電容都有一定的直流偏置，電容量比標(biāo)稱值小很多，所以要注意實際容值是否滿足設(shè)計要求。紋波電流作為DCDC的輸入和輸出電容，都會有一定的紋波電流，由于ESR的存在會導(dǎo)致一定的溫升。加上環(huán)境溫度，不能超過電容的額定溫度，例如X5R電容極高額度溫度是85℃。通常由于多層陶瓷電容ESR較小，能承受的紋波電流較大。自諧振頻率電容由于ESL的存在，都有一個自諧振頻率。大容量的電容，自諧振頻率較低，只有1-2MHz。所以，為了提高電源的高頻效應(yīng)，大量小容值的去耦電容是必須的。此外，對于開關(guān)頻率很高的DCDC芯片，要注意輸入輸出電容的自諧振頻率。ESR設(shè)計DCDC電路，需要知道輸出電容的ESR，來計算輸出電壓紋波。多層陶瓷電容的ESR通常較低，大約幾到幾十毫歐。5安規(guī)電容對于我們家用的電子設(shè)備，極終都是220V交流市電供電。電源適配器為了減少對電網(wǎng)的干擾，通過相關(guān)EMC測試，都會加各種濾波電容。下圖為一個簡易的電路示意圖：對于L和N之間的電容叫X電容，L、N與PE或GND之間的電容叫Y電容。由于220V交流電具有危險性，會威脅人的人身安全，電子產(chǎn)品都需要滿足相關(guān)安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，例如GB4943和UL60950的相關(guān)測試要求。因此，X電容和Y電容與這些測試直接相關(guān)，所以也叫安規(guī)電容。原裝風(fēng)華電容采購就找巨新科。龍崗區(qū)高壓電容觸摸屏
它們的單位都是pF。如:102表示標(biāo)稱容量為1000pF。331表示標(biāo)稱容量為330pF。474表示標(biāo)稱容量為47x10(4)pF。在這種表示法中有一個特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時，是用有效數(shù)宇乘上來表示容量大小。如:229表示標(biāo)稱容量為允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%電容器的特性與用途通交隔直：作用是阻止直流通過而讓交流通過。如圖中的電容C1和C2，分析三極管工作狀態(tài)時，直流等效電路將電容視為開路，微變等效電路將電容視為短路，從而簡化了電路的分析運算。交流旁路(去耦)：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。比如下面的電路，可以將高頻信號旁路。交流耦合：作為兩個電路之間的連接，允許交流信號通過并傳輸?shù)较乱患夒娐分绷麟娫礊V波：比如二極管橋式整流后面，用于平滑電流。溫度補償：針對其它元件對溫度的適應(yīng)性不夠帶來的影響，而進(jìn)行補償，改善電路的穩(wěn)定性。計時：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時間常數(shù)，時間常數(shù)t=RC。調(diào)諧：對與頻率相關(guān)的電路進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)諧，比如手機、收音機、電視機。儲能：比如超級電容器，儲存電能，用于必須要的時候釋放。例如相機閃光燈，加熱設(shè)備等等。超級電容器。龍崗區(qū)車規(guī) 電容觸摸屏華強北國巨正規(guī)代理商。
以抗電強度測試為例，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，L、N側(cè)為一次電路，需要與PE或GND之間為基本絕緣。因此，需要在L或N對GND之間加交流，持續(xù)近1分鐘，期間相關(guān)漏電流不能超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定值。因此，安規(guī)電容，有相當(dāng)高的耐壓要求，同時直流漏電流不能太大。常用的RJ45網(wǎng)口，為了減小EMI，常用到Bob-Smith電路，如下圖所示：可以看到電容的耐壓都是2kV以上，因為網(wǎng)口通常有變壓器，220V交流電的L和N到網(wǎng)線有兩個變壓器隔離，是雙重絕緣，L和N到網(wǎng)線之間也要進(jìn)行抗電強度測試。雙重絕緣，通常要求通過交流3kV或直流。安規(guī)電容有高耐壓要求，通常使用瓷片電容或者小型薄膜電容。器件選型還要主要兩點要求：和結(jié)構(gòu)確認(rèn)器件的長寬高；對插件封裝器件不多時，是不是可以全部使用表貼器件，這樣可以省掉波峰焊的工序。
