例如塊體積元素(brickvolumetricelement)、部分元素等效電路(peec)或基于體積積分公式的方法，其可以提供對由實際三維電流承載結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的磁場進行估計的進一步的提高。金屬目標通常可以由導電表面表示。如圖10a所示，算法704在步驟1002處開始。在步驟1002中，獲得描述tx線圈和rx線圈、目標的幾何形狀、氣隙規(guī)范和掃描規(guī)范的pcb跡線設計。這些輸入?yún)?shù)例如可以由算法700提供，要么在算法700的輸入步驟702期間通過初始輸入，要么從來自算法700的線圈調(diào)整步驟712的經(jīng)調(diào)整的線圈設計來提供，如圖7a所示。算法704然后進行到步驟1003。在步驟1003中，算法7...

它們允許將發(fā)射線圈802的跡線連接在pcb的側(cè)面之間。如圖8a和圖8b進一步所示，接收線圈包括余弦定向線圈804和正弦定向線圈806。余弦定向線圈804包括通孔818，其允許余弦定向線圈804的導線跡線從pcb的一側(cè)過渡到另一側(cè)。類似地，正弦定向線圈806包括通孔820，其允許在pcb的側(cè)面之間過渡正弦定向線圈806的布線。線圈布局800中包括的另一個特征是阱808、810和812的增加，這些阱進一步補償由發(fā)射線圈802生成的場的不均勻性以及由該不均勻性生成的所得偏移誤差。如線圈設計800中所示，提供阱808和阱810來調(diào)整正弦定向線圈804，并設置阱812來調(diào)整余弦定向線圈806。此...

對處在這個電磁場范圍的其他導線產(chǎn)生的作用，叫做“互感“。電感線圈的電特性和電容器相反，“通低頻，阻高頻“。高頻信號通過電感線圈時會遇到很大的阻力，很難通過；而對低頻信號通過它時所呈現(xiàn)的阻力則比較小，即低頻信號可以較容易的通過它。電感線圈對直流電的電阻幾乎為零。電阻，電容和電感，他們對于電路中電信號的流動都會呈現(xiàn)一定的阻力，這種阻力我們稱之為“阻抗”。電感線圈對電流信號所呈現(xiàn)的阻抗利用的是線圈的自感。電感線圈有時我們把它簡稱為“電感”或“線圈”，用字母“L”表示。繞制電感線圈時，所繞的線圈的圈數(shù)我們一般把它稱為線圈的“匝數(shù)“。江蘇省對于傳感器線圈哪家口碑好的？福建傳感器線圈誠信經(jīng)營 算法7...

相對于余弦接收線圈定義正弦接收線圈。為了說明的目的，圖13示出對關于圖12所描述的正弦接收線圈的修改。接收線圈(rx)設計可以用雙環(huán)路迭代來定義。初，在步驟1206中，正弦形狀的rx線圈1316(結(jié)合參考系1314)沿x方向?qū)ΨQ地部分延伸(如跡線1310所示)，以補償由于目標非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點上的適當?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設置，在步驟1210中，算法計算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號失配，而建立通孔位置1308。每當一個線圈中的通孔比另...

5、色碼電感器色碼電感器是具有固定電感量的電感器，其電感量標志方法同電阻一樣以色環(huán)來標記。6、阻流圈（扼流圈）限制交流電通過的線圈稱阻流圈，分高頻阻流圈和低頻阻流圈。7、偏轉(zhuǎn)線圈偏轉(zhuǎn)線圈是電視機掃描電路輸出級的負載，偏轉(zhuǎn)線圈要求：偏轉(zhuǎn)靈敏度高、磁場均勻、Q值高、體積小、價格低。作用阻流作用電感線圈線圈中的自感電動勢總是與線圈中的電流變化抗衡。電感線圈對交流電流有阻礙作用，阻礙作用的大小稱感抗xl，單位是歐姆。它與電感量l和交流電頻率f的關系為xl=2πfl，電感器主要可分為高頻阻流線圈及低頻阻流線圈。調(diào)諧與選頻作用電感線圈與電容器并聯(lián)可組成lc調(diào)諧電路。即電路的固有振蕩頻率f0與非交流信號的頻...

