PVD顏色膜之玫瑰金 玫瑰金，單從她那浪漫的名字，就能引起人們無數美妙的聯(lián)想。在閃閃發(fā)光的黃金飾品與經典高雅的鉑金飾品之后，色調柔和迷人的玫瑰金飾品漸成為時尚人士的“新寵”，以她特有的風格與文化，演繹出貴金屬飾品的又一片嶄新天地。通常玫瑰金由75％的黃金與其它...

什么是電致變色，它有哪些分類：電致變色是指材料的光學屬性（反射率、透過率、吸收率等）在外加電場的作用下發(fā)生穩(wěn)定、可逆的顏色變化的現象，在外觀上表現為顏色和透明度的可逆變化。具有電致變色性能的材料稱為電致變色材料，用電致變色材料做成的器件稱為電致變色器件。電致變...

電致變色的工作原理： 電致變色材料在外加電場作用下發(fā)生電化學氧化還原反應，得失電子，使材料的顏色發(fā)生變化電致變色器件的典型結構器件結構從上到下分別為：玻璃或透明基底材料、透明導電層（如：ITO）、電致變色層、電解質層、離子存儲層、透明導電層（如：ITO）、...

氧化物鍍膜技術在真空鍍鋁膜中的應用 近年來，迅速發(fā)展微波加熱技術給微波食品包裝及需經微波殺 菌消毒的一類商品的包裝提出了新的要求，即包裝材料不要具有優(yōu)良的阻隔性能，而且還要耐高溫、微波透過性好等特性，傳統(tǒng)的包裝材料很難具備這些特點。因此，近年來日本、德國、美國...

主要產品：1、鈀 顆粒 99.99%常規(guī)尺寸：φ3*6mm；量大可定做2、鈀 靶材 99.99%?常規(guī)尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做3、電鏡鈀片常規(guī)尺寸：φ57*0.1mm*0.2...

基于非晶IGZO真空材料的阻變存儲器與憶阻器 從真空材料結構及電子結構角度入手，將In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料，由于球對稱的In 5s 軌道交疊較大，使得該材料具有形變對電學輸運影響較小且遷移率較高的特點。 ...

PVD技術簡介PVD技術是在真空中將鈦、金、石墨、水晶等金屬或非金屬、氣體等材料利用濺射、蒸發(fā)或離子鍍等技術，在基材上形成薄膜的一種表面處理過程。與傳統(tǒng)化學鍍膜方法相比，PVD有很多優(yōu)點：如對環(huán)境無污染，是綠色環(huán)保工藝；對操作者無傷害；膜層牢固、致密性好、抗腐...

目前市場上常見的合金靶材有哪些？ 鈦鋁靶材,TiAl靶材，鈦硅靶材,TiSi靶材，鈦鎢靶材,TiW靶材，鎢鈦靶材WTi靶材，鈦鋁硅靶材,TiAlSi靶材，鉻鋁靶材,CrAl靶材，鉻硅靶材,CrSi靶材，硅鋁靶材,SiAl靶材，鋅錫靶材,ZnSn靶材，鋅鋁靶材,...

靶中毒的解決辦法（1）采用中頻電源或射頻電源。（2）采用閉環(huán)控制反應氣體的通入量。（3）采用孿生靶（4）控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應曲線，使進氣流量控制在產生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。磁控濺射不起輝的常見原因...

什么是DLC薄膜？ 類金剛石薄膜通常又被人們稱為DLC薄膜，是英文詞匯Diamond Like Carbon的簡稱，它是一類性質近似于金剛石，具有高硬度，高電阻率。良好光學性能等，同時又具有自身獨特摩擦學特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之間的不同結合方...

利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對所制備的非晶硅薄膜進行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時間、氬氣氣壓等因素對非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實驗結果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨濺射功率、濺射時間和濺射氣壓的增加而增...

由于操作人員同時對靶材側壁表面及經圓角處理的側棱進行拋光，因此操作人員施加在靶材側壁表面及側棱上的力度差異小，拋光工藝結束后，靶材側壁表面及經圓角處理的側棱表面具有相近似甚至完全相同的平整度，使得拋光表面具有良好的均一性，有助于改善濺射鍍膜質量。若分步驟對靶材...

靶材的雜質含量。在經過一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因為用處不一樣，所以不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。比如現在的半導體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。密度也是靶...

真空技術中的清潔處理(一)概述真空技術清潔處理一般指的是真空裝置的結構材料、填裝材料和真空零(部)件的清潔處理。去除或減少污染物將有利于獲得良好真空，增加連接強度和氣密性，提高產品的壽命和可靠性。(二)污染物的幾種類型①油脂:加工、安裝和操作時沾染的潤滑劑、真...

與實施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為8mm；所得靶材組件濺射強度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用壽命減少。對比例3與實施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的硬度為10hv；所得靶材組件濺射強度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用...

