo)體激光器的光輸出會(huì)隨電流的增大而增加，很多功率型半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電流可以達(dá)到70mA、100mA甚至1A級(jí)，需要改進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)，全新的半導(dǎo)體激光器封裝設(shè)計(jì)理念和低熱阻封裝結(jié)構(gòu)及技術(shù)，改善熱特性。例如，采用大面積芯片倒裝結(jié)構(gòu)，選用導(dǎo)熱性能好的銀膠，增大金屬支架的表面積，焊料凸點(diǎn)的硅載體直接裝在熱沉上等方法。此外，在應(yīng)用設(shè)計(jì)中，PCB線路板等的熱設(shè)計(jì)、導(dǎo)熱性能也十分重要。進(jìn)入21世紀(jì)后，半導(dǎo)體激光器的高效化、超高亮度化、全色化不斷發(fā)展創(chuàng)新，紅、橙半導(dǎo)體激光器光效已達(dá)到100Im/W，綠半導(dǎo)體激光器為50lm/W，單只半導(dǎo)體激...

當(dāng)前吹出保護(hù)氣體的氣嘴雖然能夠在一定程度上吹除焊煙，但是在面對(duì)復(fù)雜形狀的焊接件時(shí)，其無(wú)法通過(guò)調(diào)節(jié)氣嘴的位置來(lái)將焊煙吹除，從而會(huì)影響終焊接的質(zhì)量。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路為此，本技術(shù)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體激光加工裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中氣嘴無(wú)法根據(jù)工件形狀及時(shí)調(diào)整位置將焊煙吹除，從而影響焊接質(zhì)量的問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)的實(shí)施方式提供如下技術(shù)方案：一種半導(dǎo)體激光加工裝置，在所述激光焊接頭上設(shè)置有以激光焊接頭的中心軸線轉(zhuǎn)動(dòng)的調(diào)節(jié)架，在所述調(diào)節(jié)架的底部?jī)蓚?cè)關(guān)于激光焊接頭的中心軸線對(duì)稱設(shè)置有用于吹除焊煙的吹氣組件和用于吹出保護(hù)氣體的第二吹氣組件；所述吹氣組件和所述第二吹氣組件的出氣口自激光焊接頭的下方自...

以及獲得單模、單頻、窄線寬和發(fā)展各種不同激光波長(zhǎng)的器件進(jìn)行的。半導(dǎo)體激光器20世紀(jì)90年代出現(xiàn)并特別值得一提的是面發(fā)射激光器（SEL），早在1977年，人們就提出了所謂的面發(fā)射激光器，并于1979年做出了個(gè)器件，1987年做出了用光泵浦的780nm的面發(fā)射激光器.1998年GaInAIP/GaA。面發(fā)射激光器在室溫下達(dá)到亞毫安的網(wǎng)電流，8mW的輸出功率和11%的轉(zhuǎn)換效率[2）前面談到的半導(dǎo)體激光器，從腔體結(jié)構(gòu)上來(lái)說(shuō)，不論是F一P(法布里一泊羅）腔或是DBR（分布布拉格反射式）腔，激光輸出都是在水平方向，統(tǒng)稱為水平腔結(jié)構(gòu).它們都是沿著襯底片的平行方向出光的.而面發(fā)射激光器卻是在芯片上...

貫穿熱沉基板308的連接件309的兩端分別連接激光器模組310的下電極層311(正電極層)與第二激光器模組305的第二上電極層312(負(fù)電極層)，以實(shí)現(xiàn)激光器模組310與第二激光器模組305的串聯(lián)設(shè)置。通過(guò)這種串聯(lián)設(shè)置，使得只需將激光器模組310的上電極層307(負(fù)極層)與負(fù)電極引線a連接，將第二激光器模組305的第二下電極層303(正極層)與正電極引線b連接即可使得激光器模組310和第二激光器模組305同時(shí)工作。因此，這種設(shè)置方式，能夠減少半導(dǎo)體激光器的電極引線數(shù)量。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，連接件還連接激光器模組的n面及第二激光器模組的p面，以實(shí)現(xiàn)激光器模組與第二激光器模組的串聯(lián)設(shè)置。...

