第二電極412為用于注入電子的陰極并且包含低的功函數(shù)的導電材料例如al、mg或al-mg合金。cgl480和第二cgl490分別被定位在發(fā)光部分430與第二發(fā)光部分450之間和第二發(fā)光部分450與第三發(fā)光部分470之間。即，發(fā)光部分430、cgl480、第二發(fā)光部分450、第二cgl490和第三發(fā)光部分470順序堆疊在電極410上。換言之，發(fā)光部分430被定位在電極410與cgl480之間，第二發(fā)光部分450被定位在cgl480與第二cgl490之間。此外，第三發(fā)光部分470被定位在第二電極412與第二cgl490之間。發(fā)光部分430可以包括順序堆疊在電極410上的hil432、htl434、eml420和etl436。即，hil432和htl434被定位在電極410與eml420之間，hil432被定位在電極410與htl434之間。此外，etl436被定位在eml420與cgl480之間。eml420包含藍色摻雜劑422。例如，藍色摻雜劑422可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。盡管未示出，但是eml420還可以包含基質(zhì)。相對于基質(zhì)，藍色摻雜劑422的重量百分比可以為約1％至40％，推薦為3％至40％。第二發(fā)光部分450可以包括第二htl452、第二eml440和第二etl454。第二htl452被定位在cgl480與第二eml440之間，第二etl454被定位在第二eml440與第二cgl490之間。廣東捷捷微二極管代理商公司。重慶激光二極管進口
20.根據(jù)實施方案19所述的有機發(fā)光二極管，其中所述第二磷光摻雜劑相對于所述第二延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內(nèi)。21.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：基板；有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：電極；面向所述電極的第二電極；以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在所述電極與所述第二電極之間的發(fā)光材料層；以及布置在所述基板與所述有機發(fā)光二極管之間并與所述有機發(fā)光二極管連接的薄膜晶體管，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。22.根據(jù)實施方案20所述的有機發(fā)光顯示裝置，還包括：布置在所述基板與所述有機發(fā)光二極管之間或在所述有機發(fā)光二極管上方的濾色器層。23.一種照明裝置，包括：基板；以及有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：電極；面向所述電極的第二電極；以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在所述電極與所述第二電極之間的發(fā)光材料層，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。惠州發(fā)光二極管哪里買樂山二極管找巨新科。
并發(fā)送給所述微控制器；所述微控制器控制并獲取所述發(fā)光二極管的電流值，所述驅(qū)動板依據(jù)所述電流值驅(qū)動所述發(fā)光二極管；所述微控制器依據(jù)所述良好溫度值和所述良好壓差值，調(diào)用預存儲的良好校準數(shù)據(jù)表進行良好對比，依據(jù)所述良好對比的結(jié)果對所述良好壓差值進行校準后，獲取第二壓差值，良好校準數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始溫度值和所述初始電壓值統(tǒng)計表；所述微控制器依據(jù)所述第二壓差值和所述電流值，調(diào)用預存儲的第二校準數(shù)據(jù)表進行第二對比，第二校準數(shù)據(jù)表為所述發(fā)光二極管的初始壓差值和初始電流值統(tǒng)計表，在所述第二對比的結(jié)果不符合預設(shè)閾值的情況下，發(fā)送報警信息。在其中一個實施例中，所述驅(qū)動板與所述發(fā)光二極管連接，所述微控制器獲取驅(qū)動脈沖調(diào)制pwm信號，依據(jù)所述pwm信號和預設(shè)的最大電流值確定所述驅(qū)動板輸入給所述發(fā)光二極管的所述電流值。在其中一個實施例中，在所述電壓采集電路是運算差分電路的情況下，通過運算差分電路接入所述發(fā)光二極管的兩端，獲取所述發(fā)光二極管的良好壓差值。在其中一個實施例中，在所述溫度采集電路是熱敏電阻ntc電路的情況下，所述微控制器獲取所述發(fā)光二極管周圍的所述熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值。