高純金屬的概念： 任何金屬都不能達到純?！案呒儭焙汀俺儭本哂邢鄬Φ暮x，是指技術上達到的標準。由于技術的發(fā)展，也常使“超純”的標準升級。例如過去高純金屬的雜質為 ppm級（即百萬分之幾）,而超純半導體材料的雜質達ppb級（十億分之幾）,并將逐步發(fā)展到以ppt...

靶材的雜質含量。在經過一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因為用處不一樣，所以不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。比如現在的半導體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。密度也是靶...

真空離子鍍的耐腐蝕性： 金屬零件是要銹蝕的，但如果零件上鍍有一層防蝕鍍層，就能防止零件生銹。由于離子鍍所獲得的鍍層致密度高，少，耐腐蝕性能好，并能沉積許多其他工藝至今不能沉積的優(yōu)良防腐蝕鍍層。因此，離子鍍目前在鍍防腐蝕材料方面應用廣。如水上飛機的壁板及其他...

玫瑰金靶材有哪些？ PVD玫瑰金是靠濺射玫瑰金靶形成的，不同的玫瑰金靶配方顏色上有一些區(qū)別，大概分為以下幾種： 1、皇冠金（crown gold），黃金含量在22K(91.667％)，由英國亨利八世(1526年)將此比例的黃金用于金幣的鑄造 2、常見的也是典型...

所得靶材組件濺射強度好，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。實施例3提供一種長壽命靶材組件，所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.8mm；所述靶材表面的硬度為22hv；其中，所述靶材的比較大厚度為28mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；...

作為本發(fā)明 的技術方案，所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板。作為本發(fā)明 的技術方案，所述靶材呈凹形結構。作為本發(fā)明 的技術方案，所述靶材包括用于濺射的濺射面。 地，所述濺射面包括***平、第二平面和斜面。作為本發(fā)明 的技術方案，所述斜面與水平面的夾角≤10&...

真空離子鍍在航空航天方面的應用： 在現代飛機、航空發(fā)動機或航空儀表中，特別是在航宇器，如宇宙飛船、人造衛(wèi)星中，有不少旋轉零件都要求有良好的潤滑，但往往由于封存過久、環(huán)境溫度過高或太空揮發(fā)等原因，普通油脂潤滑劑已不再適用，從而提出以固體潤滑劑代替。試驗表明，用離...

靶材拋光裝置100還包括：防護層400，所述防護層400位于所述固定板200與所述拋光片300之間。防護層400為彈性材料，能夠在所述固定板200及靶材間提供緩沖，避免所述固定板200觸撞靶材導致靶材受損。防護層400的厚度為30mm～35mm。若所述防護層4...

由于操作人員同時對靶材側壁表面及經圓角處理的側棱進行拋光，因此操作人員施加在靶材側壁表面及側棱上的力度差異小，拋光工藝結束后，靶材側壁表面及經圓角處理的側棱表面具有相近似甚至完全相同的平整度，使得拋光表面具有良好的均一性，有助于改善濺射鍍膜質量。若分步驟對靶材...

真空技術中的清潔處理 (一)概述 真空技術清潔處理一般指的是真空裝置的結構材料、填裝材料和真空零(部)件的清潔處理。去除或減少污染物將有利于獲得良好真空，增加連接強度和氣密性，提高產品的壽命 和可靠性。 (二)污染物的幾種類型 ①油脂:加工、安裝和操作時...

真空鍍膜設備維修保養(yǎng)技巧 1、真空鍍膜設備每完成200個鍍膜程序以上，應清潔工作室一次。 方法：用燒堿(NaOH)飽和溶液反復擦洗真空室內壁，( 注意人體皮膚不可以直接接觸燒堿溶液，以免灼傷)目的是使鍍上去的膜料鋁(AL)與NaOH發(fā)生反應，反應后膜層脫落，并...

什么是3D玻璃？ 現在數碼產品使用的玻璃蓋板分為：2D玻璃，2.5D玻璃，還有3D玻璃。2D玻璃就是普通的純平面玻璃，沒有任何弧形設計；2.5D玻璃則為中間是平面的，但邊緣是弧形設計；而3D屏幕，無論是中間還是邊緣都采用弧形設計。 3D曲面玻璃的特色符合 3C...

靶材材質對靶濺射電壓的影響 ： 1. 在真空條件不變的條件下,不同材質與種類靶材對磁控靶的正常濺射電壓會產生一定的影響。 2. 常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內。 3. 有的難濺射的靶材...

濺射鍍膜不良膜層分析，改善方法： 1.白霧主要表現：膜層外觀一層白霧。 原因分析及改善：（白霧可擦拭）：外層膜松散粗糙；出爐溫差大；潮氣吸附；膜層結構不均勻；反應氣體不足/不均勻；外層膜應力大等。 （白霧不可擦拭）：殘留臟污；材腐蝕污染；膜層之間不匹配...

磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個重要因素的直...