則可以使用類似于以下中提供的計算上代價更高的體積積分公式或有限元建模來對目標進行建模：bettini，m.、passarotto，艮、specogna，“avolumeintegralformulationforsolvingeddycurrentproblemsonpolyhedralmesses(解決多面體對象的渦電流問題的體積積分公式)”，ieee磁學學報，第53卷，第6期，7204904，2017。如圖10f進一步所示，金屬目標1024的表面被表示為被網(wǎng)格元素1026覆蓋。網(wǎng)格元素1026是非重疊的多邊形，通常為三角形，其覆蓋金屬目標1024的整個表面并形成離散表面。如圖10a...

結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和v...

圖10f示出正在算法704中進行仿真的位置定位系統(tǒng)設計中的接收器線圈1028和接收器線圈1026上方的金屬目標1204的定位。為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設計800的示例，其中接收器線圈1028和接收器線圈1026分別與接收器線圈804和接收器線圈806的跡線的一維近似相對應。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，...

仿真可以輸入pcb跡線的幾何形狀、金屬目標的幾何形狀、氣隙、金屬目標在由跡線形成的線圈上的平移/旋轉(zhuǎn)、以及另外的固定導體，其例如可用于仿真pct或傳感器附近的其他導體的接地層。仿真可以輸出線圈上方的金屬目標的一系列位置處來自接收器線圈的仿真電壓。在一些實施例中，在本申請中也可以使用有限元方法(fem)或類似方法。然而，在一些情況下，執(zhí)行這些仿真可能需要大量的計算時間。可以預期，相對于上述bim方法，每個傳感器目標位置的計算可能使用兩個或更多個數(shù)量級的計算時間。此外，可能需要針對每個目標位置從頭開始重建計算域的網(wǎng)格。而且，由于長而細的導體需要大量的網(wǎng)格元素來獲得精確的解，因此這些技術的準...

可以替代地修改余弦接收線圈，并且相對于余弦接收線圈定義正弦接收線圈。為了說明的目的，圖13示出對關于圖12所描述的正弦接收線圈的修改。接收線圈(rx)設計可以用雙環(huán)路迭代來定義。初，在步驟1206中，正弦形狀的rx線圈1316(結(jié)合參考系1314)沿x方向?qū)ΨQ地部分延伸(如跡線1310所示)，以補償由于目標非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點上的適當?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設置，在步驟1210中，算法計算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號失配，而建立通...

cad)系統(tǒng)例如以gerber格式提取現(xiàn)有的線圈設計。在一些實施例中，可以以gerber格式執(zhí)行算法700的步驟702或算法720的步驟722中的初始線圈設計的輸入。步驟710中的輸出設計也可以是gerber格式。gerber格式通常用在cad/cam系統(tǒng)中，以及用于表示印刷電路板設計的系統(tǒng)，并且可以從加利福尼亞州舊金山的ucamcousa獲得。這樣，可以從現(xiàn)有印刷電路板上提取現(xiàn)有設計，并在步驟722中將其提供給算法720以進行驗證，或者在步驟702中將其提供給算法700。這樣，如上所述，可以在步驟724中執(zhí)行對現(xiàn)有設計的執(zhí)行，并且在步驟728中測量實際性能?？梢栽诓襟E730中比較仿真...