套筒41的側(cè)面設(shè)有用于排空膠水氣泡的工藝孔。在一個(gè)實(shí)施例中，光纖輸入端結(jié)構(gòu)7還包括：法蘭72；法蘭72為金屬材質(zhì)。陶瓷插針71的另一端通過(guò)壓接方式固定在法蘭72內(nèi)，通過(guò)法蘭72與套筒41定位，法蘭72可與套筒41的端面貼合固定。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，套筒41的內(nèi)部一端為矩形孔，另一端為圓形孔，矩形孔與圓形孔連通，二者之間形成臺(tái)階。慢軸準(zhǔn)直透鏡42位于矩形孔內(nèi)，通過(guò)矩形孔和圓形孔之間的臺(tái)階定位，自聚焦透鏡43位于圓形孔內(nèi)，慢軸準(zhǔn)直透鏡42與自聚焦透鏡43之間有一定的距離。在一個(gè)實(shí)施例中，慢軸準(zhǔn)直透鏡42通過(guò)膠粘方式固定在套筒41內(nèi)部。在一個(gè)實(shí)施例中，套筒41材料采用導(dǎo)熱材質(zhì)制作，比...

貝爾實(shí)驗(yàn)室物理學(xué)家ClaireGmachl斷言：“超寬帶半導(dǎo)體激光器可用來(lái)制造高度敏感的萬(wàn)用探測(cè)器，以探測(cè)大氣中的細(xì)微污染痕跡，還可用于制造諸如呼吸分析儀等新的醫(yī)療診斷工具。”——半導(dǎo)體激光器是一種非常方便的光源，具備緊湊、耐用、便攜和強(qiáng)大等特點(diǎn)。然而，典型半導(dǎo)體激光器通常為窄帶設(shè)備，只能以特有波長(zhǎng)發(fā)出單色光。相比之下，超寬帶激光器具有的優(yōu)勢(shì)，可以同時(shí)在更寬的光譜范圍內(nèi)選取波長(zhǎng)。制造出可在范圍的操作環(huán)境下可*運(yùn)行的超寬帶激光器正是科學(xué)家們長(zhǎng)久以來(lái)追求的一個(gè)目標(biāo)?！獮榱搜兄瞥鲂滦偷募す馄?，貝爾實(shí)驗(yàn)室科學(xué)家們采用了650余種光子學(xué)中使用的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體材料，并將其疊放在一起組成一個(gè)“多層...

貫穿熱沉基板308的連接件309的兩端分別連接激光器模組310的下電極層311(正電極層)與第二激光器模組305的第二上電極層312(負(fù)電極層)，以實(shí)現(xiàn)激光器模組310與第二激光器模組305的串聯(lián)設(shè)置。通過(guò)這種串聯(lián)設(shè)置，使得只需將激光器模組310的上電極層307(負(fù)極層)與負(fù)電極引線a連接，將第二激光器模組305的第二下電極層303(正極層)與正電極引線b連接即可使得激光器模組310和第二激光器模組305同時(shí)工作。因此，這種設(shè)置方式，能夠減少半導(dǎo)體激光器的電極引線數(shù)量。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，連接件還連接激光器模組的n面及第二激光器模組的p面，以實(shí)現(xiàn)激光器模組與第二激光器模組的串聯(lián)設(shè)置。...

下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是半導(dǎo)體激光器一結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本申請(qǐng)半導(dǎo)體激光器第七實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本申請(qǐng)...

所述半導(dǎo)體激光器芯片cos依次通過(guò)所述快軸準(zhǔn)直透鏡、慢軸準(zhǔn)直透鏡、自聚焦透鏡實(shí)現(xiàn)和光纖前端的耦合對(duì)準(zhǔn)，所述半導(dǎo)體激光器芯片cos輸出光束的光軸與所述快軸準(zhǔn)直透鏡的光軸及所述光束整形機(jī)構(gòu)的光軸在同一條直線上。進(jìn)一步地，所述陶瓷插針的一端通過(guò)膠粘方式安裝于所述套筒內(nèi)，所述套筒的側(cè)面設(shè)有用于排空膠水氣泡的工藝孔。進(jìn)一步地，所述光纖輸入端結(jié)構(gòu)還包括：法蘭；所述陶瓷插針的另一端通過(guò)壓接方式固定在所述法蘭內(nèi)，通過(guò)所述法蘭與所述套筒定位。進(jìn)一步地，所述套筒的內(nèi)部一端為矩形孔，另一端為圓形孔，所述矩形孔與所述圓形孔連通，二者之間形成臺(tái)階；所述慢軸準(zhǔn)直透鏡位于所述矩形孔內(nèi)，通過(guò)所述矩形孔和所述圓形孔之間...

