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來源: 發(fā)布時間:2023-01-10

提問者所說的“把兩個整流二極管負負相接可以代替穩(wěn)壓二極管嗎?”,這里明確告訴你,不能夠。見下圖所示。穩(wěn)壓二極管是一種工作于反向擊穿狀態(tài)下的二極管,其工作時的伏安特性曲線與開關(guān)二極管完全不一樣,見下圖所示。穩(wěn)壓二極管是二極管中的一種特殊形式的二極管,它與普通二極管工作范圍恰恰是取在擊穿區(qū)域。它有兩個特點:①當工作在擊穿區(qū)時,只要通過這個二極管的反向電流小于<這個二極管的比較大允許電流,或者說這個二極管上耗散功率不超過最大耗散功率,則穩(wěn)壓管是不會損壞的,它能正常工作。②穩(wěn)壓二極管在一定電壓下具有快速擊穿的特性。上圖所示是穩(wěn)壓二極管2CW1的特性曲線圖。其主要參數(shù)有:a.穩(wěn)定Uz……在圖中為8V;b.穩(wěn)定電流Iz……它指穩(wěn)定電壓特性比較好的一點的電流值,從上圖可知為5mA。通常穩(wěn)壓二極管工作電流大于此值。c.比較大穩(wěn)定電流Izm……指穩(wěn)壓二極管工作時允許通過的最大電流。圖中表示為33mA;d.最大耗散功率Pzm……在穩(wěn)壓電壓下,電流增大到某一數(shù)值Izm時,管子中發(fā)出的熱量使管子損壞的功率。圖中所示為250mW,Pzm=Uz×Izm。e.穩(wěn)壓二極管的“動態(tài)電阻ψs”……在工作區(qū)域內(nèi),穩(wěn)壓二極管二端電壓的變化與電流的變化的比值。強茂二極管找巨新科。無錫樂山無線電二極管銷售

    本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域,涉及一種基于負電源電壓對雪崩光電二極管的偏置電壓進行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù):單光子探測技術(shù)是近年來剛剛發(fā)展起來的一種基于單光子的新式探測技術(shù),它可以實現(xiàn)對極微弱光信號的檢測。在目前所用的光電探測器中,具有單光子探測能力的探測器主要有兩種,即光電倍增管(photomultipliertube,pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode,apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點,因此被廣泛應用。雪崩光電二極管apd探測器根據(jù)其偏置電壓的不同,可分為線性和蓋革兩種工作模式。工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管apd被稱為單光子雪崩二極管,具有單光子探測能力,被廣泛應用于單光子探測技術(shù)。單光子探測技術(shù)可被用于光子測距、**、熒光壽命測量等各方面。隨著對探測器分辨率要求的提高,單光子探測技術(shù)正在向集成大陣列方向發(fā)展,陣列探測的一致性成為重要指標。apd陣列的靈敏度與偏壓相關(guān),但是由于apd陣列存在雪崩擊穿電壓不均勻分布的問題,因此比較高偏壓被陣列中比較低擊穿電壓的像素所限制,apd陣列中將有大量像素處在偏壓不足的狀態(tài)。肖特基 二極管哪里買深圳整流二極管只招巨新科。

    在延遲熒光摻雜劑“td”和磷光摻雜劑“pd”中產(chǎn)光。換言之,當eml150包含延遲熒光摻雜劑152并且包含特定重量百分比條件(例如不大于5重量%)的磷光摻雜劑154時,延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發(fā)光,使得oledd1的色彩連續(xù)性得到改善。[oled]將陽極(ito,)、hil(式9,)、htl(式10,)、ebl(式11,)、eml(基質(zhì)(式12)和摻雜劑)、hbl(式13,)、etl(式14,)、eil(lif)和陰極(al)順序堆疊以形成oled。1.比較例1(ref1)使用式15的延遲熒光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):70重量%,摻雜劑:30重量%)2.比較例2(ref2)使用式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):95重量%,摻雜劑:5重量%)3.實施例1(ex1)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):65重量%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:5重量%)4.實施例2(ex2)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):67重量%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:3重量%)5.實施例3(ex3)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):69重量%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:1重量%)6.實施例4。