QualityFactor)和電感一樣，可以定義電容的品質(zhì)因數(shù)，也就是Q值，也就是電容的儲存功率與損耗功率的比：Qc=(1/ωC)/ESRQ值對高頻電容是比較重要的參數(shù)。自諧振頻率(Self-ResonanceFrequency)由于ESL的存在，與C一起構(gòu)成了一個諧振電路，其諧振頻率便是電容的自諧振頻率。在自諧振頻率前，電容的阻抗隨著頻率增加而變小；在自諧振頻率后，電容的阻抗隨著頻率增加而變小，就呈現(xiàn)感性；如下圖所示：圖出自TaiyoYuden的EMK042BJ332MC-W規(guī)格書二、電容的工藝與結(jié)構(gòu)根據(jù)電容公式，電容量的大小除了與電容的尺寸有關(guān)，與電介質(zhì)的介電常數(shù)(Permittivity)有關(guān)。電介質(zhì)的性能影響著電容的性能，不同的介質(zhì)適用于不同的制造工藝。常用介質(zhì)的性能對比，可以參考AVX的一篇技術(shù)文檔。AVXDielectricComparisonChart電容的制造工藝主要可以分為三大類：·薄膜電容(FilmCapacitor)·電解電容(ElectrolyticCapacitor)·陶瓷電容(CeramicCapacitor)1薄膜電容(FilmCapacitor)FilmCapacitor在國內(nèi)通常翻譯為薄膜電容，但和ThinFilm工藝是不一樣的。為了區(qū)分，個人認(rèn)為直接翻譯為膜電容好點。薄膜電容是通過將兩片帶有金屬電極的塑料膜卷繞成一個圓柱形，極后封裝成型；由于其介質(zhì)通常是塑料材料。華南風(fēng)華電容代理商公司。
當(dāng)然電容價格也會高一些。電容的用途非常多，主要有如下幾種：隔直流：作用是阻止直流通過而讓交流通過。旁路（去耦）：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。耦合：作為兩個電路之間的連接，允許交流信號通過并傳輸?shù)较乱患夒娐窞V波：這個對DIY而言很重要，顯卡上的電容基本都是這個作用。溫度補償：針對其它元件對溫度的適應(yīng)性不夠帶來的影響，而進(jìn)行補償，改善電路的穩(wěn)定性。計時：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時間常數(shù)。調(diào)諧：對與頻率相關(guān)的電路進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)諧，比如手機、收音機、電視機。整流：在預(yù)定的時間開或者關(guān)半閉導(dǎo)體開關(guān)元件。儲能：儲存電能，用于必須要的時候釋放。例如相機閃光燈，加熱設(shè)備等等。（如今某些電容的儲能水平已經(jīng)接近鋰電池的水準(zhǔn)，一個電容儲存的電能可以供一個手機使用。國巨高頻電容原裝現(xiàn)貨。羅湖區(qū)Y電容
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經(jīng)營范圍包括一般經(jīng)營項目是：一般經(jīng)營項目是：投資興辦實業(yè)（具體項目另行申報）；電子產(chǎn)品、電子元器件、電腦配件、電腦軟件的研發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易（不含專營、專控、專賣商品）；貨物及技術(shù)進(jìn)出口: 經(jīng)營電子商務(wù)；自有房屋租賃。將迎來新一輪的創(chuàng)新周期，在新一輪創(chuàng)新周期中，國產(chǎn)替代趨勢有望進(jìn)一步加強。公司所處的本土電子元器件授權(quán)分銷行業(yè)，近年來進(jìn)入飛速整合發(fā)展期，產(chǎn)業(yè)集中度不斷提升，規(guī)?；⑵脚_化趨勢加強。電子元器件應(yīng)用領(lǐng)域十分寬泛，幾乎涉及到國民經(jīng)濟各個工業(yè)部門和社會生活各個方面，既包括電力、機械、礦冶、交通、化工、輕紡等傳統(tǒng)工業(yè)，也涵蓋航天、激光、通信、高速軌道交通、機器人、電動汽車、新能源等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。努力開發(fā)國際經(jīng)營范圍包括一般經(jīng)營項目是：一般經(jīng)營項目是：投資興辦實業(yè)（具體項目另行申報）；電子產(chǎn)品、電子元器件、電腦配件、電腦軟件的研發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易（不含專營、?？亍Ｙu商品）；貨物及技術(shù)進(jìn)出口: 經(jīng)營電子商務(wù)；自有房屋租賃。原廠和國內(nèi)原廠的代理權(quán)，開拓前沿應(yīng)用垂直市場，如數(shù)據(jù)中心、5G基礎(chǔ)設(shè)施、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、新能源、醫(yī)治等領(lǐng)域的重點器件和客戶消息，持續(xù)開展分銷行業(yè)及其上下游的并購及其他方式的擴張。而LED芯片領(lǐng)域，隨著產(chǎn)業(yè)從顯示端向照明端演進(jìn)，相應(yīng)的電子元器件廠商也需要優(yōu)化貿(mào)易型，才能為自身業(yè)務(wù)經(jīng)營帶來確定性。因此，從需求層面來看，電子元器件市場的發(fā)展前景極為可觀。龍崗區(qū)高壓電容觸摸屏
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