半導(dǎo)體激光器301與上述實(shí)施例半導(dǎo)體激光器201的區(qū)別在于：本實(shí)施例半導(dǎo)體激光器301進(jìn)一步包括第二熱沉基板302，第二激光器模組304位于熱沉基板308的下表面與第二熱沉基板302的上表面之間。具體地，第二激光器模組305的第二下電極層303位于第二激光器模組305的第二巴條304與第二熱沉基板302的上表面之間。本實(shí)施例通過(guò)設(shè)置第二熱沉基板302，能夠增加對(duì)第二激光器模組305的散熱。本實(shí)施例的第二熱沉基板302與熱沉基板308相同，這里不贅述。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，還可以在激光器模組的上電極層上設(shè)置熱沉基板。可選地，本實(shí)施例的連接件309連接激光器模組310的p面及第二激光器模組...

根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，激光輻射具有如下比較大強(qiáng)度的波長(zhǎng)，所述波長(zhǎng)位于近紫外光譜范圍中。近紫外光譜范圍尤其表示在200nm和420nm之間或在320nm和420nm之間的波長(zhǎng)，其中包括邊界值。替選地，半導(dǎo)體激光器設(shè)計(jì)用于：發(fā)射可見(jiàn)的激光輻射，例如藍(lán)色的激光輻射或紅色的激光輻射。藍(lán)光推薦涉及至少420nm和/或比較高490nm的主波長(zhǎng)。尤其將在600nm和700nm之間的主波長(zhǎng)理解為紅光，其中包括邊界值。還可行的是：激光輻射為近紅外輻射，即為比較大強(qiáng)度的波長(zhǎng)例如在700nm和1600nm之間的輻射，其中包括邊界值。同樣地，能夠產(chǎn)生在490nm和600nm之間的綠色或黃色光譜范圍中的激光...

普聚智能系統(tǒng)是一家以鐳射應(yīng)用、方案設(shè)計(jì)、裝備製造為的高技術(shù)科技公司，服務(wù)行業(yè)包括半導(dǎo)體集成電路封裝、顯示面板、FPC、新能源等。應(yīng)用涵蓋了IC芯片的鐳射切割、鉆孔、刻線和標(biāo)記，動(dòng)力電池部件的切割和焊接，顯示面板精密標(biāo)刻、脆性材料（玻璃/石英/藍(lán)寶石/陶瓷等）微加工工藝。公司掌握先進(jìn)封裝中的鐳射加工製程，從工藝開(kāi)發(fā)、測(cè)試，到設(shè)備規(guī)格制定、方案設(shè)計(jì)和設(shè)備建造，直至導(dǎo)入量產(chǎn)，優(yōu)異的服務(wù)已被國(guó)際消費(fèi)電子廠商認(rèn)可，成為其系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)模組產(chǎn)線的關(guān)鍵供應(yīng)商。公司代理國(guó)內(nèi)外先進(jìn)的激光精密加工、無(wú)掩板鐳射直接成像曝光（LDI）等設(shè)備，并提供相關(guān)的工藝開(kāi)發(fā)、培訓(xùn)、維保等方面的技術(shù)服務(wù)。公司榮獲20...

第二連接件連接第二激光器模組的p面及第三激光器模組的n面。該技術(shù)方案能夠?qū)崿F(xiàn)激光器模組、第二激光器模組及第三激光器模組串聯(lián)，能夠減少激光器的電極引線數(shù)量。在一個(gè)實(shí)施方式中，熱沉基板設(shè)置多個(gè)所述通孔，半導(dǎo)體激光器包括多個(gè)容置于通孔內(nèi)的連接件。該技術(shù)方案能夠在某個(gè)連接件出現(xiàn)導(dǎo)電不良時(shí)，其它連接件可以實(shí)現(xiàn)熱沉基板上、下表面電極層的連接，使得激光器正常工作。在一個(gè)實(shí)施方式中，熱沉基板為陶瓷基板。本申請(qǐng)實(shí)施例的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本申請(qǐng)實(shí)施例半導(dǎo)體激光器至少包括：熱沉基板，包括相對(duì)設(shè)置的上表面及下表面，熱沉基板設(shè)置有至少一個(gè)通孔，通孔從上表面貫穿至下表面；激光器模組，設(shè)置在熱沉基板的上表...