    r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外,m為2至5的整數(shù),n為1至3的整數(shù),以及m+n小于或等于6。例如,延遲熒光摻雜劑152可以選自式2。[式2]延遲熒光摻雜劑152可以由式3表示。[式3]在式3中,r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外,a和b分別由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。[式3-1][式3-2]例如,式3的延遲熒光摻雜劑152可以選自式4。[式4]磷光摻雜劑154可以由式5表示。[式5]在式5中,r1至r4各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺,以及r1與r2或r2與r3或r3與r4結(jié)合形成稠合的c6-c30芳族環(huán)。此外,n為1至3的整數(shù)。例如,磷光摻雜劑154可以選自式6。[式6]相對于延遲熒光摻雜劑152,磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5%。例如,磷光摻雜劑154相對于延遲熒光摻雜劑152的重量百分比可以為約%至%,并且推薦約%至%。盡管未示出,但eml150還包含基質(zhì)。在eml150中。樂山肖特基二極管原裝現(xiàn)貨。

    eml240包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑242和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑244。在形成有有機發(fā)光層290的基板310上方形成有第二電極230。第二電極230覆蓋顯示區(qū)的整個表面,并且可以由具有相對低的功函數(shù)的導電材料形成以用作陰極。例如,第二電極230可以由鋁(al)、鎂(mg)或al-mg合金形成。由于來自有機發(fā)光層290的光穿過第二電極230入射到濾色器層380,因此第二電極230具有薄的外觀,使得光穿過第二電極230。電極220、有機發(fā)光層290和第二電極230構(gòu)成oledd2。濾色器層380被定位在oledd2上或在oledd2上方,并且包括分別對應于紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的紅色濾色器圖案382、綠色濾色器圖案384和藍色濾色器圖案386。盡管未示出,但是濾色器層380可以通過粘合層附接至oledd2?;蛘?,濾色器層380可以直接形成在oledd2上。此外,可以形成封裝膜以覆蓋oledd2從而防止水分滲入oledd2中。例如,封裝膜可以包括順序堆疊的無機絕緣層、有機絕緣層和第二無機絕緣層,但是不限于此。封裝膜可以省略。此外,可以在第二基板370的外側(cè)布置用于減少環(huán)境光反射的偏光板。例如,偏光板可以為圓形偏光板。偏光板可以省略。在圖6中,來自oledd2的光被設(shè)置成穿過第二電極230。巨新科強茂肖特基二極管原裝現(xiàn)貨。無錫貼片二極管企業(yè)

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    cgl280被定位在發(fā)光部分250與第二發(fā)光部分270之間。即,發(fā)光部分250和第二發(fā)光部分270通過cgl280連接。cgl280可以為包括n型cgl282和p型cgl284的p-n結(jié)型cgl。n型cgl282被定位在etl256與第二htl272之間,p型cgl284被定位在n型cgl282與第二htl272之間。在圖5中,與作為陽極的電極220相鄰的eml240包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑242和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑244,與作為陰極的第二電極230相鄰的第二eml260包含藍色摻雜劑262?;蛘?,與作為陽極的電極220相鄰的eml240可以包含藍色摻雜劑,與作為陰極的第二電極230相鄰的第二eml260可以包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑。在oledd2中,發(fā)光部分250中的eml240包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑242和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑244,并且磷光摻雜劑244相對于延遲熒光摻雜劑242的重量百分比等于或小于約5%,推薦等于或小于約%。因此,由發(fā)光部分250提供紅色波長范圍的光和綠色波長范圍的光。因此,包括發(fā)光部分250和包含藍色摻雜劑262的第二發(fā)光部分270的oledd2發(fā)射白光。圖6是根據(jù)本公開內(nèi)容的顯示裝置的示意性截面圖。圖6的顯示裝置包括圖5的根據(jù)第二實施方案的oled。如圖6所示。無錫樂山無線電二極管銷售

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