并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發(fā)光部分550可以包括第二htl552、第二eml540和第二etl554。第二htl552被定位在cgl580與第二eml540之間，第二etl554被定位在第二eml540與第二cgl590之間。第二eml540包含藍色摻雜劑542。藍色摻雜劑542具有與eml520中的延遲熒光摻雜劑522和磷光摻雜劑524相比更短的發(fā)射波長范圍。例如，藍色摻雜劑542可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。盡管未示出，但是第二eml540還可以包含基質(zhì)。相對于基質(zhì)，藍色摻雜劑542的重量百分比可以為約1％至40％，推薦為3％至40％。第三發(fā)光部分570可以包括第三htl572、第三eml560、第三etl574和eil576。第三htl572被定位在第二cgl590與第三eml560之間，第三etl574被定位在第三eml560與第二電極512之間。此外，eil576被定位在第三etl574與第二電極512之間。第三eml560包含第二延遲熒光摻雜劑562和第二磷光摻雜劑564。第二延遲熒光摻雜劑562具有發(fā)射波長范圍，第二磷光摻雜劑564具有與發(fā)射波長范圍不同的第二發(fā)射波長范圍。第二比較大發(fā)射波長比比較大發(fā)射波長更長(更大)。例如，發(fā)射波長范圍可以為綠色波長范圍，第二發(fā)射波長范圍可以為紅色波長范圍。原裝捷捷微二極管采購。
本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域，涉及一種基于負電源電壓對雪崩光電二極管的偏置電壓進行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù)：單光子探測技術(shù)是近年來剛剛發(fā)展起來的一種基于單光子的新式探測技術(shù)，它可以實現(xiàn)對極微弱光信號的檢測。在目前所用的光電探測器中，具有單光子探測能力的探測器主要有兩種，即光電倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點，因此被廣泛應用。雪崩光電二極管apd探測器根據(jù)其偏置電壓的不同，可分為線性和蓋革兩種工作模式。工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管apd被稱為單光子雪崩二極管，具有單光子探測能力，被廣泛應用于單光子探測技術(shù)。單光子探測技術(shù)可被用于光子測距、**、熒光壽命測量等各方面。隨著對探測器分辨率要求的提高，單光子探測技術(shù)正在向集成大陣列方向發(fā)展，陣列探測的一致性成為重要指標。apd陣列的靈敏度與偏壓相關(guān)，但是由于apd陣列存在雪崩擊穿電壓不均勻分布的問題，因此比較高偏壓被陣列中比較低擊穿電壓的像素所限制，apd陣列中將有大量像素處在偏壓不足的狀態(tài)。強茂二極管找巨新科。東莞開關(guān)二極管公司
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發(fā)送報警信息。圖3是根據(jù)發(fā)明實施例的壓降和電流的初始工作統(tǒng)計示意圖，如圖3所示，該發(fā)光二極管的正向壓降為隨電流變化而變化的曲線，是正向壓降本身的曲線，該發(fā)光二極管11的正向壓降的偏移量與工作電流呈正相關(guān)，例如，在依據(jù)該第二壓差值和電流值與該曲線進行對比的情況下，對比的結(jié)果超過預設(shè)的閾值，該微控制器15生成報警信息，該發(fā)光二極管11出廠前，對可以進行長時間的工作測試，例如，進行500小時的工作測試，該微控制器15記錄發(fā)光二極管11正常工作在不同電流下的正向壓降，依據(jù)該正向壓降的偏移量生成該第二校準數(shù)據(jù)表，該第二校準數(shù)據(jù)表用于對該第二壓差值進行對比判斷，判斷該發(fā)光二極管11的壓差值是否在允許的范圍以內(nèi)，超過該允許的范圍，說明該發(fā)光二極管11已不能正常工作，進行報警提醒使用者進行更換。通過上述系統(tǒng)，發(fā)光二極管11出廠工作后，微控制器15自主控制該發(fā)光二極管11的電流，實時監(jiān)控發(fā)光二極管的工作溫度、正向壓降值和電流值，并依據(jù)良好校準數(shù)據(jù)表對壓差值進行校準，在壓差值超出第二校準數(shù)據(jù)表的合理范圍后，進行報警提醒，解決了單個led燈的使用壽命無法準確預測的問題，實現(xiàn)了單個led燈的使用壽命的準確預測和報警。在一個實施例中。重慶激光二極管進口
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