電渦流式傳感器的等效電路計算方法為：式中，R2為電渦流短路環(huán)等效電阻；h為電渦流的深度（）；ra為短路環(huán)的外徑；ri為短路環(huán)的內(nèi)徑。由基爾霍夫電壓定律有式中ω為線圈與金屬導體的互感系數(shù)?？傻玫刃ё杩篂槭街蠷eq為產(chǎn)生電渦流效應后線圈的等效電阻，Leq為產(chǎn)生電渦流效應后線圈的等效電感。由于電渦流的影響，線圈復阻抗的實部（等效電阻）增大、虛部（等效電感）減小。因此，線圈的等效品質(zhì)因數(shù)下降。電渦流式傳感器的等效電氣參數(shù)都是互感系數(shù)M2的函數(shù)。通?？偸抢闷涞刃щ姼械淖兓M成測量電路，因此，電渦流式傳感器屬于電感式（互感式）傳感器。三、測量電路用于電渦流傳感器的測量電路主要有調(diào)頻式，調(diào)幅式測量電路兩種...

二)磁場的強度在近房間中心的磁場強度與回路中電流的大小和回路數(shù)直接成正比，與回路的直徑成反比例。國際標準(IEC60118—4，BS7594)指出：一個磁場的長期平均輸出功率值應為100mA/m(指每米毫安培)。不得低于70mA/m或高于140mA/m。該值是在回路內(nèi)，距離地板1．2米時測得的磁場垂直面上的強度。允許在言語中出現(xiàn)達到400mA/m的強度峰值、頻率范圍應當覆蓋100Hz—5kHz。在回路中心的直徑a米，有n周圍繞的回路其磁場強度可以用下式計算：H是磁場的強度，用每米毫安培表示，I是電流值的均方根，用安培表示、對一個正方形的回路，大小用a米表示，其磁場強度要比計算的值少10%。如果...

例如塊體積元素(brickvolumetricelement)、部分元素等效電路(peec)或基于體積積分公式的方法，其可以提供對由實際三維電流承載結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的磁場進行估計的進一步的提高。金屬目標通?？梢杂蓪щ姳砻姹硎?。如圖10a所示，算法704在步驟1002處開始。在步驟1002中，獲得描述tx線圈和rx線圈、目標的幾何形狀、氣隙規(guī)范和掃描規(guī)范的pcb跡線設計。這些輸入?yún)?shù)例如可以由算法700提供，要么在算法700的輸入步驟702期間通過初始輸入，要么從來自算法700的線圈調(diào)整步驟712的經(jīng)調(diào)整的線圈設計來提供，如圖7a所示。算法704然后進行到步驟1003。在步驟1003中，算法7...

由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標進...

因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標進行...

為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設計800的示例，其中線圈1028和線圈1026分別與線圈804和線圈806的跡線的一維近似相對應。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標1024中的感應渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標1024通?？梢员唤楸〗饘倨Ｍǔ?，金屬目標1024很薄，為35μm至70μm，而橫...

具體地，提出一種提供經(jīng)優(yōu)化的位置定位傳感器線圈設計的方法。該方法包括：接收線圈設計；利用該線圈設計對位置確定進行仿真，以形成仿真性能；將仿真響應與規(guī)范進行比較以提供比較；以及基于仿真性能和性能規(guī)范之間的比較來修改線圈設計，以獲得更新的線圈設計。下文結(jié)合附圖討論這些和其他實施例。附圖說明圖1a和圖1b示出用于確定目標的位置的線圈系統(tǒng)。圖2a、圖2b、圖2c、圖2d和圖2e示出在整個線圈系統(tǒng)上掃描金屬目標時的接收器線圈的響應。圖3a和圖3b示出線圈系統(tǒng)中的印刷電路板上的接收線圈的配置。圖3c示出由線圈系統(tǒng)中的發(fā)射線圈生成的電磁場的非均一性。圖3d和圖3e示出由線圈系統(tǒng)中的接收器線圈測量的場...

為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設計800的示例，其中線圈1028和線圈1026分別與線圈804和線圈806的跡線的一維近似相對應。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標1024中的感應渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標1024通?？梢员唤楸〗饘倨?。通常，金屬目標1024很薄，為35μm至70μm，而橫...