圖1為本技術(shù)實(shí)施方式的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本技術(shù)實(shí)施方式的局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本技術(shù)實(shí)施方式中噴氣頭的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本技術(shù)實(shí)施方式中塑料卡扣的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中：1-調(diào)節(jié)架；2-吹氣組件；3-第二吹氣組件；4-第二噴氣頭；5-驅(qū)動(dòng)組件；6-限位環(huán)；201-旋轉(zhuǎn)接頭；202-鵝頸管；203-噴氣頭；204-出氣孔；205-固定組件；206-導(dǎo)向桿；207-固定塊；208-球頭萬(wàn)向節(jié)；209-塑料卡扣；501-傳動(dòng)齒輪；502-電滑環(huán)；503-環(huán)形齒輪。具體實(shí)施方式以下由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本技術(shù)的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本技術(shù)的其他優(yōu)點(diǎn)及功效，顯...

根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，激光輻射具有如下比較大強(qiáng)度的波長(zhǎng)，所述波長(zhǎng)位于近紫外光譜范圍中。近紫外光譜范圍尤其表示在200nm和420nm之間或在320nm和420nm之間的波長(zhǎng)，其中包括邊界值。替選地，半導(dǎo)體激光器設(shè)計(jì)用于：發(fā)射可見(jiàn)的激光輻射，例如藍(lán)色的激光輻射或紅色的激光輻射。藍(lán)光推薦涉及至少420nm和/或比較高490nm的主波長(zhǎng)。尤其將在600nm和700nm之間的主波長(zhǎng)理解為紅光，其中包括邊界值。還可行的是：激光輻射為近紅外輻射，即為比較大強(qiáng)度的波長(zhǎng)例如在700nm和1600nm之間的輻射，其中包括邊界值。同樣地，能夠產(chǎn)生在490nm和600nm之間的綠色或黃色光譜范圍中的激光...

在所述激光焊接頭上設(shè)置有以激光焊接頭的中心軸線轉(zhuǎn)動(dòng)的調(diào)節(jié)架（1），在所述調(diào)節(jié)架（1）的底部?jī)蓚?cè)關(guān)于激光焊接頭的中心軸線對(duì)稱設(shè)置有用于吹除焊煙的吹氣組件（2）和用于吹出保護(hù)氣體的第二吹氣組件（3）；所述吹氣組件（2）和所述第二吹氣組件（3）的出氣口自激光焊接頭的下方自上而下順次設(shè)置，且所述吹氣組件（2）的出氣口和所述第二吹氣組件（3）的出氣口在水平方向上形成有間隙；所述吹氣組件（2）包括套設(shè)在激光焊接頭上的旋轉(zhuǎn)接頭（201）、固定在調(diào)節(jié)架（1）底部的鵝頸管（202），所述鵝頸管（202）通過(guò)管道與旋轉(zhuǎn)接頭（201）的旋轉(zhuǎn)端固定連接，且所述旋轉(zhuǎn)接頭（201）的固定端通過(guò)氣管與外界氣泵相連接...

智能裝備是國(guó)之重器，是制造業(yè)的基石，尤其是半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)智能裝備，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中具有舉足輕重的作用。晶圓切割是半導(dǎo)體封測(cè)工藝中不可或缺的關(guān)鍵工序。據(jù)悉，與傳統(tǒng)的切割方式相比，激光切割屬于非接觸式加工，可以避免對(duì)晶體硅表面造成損傷，并且具有加工精度高、加工效率高等特點(diǎn)，可以大幅提升芯片生產(chǎn)制造的質(zhì)量、效率、效益。半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割機(jī)通過(guò)采用特殊材料、特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、特殊運(yùn)動(dòng)平臺(tái)，可以實(shí)現(xiàn)加工平臺(tái)在高速運(yùn)動(dòng)時(shí)保持高穩(wěn)定性、高精度，運(yùn)動(dòng)速度可達(dá)500mm/s，效率遠(yuǎn)高于國(guó)外設(shè)備。在光學(xué)方面，根據(jù)單晶硅的光譜特性，結(jié)合工業(yè)激光的應(yīng)用水平，采用了合適的波長(zhǎng)、總功率、脈寬和重頻的激光器，終實(shí)現(xiàn)了...

