廣東電容器組

    性能可以差距很大，總之陽極對(duì)于電容性能的影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于陰極。可變電容器空氣介質(zhì)可變電容器可變電容量：100--1500p主要特點(diǎn)是損耗小，效率高；可根據(jù)要求制成直線式、直線波長(zhǎng)式、直線頻率式及對(duì)數(shù)式等。應(yīng)用：電子儀器，廣播電視設(shè)備等薄膜介質(zhì)可變電容器可變電容量：15--550p主要特點(diǎn)：體積小，重量輕；損耗比空氣介質(zhì)的大。應(yīng)用：通訊，廣播接收機(jī)等薄膜介質(zhì)微調(diào)電容器可變電容量：1--29p主要特點(diǎn)：損耗較大，體積小應(yīng)用：收錄機(jī)，電子儀器等電路作電路補(bǔ)償陶瓷介質(zhì)微調(diào)電容器可變電容量：主要特點(diǎn)：損耗較小，體積較小應(yīng)用于精密調(diào)諧的高頻振蕩回路獨(dú)石電容容量范圍：ΜF(xiàn)耐壓：二倍額定電壓。應(yīng)用范圍：廣泛應(yīng)用于電子精密儀器。各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。獨(dú)石又叫多層瓷介電容，分兩種類型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一種叫II型，容量大，但性能一般。簡(jiǎn)單的平行板電容器是由一個(gè)絕緣的中間介質(zhì)層加外兩個(gè)導(dǎo)電的金屬電極。多層片式陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)主要包括三大部分：陶瓷介質(zhì)，金屬內(nèi)電極，金屬外電極。它是一個(gè)多層疊合的結(jié)構(gòu)，由多個(gè)簡(jiǎn)單平行板電容器的并聯(lián)體。獨(dú)石電容的特點(diǎn)：電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定。風(fēng)華高頻電容原裝現(xiàn)貨。廣東電容器組

    電容并聯(lián)電路分析并聯(lián)后的等效電容容量等于各個(gè)電容容量之和。并聯(lián)后的各個(gè)電容兩端電壓相等；并聯(lián)后的耐壓取決于耐壓小的那個(gè)電容電壓。電容器的類型電容器是一種兩塊導(dǎo)體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件。電容的類型按照容量是否可變分為固定電容器和可變電容器兩大類；按照介質(zhì)類型可分為無機(jī)介質(zhì)電容器、有機(jī)介質(zhì)電容器和電解電容器三大類。不同介質(zhì)的電容，在結(jié)構(gòu)、成本、特性、用途方面都大不相同。無機(jī)介質(zhì)電容器：包括陶瓷電容以及云母電容等。在CPU上我們會(huì)經(jīng)?？吹教沾呻娙?。陶瓷電容的綜合性能很好，可以應(yīng)用GHz級(jí)別的超高頻器件上，比如CPU/GPU。當(dāng)然，它的價(jià)格也很貴。云母電容（CY）電容量：10p--0。1μ額定電壓：100V--7kV主要特點(diǎn)：高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小。應(yīng)用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路高頻瓷介電容（CC）電容量：1--6800p額定電壓：63--500V主要特點(diǎn)：高頻損耗小，穩(wěn)定性好。應(yīng)用于高頻電路。低頻瓷介電容（CT）電容量：10p--4。7μ額定電壓：50V--100V主要特點(diǎn)：體積小，價(jià)廉，損耗大，穩(wěn)定性差。應(yīng)用：要求不高的低頻電路玻璃釉電容（CI）電容量：10p--0。1μ額定電壓：63--400V主要特點(diǎn)：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫。福田區(qū)安規(guī)電容麥克風(fēng)風(fēng)華車規(guī)電容原裝現(xiàn)貨。

    精度等級(jí)與允許誤差對(duì)應(yīng)關(guān)系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-。+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級(jí)，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級(jí)，根據(jù)用途選取。額定電壓在低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的長(zhǎng)久損壞。電容器應(yīng)用在高壓場(chǎng)合時(shí)，必須注意電暈的影響。電暈是由于在介質(zhì)/電極層之間存在空隙而產(chǎn)生的，它除了可以產(chǎn)生損壞設(shè)備的寄生信號(hào)外，還會(huì)導(dǎo)致電容器介質(zhì)擊穿。在交流或脈動(dòng)條件下，電暈特別容易發(fā)生。對(duì)于所有的電容器，在使用中應(yīng)保證直流電壓與交流峰值電壓之和不的超過直流電壓額定值。絕緣電阻直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.當(dāng)電容較小時(shí)，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越小越好。電容的時(shí)間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。損耗角正切(tgδ)：電容在電場(chǎng)作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。