接收線圈804和接收線圈806跡線和發(fā)射線圈802的中心線被表示為一維路徑。樣條函數(shù)或任何其他插值函數(shù)可用于鏈接一維路徑以形成發(fā)射線圈802和接收線圈804及接收線圈806的形狀。通過應用合適的函數(shù)可以更高效地實現(xiàn)接收線圈的變形。例如，在旋轉(zhuǎn)傳感器中，該函數(shù)將是半徑的函數(shù)。在步驟1102中，在算法712中輸入和接收當前線圈設計布局、仿真結(jié)果以及在一些情況下在步驟706中提供的比較。然后可以使用非線性編程求解器來找到使給定目標函數(shù)小化的發(fā)射線圈802和接收線圈804及接收線圈806的形狀。目標函數(shù)由三部分形成，如圖11所示。在步驟1103中，建立如圖14所示的外部阱1402和外部阱140...

它與電感量L和交流電頻率f的關系為XL=2πfL品質(zhì)因素品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R。它是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。線圈的Q值與導線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應的影響等因素有關。線圈的Q值通常為幾十到幾百。電感器品質(zhì)因數(shù)的高低與線圈導線的直流電阻、線圈骨架的介質(zhì)損耗及鐵心、屏蔽罩等引起的損耗等有關。分布電容任何電感線圈，其匝與匝之間、層與層之間，線圈與參考地之間，線圈與磁屏蔽罩間等都存在一定的電容，這些電容稱為電感...

電渦流式傳感器的等效電路計算方法為：式中，R2為電渦流短路環(huán)等效電阻；h為電渦流的深度（）；ra為短路環(huán)的外徑；ri為短路環(huán)的內(nèi)徑。由基爾霍夫電壓定律有式中ω為線圈與金屬導體的互感系數(shù)。可得等效阻抗為式中Req為產(chǎn)生電渦流效應后線圈的等效電阻，Leq為產(chǎn)生電渦流效應后線圈的等效電感。由于電渦流的影響，線圈復阻抗的實部（等效電阻）增大、虛部（等效電感）減小。因此，線圈的等效品質(zhì)因數(shù)下降。電渦流式傳感器的等效電氣參數(shù)都是互感系數(shù)M2的函數(shù)。通?？偸抢闷涞刃щ姼械淖兓M成測量電路，因此，電渦流式傳感器屬于電感式（互感式）傳感器。三、測量電路用于電渦流傳感器的測量電路主要有調(diào)頻式，調(diào)幅式測量電路兩種...

信號線間的阻值測量，把萬用表定為x1KΩ檔測量信號端子與地線端子之間阻值約為3~10KΩ而且有放電現(xiàn)象，說明信號線完好無損；用萬用表直流檔，測量兩根勵磁線端子時，萬用表指針出現(xiàn)低頻擺動現(xiàn)象，那么流量計勵磁系統(tǒng)運轉(zhuǎn)正常。4.結(jié)語通過以上的工作，就能確保我們在日常的生產(chǎn)中，及時發(fā)現(xiàn)問題并予以處理。而保證流量計正常運行、精確計量，是我們在計量出廠水和銷售水的過程中，不可缺少的重要組成部分。避免水量的流失，減少浪費，對提高企業(yè)的經(jīng)濟效益，起到至關重要的作用。而隨著城市供水需求量的不斷增加，加強計量管理，降低產(chǎn)銷差率，也是我們在今后工作中的主要任務。傳感器線圈哪家專業(yè)，無錫東英電子有限公司值得信賴，還等...

為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設計800的示例，其中線圈1028和線圈1026分別與線圈804和線圈806的跡線的一維近似相對應。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標1024中的感應渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標1024通常可以被建模為薄金屬片。通常，金屬目標1024很薄，為35μm至70μm，而橫...