以及獲得單模、單頻、窄線寬和發(fā)展各種不同激光波長(zhǎng)的器件進(jìn)行的。半導(dǎo)體激光器20世紀(jì)90年代出現(xiàn)并特別值得一提的是面發(fā)射激光器（SEL），早在1977年，人們就提出了所謂的面發(fā)射激光器，并于1979年做出了個(gè)器件，1987年做出了用光泵浦的780nm的面發(fā)射激光器.1998年GaInAIP/GaA。面發(fā)射激光器在室溫下達(dá)到亞毫安的網(wǎng)電流，8mW的輸出功率和11%的轉(zhuǎn)換效率[2）前面談到的半導(dǎo)體激光器，從腔體結(jié)構(gòu)上來(lái)說(shuō)，不論是F一P(法布里一泊羅）腔或是DBR（分布布拉格反射式）腔，激光輸出都是在水平方向，統(tǒng)稱為水平腔結(jié)構(gòu).它們都是沿著襯底片的平行方向出光的.而面發(fā)射激光器卻是在芯片上...

本發(fā)明涉及激光技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體激光器。背景技術(shù)：半導(dǎo)體激光器所發(fā)出的光在垂直于p-n結(jié)方向(通稱快軸)具有較大發(fā)散角和較窄的發(fā)光區(qū)，快軸發(fā)散角通常為30°～60°，厚度通常小于1μm；平行于p-n結(jié)方向(通稱慢軸)具有較小發(fā)散角及較大的發(fā)光區(qū)，慢軸發(fā)散角通常為8°～12°，發(fā)光條的寬度通常在100～200μm。如何提高大的發(fā)光條寬度的半導(dǎo)體激光器芯片cos發(fā)出的光耦合進(jìn)入直徑和na(數(shù)值孔徑)較小的光纖內(nèi)的耦合效率，一直是一個(gè)難題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于上述問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N半導(dǎo)體激光器，以便解決或者部分解決上述問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案：本發(fā)明公開(kāi)一...

激光引信通過(guò)激光對(duì)目標(biāo)進(jìn)行探測(cè),對(duì)激光回波信息進(jìn)行處理和計(jì)算,判斷出目標(biāo),計(jì)算出炸點(diǎn),在佳位置適時(shí)。一旦未捕獲或丟失目標(biāo)以及引信失靈后,自炸機(jī)構(gòu)可以彈丸自毀。半導(dǎo)體激光引信是激光探測(cè)技術(shù)在武器系統(tǒng)中成功的應(yīng)用。激光制導(dǎo)：它使導(dǎo)彈在激光射束中飛行直至摧毀目標(biāo)。半導(dǎo)體激光制導(dǎo)已用于地-空導(dǎo)彈、空-空導(dǎo)彈、地-地導(dǎo)彈等。激光制導(dǎo)跟蹤在上具有十分的應(yīng)用。激光制導(dǎo)的方法之一是駕束制導(dǎo),又稱激光波束制導(dǎo)。從制導(dǎo)站的激光發(fā)射系統(tǒng)按一定規(guī)律向空間發(fā)射經(jīng)編碼調(diào)制的激光束,且光束中心線對(duì)準(zhǔn)目標(biāo);在波束中飛行的導(dǎo)彈,當(dāng)其位置偏離波束中心時(shí),裝在導(dǎo)彈尾部的激光接收器探測(cè)到激光信號(hào),經(jīng)信息處理后,彈上解算裝...

