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    可以將流過一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進(jìn)行復(fù)制，如當(dāng)只有一開關(guān)s1閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^一pmos管mp1的電流按1:1的比例進(jìn)行復(fù)制，當(dāng)一開關(guān)s1和二開關(guān)s2同時(shí)閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^一pmos管mp1的電流按1:3的比例進(jìn)行復(fù)制，當(dāng)一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^一pmos管mp1的電流按1:7的比例進(jìn)行復(fù)制。按照相同的原理可以設(shè)置多種開關(guān)組合實(shí)現(xiàn)想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管mp3的電流，如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實(shí)現(xiàn)形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極，其源極連接電源電壓，其漏極連接二電流鏡單元的輸出端。像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊中三電阻r3和五pmos管mp5分別與像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中的一電阻r1和二pmos管mp2、二電阻r2和四pmos管mp4鉗位對(duì)稱，再利用一電流鏡單元和二電流鏡單元鏡像的電流，可以控制五pmos管mp5的源極處產(chǎn)生的浮動(dòng)地電壓大小。本實(shí)施例中一pmos管mp1柵極引出一電流鏡單元偏置電壓為一電流鏡單元的六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8供電，比例電流鏡結(jié)構(gòu)按不同比例鏡像一pmos管mp1的電流使得像素內(nèi)的五pmos管mp5的源極電壓達(dá)到步進(jìn)電壓的整數(shù)倍大小。捷捷微穩(wěn)壓二極管原裝現(xiàn)貨。揭陽(yáng)激光二極管哪家公司好

    r2＝r4，輸出的電壓vout如公式2所示：vout接入到微控制器15的模數(shù)轉(zhuǎn)換的ad采樣口，該微控制器15完成對(duì)該發(fā)光二極管11壓差值的采樣。在一個(gè)實(shí)施例中，該溫度采集電路14獲取發(fā)光二極管11的溫度可以有多種方式，其中，在該溫度采集電路14采用熱敏電阻(negativetemperaturecoefficient，簡(jiǎn)稱為ntc)電路的情況下，溫度采集電路14使用ntc方案，ntc體積小，可以離該發(fā)光二極管11非常近，同時(shí)精度高，靈敏度高，費(fèi)用低，非常合適用來測(cè)量該發(fā)光二極管11的工作溫度。ntc的阻值隨著溫度的升高而降低，圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖，如圖6所示，將ntc與一個(gè)高精度電阻r1串聯(lián)，當(dāng)ntc阻值變化時(shí)，ntc上分到的電壓也隨之改變。后面的運(yùn)放構(gòu)成一個(gè)電壓跟隨器，提高輸出信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力，減少受到干擾的可能。電路輸出電平值vout如公式3所示：vout接到微控制器15的模數(shù)轉(zhuǎn)換的ad采樣口，完成該輸出電平值的采集。微控制器15根據(jù)如下的公式4將vout轉(zhuǎn)化為ntc當(dāng)前溫度的阻值，再與該ntc廠家提供的溫度-阻值曲線圖對(duì)比，得出當(dāng)前ntc的溫度，也就是該發(fā)光二極管11當(dāng)前的工作溫度。上述溫度采集電路14。北京穩(wěn)壓二極管公司華南樂山二極管代理商公司。

    附圖說明此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖一；圖2是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和溫度的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖；圖3是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和電流的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖二；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的運(yùn)放差分輸入電路的示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖。具體實(shí)施方式下文中將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。需要說明的是，在不矛盾的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)，圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖一，如圖1所示，該系統(tǒng)包括：發(fā)光二極管11、驅(qū)動(dòng)板12、電壓采集電路13、溫度采集電路14和微控制器15；該溫度采集電路14獲取該發(fā)光二極管11良好溫度值，并發(fā)送給該微控制器15；該電壓采集電路14獲取該發(fā)光二極管11的壓差值。

    柵極絕緣層324可以被圖案化成具有與柵極電極330相同的形狀。在柵極電極330上形成有由絕緣材料形成的層間絕緣層332。層間絕緣層332可以由無(wú)機(jī)絕緣材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或有機(jī)絕緣材料(例如苯并環(huán)丁烯或光壓克力(photo-acryl))形成。層間絕緣層332包括暴露半導(dǎo)體層322的兩側(cè)的接觸孔334和第二接觸孔336。接觸孔334和第二接觸孔336被定位在柵極電極330的兩側(cè)以與柵極電極330間隔開。接觸孔334和第二接觸孔336形成為穿過柵極絕緣層324?；蛘?，當(dāng)柵極絕緣層324被圖案化成具有與柵極電極330相同的形狀時(shí)，接觸孔334和第二接觸孔336形成為只穿過層間絕緣層332。在層間絕緣層332上形成有由導(dǎo)電材料(例如金屬)形成的源電極340和漏電極342。源電極340和漏電極342相對(duì)于柵極電極330彼此間隔開，并且分別通過接觸孔334和第二接觸孔336接觸半導(dǎo)體層322的兩側(cè)。半導(dǎo)體層322、柵極電極330、源電極340和漏電極342構(gòu)成tfttr。tfttr用作驅(qū)動(dòng)元件。在tfttr中，柵極電極330、源電極340和漏電極342被定位在半導(dǎo)體層322上方。即，tfttr具有共面結(jié)構(gòu)。或者，在tfttr中，柵極電極可以被定位在半導(dǎo)體層下方，并且源電極和漏電極可以被定位在半導(dǎo)體層上方，使得tfttr可以具有倒置交錯(cuò)結(jié)構(gòu)。華南捷捷微二極管代理商公司。

    ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)7.實(shí)施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)8.實(shí)施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)9.實(shí)施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)10.實(shí)施例8(ex8)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：20重量％，磷光摻雜劑：％)11.實(shí)施例9(ex9)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：20重量％，磷光摻雜劑：％)12.實(shí)施例10(ex10)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：40重量％，磷光摻雜劑：％)13.實(shí)施例11(ex11)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％。強(qiáng)茂二極管找巨新科。遼寧強(qiáng)茂二極管公司

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    2.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑具有比較大發(fā)射波長(zhǎng)，以及所述磷光摻雜劑具有比所述比較大發(fā)射波長(zhǎng)更長(zhǎng)的第二比較大發(fā)射波長(zhǎng)。3.根據(jù)實(shí)施方案2所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑相對(duì)于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內(nèi)。4.根據(jù)實(shí)施方案3所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑相對(duì)于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內(nèi)。5.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑由式1表示：[式1]其中r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺，以及其中m為2至5的整數(shù)，n為1至3的整數(shù)，以及m+n小于或等于6。6.根據(jù)實(shí)施方案5所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑選自式2：[式2]7.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑由式3表示：[式3]其中r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。揭陽(yáng)激光二極管哪家公司好

深圳市巨新科電子有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來、有夢(mèng)想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍(lán)圖，在廣東省等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來公司能成為*****，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**深圳市巨新科電子供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場(chǎng)，我們一直在路上！