    Multi-layerCeramicCapacitor)多層陶瓷電容，也就是MLCC，片狀(Chip)的多層陶瓷電容是目前世界上使用量極大的電容類型，其標(biāo)準(zhǔn)化封裝，尺寸小，適用于自動(dòng)化高密度貼片生產(chǎn)。也就是我自己設(shè)計(jì)的主板，自己拍的照片，加了藝術(shù)效果；沒有標(biāo)引用和出處的圖片和內(nèi)容，絕大多數(shù)都是我自己畫或弄出來的，剩下一點(diǎn)點(diǎn)可能疏忽忘加了；標(biāo)引用的圖片，很多都是我重新加工的，例如翻譯或幾張圖拼在一起等等，工具很土EXCEL+截圖。多層陶瓷電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示：原圖出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多層陶瓷電容生產(chǎn)流程如下圖所示：原圖出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多層陶瓷需要燒結(jié)瓷化，形成一體化結(jié)構(gòu)，所以引線(Lead)封裝的多層陶瓷電容，也叫獨(dú)石(Monolithic)電容。在談?wù)勲姼兄幸步榻B過多層陶瓷工藝和ThinFilm工藝。ThinFilm技術(shù)在性能或工藝控制方面都比較先進(jìn)，可以精確的控制器件的電性能和物理性能。因此，ThinFilm電容性能比較好，極小容值可以做到，而容差可以做到；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，極小容值是，容差通常都是；因此，ThinFilm電容可以用于要求比較高的RF領(lǐng)域，AVX有Accu-P?系列。華南國(guó)巨電容代理商公司。

    關(guān)鍵字：薄膜電容，電解電容，陶瓷電容，鋁電解電容，鉭電容，安規(guī)電容之前的文章中，介紹了電感的一些知識(shí)。本文將談?wù)勲娙?，介紹電容的知識(shí)和如何選型。電容的基本原理和電感、電阻一起，是電子學(xué)三大基本無源器件；電容的功能就是以電場(chǎng)能的形式儲(chǔ)存電能量。以平行板電容器為例，簡(jiǎn)單介紹下電容的基本原理如上圖所示，在兩塊距離較近、相互平行的金屬平板上(平板之間為電介質(zhì))加載一個(gè)直流電壓；穩(wěn)定后，與電壓正極相連的金屬平板將呈現(xiàn)一定量的正電荷，而與電壓負(fù)極相連的金屬平板將呈現(xiàn)相等量的負(fù)電荷；這樣，兩個(gè)金屬平板之間就會(huì)形成一個(gè)靜電場(chǎng)，所以電容是以電場(chǎng)能的形式儲(chǔ)存電能量，儲(chǔ)存的電荷量為Q。電容儲(chǔ)存的電荷量Q與電壓U和自身屬性(也就是電容值C)有關(guān)，也就是Q=U*C。根據(jù)理論推導(dǎo)，平行板電容器的電容公式如下：理想電容內(nèi)部是介質(zhì)(Dielectric)，沒有自由電荷，不可能產(chǎn)生電荷移動(dòng)也就是電流，那么理想電容是如何通交流的呢？通交流電壓可以在電容內(nèi)部形成一個(gè)電場(chǎng)，而交流電壓就會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)。根據(jù)麥克斯韋方程組中的全電流定律：即電流或變化的電場(chǎng)都可以產(chǎn)生磁場(chǎng)，麥克斯韋將ε(?E/?t)定義為位移電流，是一個(gè)等效電流，表示著電場(chǎng)的變化。。華科電容一級(jí)代理商。光明區(qū)薄膜電容觸摸屏

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    在直流電場(chǎng)的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場(chǎng)的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。損耗角正切：在規(guī)定頻率的正弦電壓下，電容器的損耗功率除以電容器的無功功率。在實(shí)際應(yīng)用中，電容器并不是一個(gè)純電容，其內(nèi)部還有等效電阻。C為電容器的實(shí)際電容量，Rs是電容器的串聯(lián)等效電阻，Rp是介質(zhì)的絕緣電阻，Ro是介質(zhì)的吸收等效電阻。對(duì)于電子設(shè)備來說，要求Rs愈小愈好，也就是說要求損耗功率小，其與電容的功率的夾角δ要小。這個(gè)關(guān)系用下式來表達(dá)：tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs因此，在應(yīng)用當(dāng)中應(yīng)注意選擇這個(gè)參數(shù)，避免自身發(fā)熱過大，以減少設(shè)備的失效性。頻率特性隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。電容器的識(shí)別方法：電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如9μF/450V22μF/50V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或用數(shù)字表示。字母表示法：1m=1000μF4P7=1n=1000PF數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)宇，第三位數(shù)宇表示有效數(shù)字后面零的個(gè)數(shù)。廣東電容器組

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