半導(dǎo)體激光器201可以包括多個(gè)沿水平方向排列或者在水平面上成矩陣排列的多個(gè)激光器模組。區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施例通過(guò)容置于貫穿熱沉基板202的通孔中的連接件205將激光器模組203與第二激光器模組204進(jìn)行電連接，能夠?qū)崿F(xiàn)激光器模組203與第二激光器模組204共用電極引線，從而能夠減少半導(dǎo)體激光器201的電極引線的數(shù)量，因此能夠減少發(fā)熱及提升其性能的穩(wěn)定性?？蛇x地，本實(shí)施例的連接件205包括填充在通孔中的導(dǎo)電材料，其中，導(dǎo)電材料至少包括銅、銀、金等高導(dǎo)電金屬材料中的任一種；該導(dǎo)電材料可以通過(guò)電鍍等工藝容置于該通孔中?？蛇x地，本實(shí)施例的熱沉基板202為陶瓷基板，該陶瓷基板由高導(dǎo)熱絕緣陶瓷材...

具有較窄能隙材料的一個(gè)薄層，因此注人的載流子被限制在該區(qū)域內(nèi)（有源區(qū)），因而注人較少的電流就可以實(shí)現(xiàn)載流子數(shù)的反轉(zhuǎn)。在半導(dǎo)體激光器件中，比較成熟、性能較好、應(yīng)用較廣的是具有雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電注人式GaAs二極管激光器。隨著異質(zhì)結(jié)激光器的研究發(fā)展，人們想到如果將超薄膜（<20nm）的半導(dǎo)體層作為激光器的激括層，以致于能夠產(chǎn)生量子效應(yīng)，結(jié)果會(huì)是怎么樣?再加之由于MBE,MOCVD技術(shù)的成就。于是，在1978年出現(xiàn)了世界上只半導(dǎo)體量子阱激光器（QWL），它大幅度地提高了半導(dǎo)體激光器的各種性能.后來(lái)，又由于MOCVD,MBE生長(zhǎng)技術(shù)的成熟，能生長(zhǎng)出高質(zhì)量超精細(xì)薄層材料，之后，便成功地研制出了性能更...

具有較窄能隙材料的一個(gè)薄層，因此注人的載流子被限制在該區(qū)域內(nèi)（有源區(qū)），因而注人較少的電流就可以實(shí)現(xiàn)載流子數(shù)的反轉(zhuǎn)。在半導(dǎo)體激光器件中，比較成熟、性能較好、應(yīng)用較廣的是具有雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電注人式GaAs二極管激光器。隨著異質(zhì)結(jié)激光器的研究發(fā)展，人們想到如果將超薄膜（<20nm）的半導(dǎo)體層作為激光器的激括層，以致于能夠產(chǎn)生量子效應(yīng)，結(jié)果會(huì)是怎么樣?再加之由于MBE,MOCVD技術(shù)的成就。于是，在1978年出現(xiàn)了世界上只半導(dǎo)體量子阱激光器（QWL），它大幅度地提高了半導(dǎo)體激光器的各種性能.后來(lái)，又由于MOCVD,MBE生長(zhǎng)技術(shù)的成熟，能生長(zhǎng)出高質(zhì)量超精細(xì)薄層材料，之后，便成功地研制出了性能更...

已超過(guò)300種，半導(dǎo)體激光器的主要應(yīng)用領(lǐng)域是Gb局域網(wǎng)，850nm波長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器適用于）1Gh/。局域網(wǎng)，1300nm-1550nm波長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器適用于10Gb局域網(wǎng)系統(tǒng).半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用范圍覆蓋了整個(gè)光電子學(xué)領(lǐng)域，已成為當(dāng)今光電子科學(xué)的技術(shù).半導(dǎo)體激光器在激光測(cè)距、激光雷達(dá)、激光通信、激光模擬武器、激光警戒、激光制導(dǎo)跟蹤、引燃、自動(dòng)控制、檢測(cè)儀器等方面獲得了的應(yīng)用，形成了廣闊的市場(chǎng)。1978年，半導(dǎo)體激光器開(kāi)始應(yīng)用于光纖通信系統(tǒng)，半導(dǎo)體激光器可以作為光纖通信的光源和指示器以及通過(guò)大規(guī)模集成電路平面工藝組成光電子系統(tǒng).由于半導(dǎo)體激光器有著超小型、高效率和高速工作的優(yōu)異特點(diǎn)，所...