傳感器是一種檢測裝置，能感受到被測量的信息，并能將感受到的信息，按一定規(guī)律變換成為電信號或其他所需形式的信息輸出，以滿足信息的傳輸、處理、存儲、顯示、記錄和控制等要求。 按被測物理量劃分的傳感器，常見的有：溫度傳感器、濕度傳感器、壓力傳感器、位移傳感器、流量傳感器、液位傳感器、力傳感器、加速度傳感器、轉(zhuǎn)矩傳感器等。 無源傳感器不能直接轉(zhuǎn)換能量形式，但它能控制從另一輸入端輸入的能量或激勵能，傳感器承擔將某個對象或過程的特定特性轉(zhuǎn)換成數(shù)量的工作。 傳感器線圈推薦，無錫東英電子有限公司值得信賴，歡迎有需求的朋友們聯(lián)系我司！重慶傳感器線圈原理在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的...

如圖1a所示和上面討論的，發(fā)射器線圈106、接收線圈104和發(fā)射/接收電路102可以被安裝在單個pcb上。此外，pcb可以被定位成使得金屬目標124被定位在接收線圈104上方并且與接收線圈104間隔開特定間隔，即氣隙(ag)。金屬目標124相對于其上安裝接收線圈104和發(fā)射器線圈106的pcb的位置可以通過處理由正弦定向線圈112和余弦定向線圈110生成的信號來確定。下面，描述在理論上理想的條件下對金屬目標124相對于接收線圈104的位置的確定。在圖1b中，金屬目標124位于位置。在該示例中，圖1b和圖2a、圖2b和圖2c描繪線性位置定位器系統(tǒng)的操作。線性定位器和圓形定位器二者的操作原...

電感線圈是利用電磁感應的原理進行工作的器件。當有電流流過一根導線時，就會在這根導線的周圍產(chǎn)生一定的電磁場，而這個電磁場的導線本身又會對處在這個電磁場范圍內(nèi)的導線發(fā)生感應作用。對產(chǎn)生電磁場的導線本身發(fā)生的作用，叫做“自感“，即導線自己產(chǎn)生的變化電流產(chǎn)生變化磁場，這個磁場又進一步影響了導線中的電流；對處在這個電磁場范圍的其他導線產(chǎn)生的作用，叫做“互感“。電感線圈的電特性和電容器相反，“通低頻，阻高頻“。高頻信號通過電感線圈時會遇到很大的阻力，很難通過；而對低頻信號通過它時所呈現(xiàn)的阻力則比較小，即低頻信號可以較容易的通過它。電感線圈對直流電的電阻幾乎為零。電阻，電容和電感，他們對于電路中電信號的流動...

如圖2b所示，在正弦定向線圈112中，金屬目標124完全覆蓋環(huán)路116，并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標124覆蓋。因此va＝-1、v...

也就是磁力線的方向)是環(huán)繞著電流的一些閉合曲線，磁力線和由此產(chǎn)生的磁通量(可以被看做磁力的流動)，是一些位于垂直于電流的平面上的同心圓，是圍繞產(chǎn)生它們的電流呈環(huán)形流動的?？拷娏鞯牡胤酱艌鲚^強，離電流遠的地方，磁力和磁流就越弱。磁力線方向與電流方向的關系可以用右手螺旋法則來判定。將右手握住導線，拇指伸直，如果拇指電流方向，彎曲的手指磁場環(huán)繞方向。當線圈安裝在地板上，而助聽器佩戴者是坐著或站著時，在回路中，在頭部高度的磁力線以水平為主。這樣，在頭部高度，磁場的垂直部分就有一個近乎持續(xù)的量幾乎覆蓋整個房間。剛進人回路處是個例外，那里，除了垂直部分很弱外，整個磁場都較強。以上特性很重要，因為助...

為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設計800的示例，其中線圈1028和線圈1026分別與線圈804和線圈806的跡線的一維近似相對應。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標1024中的感應渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標1024通常可以被建模為薄金屬片。通常，金屬目標1024很薄，為35μm至70μm，而橫...