附圖說明此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中：圖1是根據本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制系統的結構框圖一；圖2是根據發(fā)明實施例的壓降和溫度的初始工作統計示意圖；圖3是根據發(fā)明實施例的壓降和電流的初始工作統計示意圖；圖4是根據本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制系統的結構框圖二；圖5是根據本發(fā)明實施例的運放差分輸入電路的示意圖；圖6是根據本發(fā)明實施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖；圖7是根據本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖。具體實施方式下文中將參考附圖并結合實施例來詳細說明本發(fā)明。需要說明的是，在不矛盾的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。本發(fā)明的實施例提供了一種發(fā)光二極管的控制系統，圖1是根據本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制系統的結構框圖一，如圖1所示，該系統包括：發(fā)光二極管11、驅動板12、電壓采集電路13、溫度采集電路14和微控制器15；該溫度采集電路14獲取該發(fā)光二極管11良好溫度值，并發(fā)送給該微控制器15；該電壓采集電路14獲取該發(fā)光二極管11的壓差值。強茂車規(guī)級二極管原裝現貨。整流二極管企業(yè)
顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向濾色器層380提供白光?；?10和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導體層322。半導體層322可以包含氧化物半導體材料或多晶硅。當半導體層322包含氧化物半導體材料時，可以在半導體層322下方形成光屏蔽圖案(未示出)。到半導體層322的光被光屏蔽圖案屏蔽或阻擋，使得可以防止半導體層322的熱降解。另一方面，當半導體層322包含多晶硅時，可以在半導體層322的兩側中摻雜雜質。在半導體層322上形成有柵極絕緣層324。柵極絕緣層324可以由無機絕緣材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在柵極絕緣層324上形成有由導電材料(例如金屬)形成的柵極電極330以與半導體層322的中心相對應。在圖6中，柵極絕緣層324形成在基板310的整個表面上?；蛘?。潮州panjit二極管哪家公司好樂山大功率二極管原裝現貨。
陣列探測器的性能受到嚴重影響，制約其陣列規(guī)模。目前，可通過調節(jié)apd偏置電壓的方法來提高陣列探測器性能的均勻性。傳統方案采用dac(digitaltoanalogconverter,數模轉換器)和ldo(lowdropoutregulator,低壓差線性穩(wěn)壓器)結構相結合的調節(jié)方式來調節(jié)apd的偏置電壓，即dac產生同時調節(jié)數個像素的基準電壓作為ldo中誤差放大器的輸入，隨后ldo結構根據dac提供的基準電壓來實現apd偏置電壓的調節(jié)。但是這種調節(jié)方式中l(wèi)do面積大且不能實現單個像素的調節(jié)，此外ldo有限的帶寬較難實現apd快速充放電過程中的電壓穩(wěn)定性。技術實現要素：針對傳統apd偏置電壓調節(jié)方式中存在的面積大、不能實現單個像素的調節(jié)、電壓穩(wěn)定性不高等不足之處，本發(fā)明提出一種調節(jié)雪崩光電二極管apd偏置電壓的方法，基于負壓進行調節(jié)，擴大了apd偏置電壓的調節(jié)范圍，且能夠實現逐像素可調的apd充電置位電壓，有利于提升apd陣列的探測靈敏度，且具有面積小、響應速度快、電壓準確度高等優(yōu)點。本發(fā)明的技術方案為：基于負壓調節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調節(jié)電路，包括像素外偏置電壓產生模塊和像素內偏壓調節(jié)模塊。
利用運放將四pmos管mp4的源極電壓和二pmos管mp2的源極電壓分別鉗位至0v和步進電壓，利用一pmos管mp1和三pmos管mp3產生像素內的偏置電流；在像素內利用電流鏡單元鏡像一pmos管mp1和三pmos管mp3產生的偏置電流，一電流鏡單元通過數字開關控制像素內的比例電流鏡鏡像偏置電流的比例，從而實現雪崩光電二極管apd偏置電壓的步進調節(jié)；通過引入負電源電壓，擴大了apd偏置電壓的調節(jié)范圍，有利于提高apd陣列的均勻性和電壓穩(wěn)定性，提升光子探測的靈敏度；提出以pmos源極，而不是ldo電路中的漏極產生步進電壓，具有面積小、響應速度快，電壓準確度高等優(yōu)點；像素外的運放采用折疊式共源共柵運放結構時，選擇pmos管作為輸入對管用于增大共模輸入范圍，另外將p輸入對管的襯底接到比較高電位，能夠使得輸入對管的閾值電壓因襯底偏置效應而增大。附圖說明圖1為本發(fā)明提出的基于負壓調節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調節(jié)電路的一種電路實現結構框圖。圖2為本發(fā)明提出的基于負壓調節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調節(jié)電路中一運算放大器在實施例中采用折疊式共源共柵運放的電路原理圖。圖3為本發(fā)明提出的基于負壓調節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調節(jié)電路在不同配置的情況下apd接口電壓的仿真波形示意圖。廣東強茂二極管代理商公司。
折疊式共源共柵運放結構的一運算放大器op1包括十pmos管m1、十一pmos管m2、十二pmos管m3、十三pmos管m4、十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8、十八pmos管m9、十九pmos管m10、一nmos管m11、二nmos管m12、三nmos管m13、四nmos管m14、五nmos管m15、六nmos管m16、七nmos管m17、八nmos管m18和四電阻r0，其中十八pmos管m9和十九pmos管m10作為一運算放大器op1的輸入對管，其襯底均連接電源電壓；六nmos管m16的柵極連接七nmos管m17和八nmos管m18的柵極以及五nmos管m15的柵極和漏極并連接基準電流iref，其源極連接八nmos管m18的漏極，其漏極連接十一pmos管m2、十三pmos管m4、十五pmos管m6和十七pmos管m8的柵極以及四電阻r0的一端；七nmos管m17的漏極連接五nmos管m15的源極，其源極連接八nmos管m18、三nmos管m13和四nmos管m14的源極并接地；十pmos管m1的柵極連接十二pmos管m3、十四pmos管m5和十六pmos管m7的柵極、十一pmos管m2的漏極和四電阻r0的另一端，其源極連接十二pmos管m3、十四pmos管m5和十六pmos管m7的源極并連接電源電壓，其漏極連接十一pmos管m2的源極；十二pmos管m3的漏極連接十三pmos管m4的源極，十四pmos管m5的漏極連接十五pmos管m6的源極。樂山整流二極管原裝現貨。無錫品牌二極管穩(wěn)壓
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20.根據實施方案19所述的有機發(fā)光二極管，其中所述第二磷光摻雜劑相對于所述第二延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內。21.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：基板；有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：電極；面向所述電極的第二電極；以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在所述電極與所述第二電極之間的發(fā)光材料層；以及布置在所述基板與所述有機發(fā)光二極管之間并與所述有機發(fā)光二極管連接的薄膜晶體管，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。22.根據實施方案20所述的有機發(fā)光顯示裝置，還包括：布置在所述基板與所述有機發(fā)光二極管之間或在所述有機發(fā)光二極管上方的濾色器層。23.一種照明裝置，包括：基板；以及有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：電極；面向所述電極的第二電極；以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在所述電極與所述第二電極之間的發(fā)光材料層，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。整流二極管企業(yè)
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