并聯(lián)后的各個電容兩端電壓相等；并聯(lián)后的耐壓取決于耐壓**小的那個電容電壓。電容器的類型電容器是一種兩塊導(dǎo)體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件。電容的類型按照容量是否可變分為固定電容器和可變電容器兩大類；按照介質(zhì)類型可分為無機介質(zhì)電容器、有機介質(zhì)電容器和電解電容器三大類。不同介質(zhì)的電容，在結(jié)構(gòu)、成本、特性、用途方面都大不相同。無機介質(zhì)電容器：包括陶瓷電容以及云母電容等。在CPU上我們會經(jīng)?？吹教沾呻娙荨Ｌ沾呻娙莸木C合性能很好，可以應(yīng)用GHz級別的超高頻器件上，比如CPU/GPU。當(dāng)然，它的價格也很貴。云母電容（CY）電容量：10p--0。1μ額定電壓：100V--7kV主要特點：高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小。應(yīng)用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路高頻瓷介電容（CC）電容量：1--6800p額定電壓：63--500V主要特點：高頻損耗小，穩(wěn)定性好。應(yīng)用于高頻電路。低頻瓷介電容（CT）電容量：10p--4。7μ額定電壓：50V--100V主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩(wěn)定性差。應(yīng)用：要求不高的低頻電路玻璃釉電容（CI）電容量：10p--0。1μ額定電壓：63--400V主要特點：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫（200度）。應(yīng)用：脈沖、耦合、旁路等電路單片陶瓷電容器。原裝進口電容器找巨新科。安規(guī)電容觸摸屏
電容器是一種能儲存電荷的容器．它是由兩片靠得較近的金屬片，中間再隔以絕緣物質(zhì)而組成的．按絕緣材料不同，可制成各種各樣的電容器.如：云母．瓷介．紙介，電解電容器等．在構(gòu)造上，又分為固定電容器和可變電容器鋁電解電容選型要點電容的容量和額定工作電壓鋁電解電容本體上標有的容量和耐壓，這兩個參數(shù)是選用電容基本的內(nèi)容。在實際電容選型中，對電流變化節(jié)奏快的地方要用容量較大的電容，但并非容量越大越好，首先，容量增大，成本和體積可能會上升，另外，電容越大充電電流就越大，充電時間也會越長。電容的額定工作電壓：在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)，電容長期能承受的大直流電壓。在交流電路中，要注意所加的交流電壓大值不能超過電容的直流工作電壓值。常用的固定電容工作電壓有、10V、16V、25V、50V、63V、100V、250V、400V、500V、630V。電容在電路中實際要承受的電壓不能超過它的耐壓值。在濾波電路中，電容的耐壓值不要小于交流有效值的。另外還要注意的一個問題是工作電壓裕量的問題，一般來說要在15％以上。讓電容器的額定電壓具有較多的余裕，能降低內(nèi)阻、降低漏電流、降低損失角、增加壽命。雖然說，48V的工作電壓使用50V的鋁電解電容短時間不會出現(xiàn)問題。南山區(qū)CBB電容哪里買風(fēng)華車規(guī)電容原裝現(xiàn)貨。
目前很多鉭電解電容都用貼片式安裝，其外殼一般由樹脂封裝（采用同樣封裝的也可能是鋁電解電容）。但是，鉭電容的陰極也是電解質(zhì)，所以很不幸的，它也是大家十分瞧不起的“電解電容”的一種。鈮電解電容。這種電容如今已經(jīng)用的比少。需要重點強調(diào)的是，鋁電解電容和鉭電解電容不是由封裝形式?jīng)Q定的。像黃色與黑色小方塊，通常我們認為其是鉭電解電容，但實際其陽極也有可能是鋁，也就是說它們也有可能是鋁電容而不是鉭電容。以往傳統(tǒng)的看法是鉭電容性能比鋁電容好，因為鉭電容的介質(zhì)為陽極氧化后生成的五氧化二鉭，它的介電常數(shù)ε比鋁電容的三氧化二鋁介質(zhì)要高。因此在同樣容量的情況下，鉭電容的體積能比鋁電容做得更小。（電解電容的電容量取決于介質(zhì)的介電能力和體積，在容量一定的情況下，介電能力越高，體積就可以做得越小，反之，體積就需要做得越大）。再加上鉭的性質(zhì)比較穩(wěn)定，所以通常認為鉭電容性能比鋁電容好。但這種憑陽極判斷電容性能的方法已經(jīng)過時了，目前決定電解電容性能的關(guān)鍵并不在于陽極，而在于電解質(zhì)，也就是陰極。因為不同的陰極和不同的陽極可以組合成不同種類的電解電容，其性能也大不相同。采用同一種陽極的電容由于電解質(zhì)的不同。
Page103由于ClassII和III電容的容值極高可以做到幾百uF，但由于高介電常數(shù)介質(zhì)，大都是鐵電性介質(zhì)(Ferroelectric)，溫度穩(wěn)定性差。此外，鐵電性介質(zhì)，在直流偏置電壓下介電常數(shù)會下降。在談?wù)勲姼幸晃闹?，介紹了鐵磁性介質(zhì)存在磁滯現(xiàn)象，當(dāng)內(nèi)部磁場超過一定值時，會發(fā)生磁飽和現(xiàn)象，導(dǎo)致磁導(dǎo)率下降；同樣的，對于鐵電性介質(zhì)存在電滯現(xiàn)象，當(dāng)內(nèi)部電場超過一定值時，會發(fā)生電飽和現(xiàn)象，導(dǎo)致介電常數(shù)下降。當(dāng)ClassII和III電容的直流偏置電壓超過一定值時，電容會明顯下降，如下圖所示：圖片來源GRM188R60J226MEA0-MurataClassIV：制作工藝和通常的陶瓷材料不一樣，內(nèi)部陶瓷顆粒都是外面一層很薄的氧化層，而中心是導(dǎo)體。這種類型的電容容量很大，但擊穿電壓很小。由于此類電容的性能不穩(wěn)定，損耗高，現(xiàn)在已經(jīng)基本被淘汰了。引申閱讀：·ECA-EIA-198-1-F-2002·MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors·HysteresisinPiezoelectricandFerroelectricMaterials電容類型總結(jié)表原圖出自維基百科還有一類超級電容，就是容量特別大，可以替代電池作為供電設(shè)備，也可以和電池配合使用。超級電容充電速度快，可以完全地充放電，而且可以充到任何想要的電壓。東莞華科電容代理商公司。
以抗電強度測試為例，根據(jù)標準，L、N側(cè)為一次電路，需要與PE或GND之間為基本絕緣。因此，需要在L或N對GND之間加交流，持續(xù)近1分鐘，期間相關(guān)漏電流不能超過標準規(guī)定值。因此，安規(guī)電容，有相當(dāng)高的耐壓要求，同時直流漏電流不能太大。常用的RJ45網(wǎng)口，為了減小EMI，常用到Bob-Smith電路，如下圖所示：可以看到電容的耐壓都是2kV以上，因為網(wǎng)口通常有變壓器，220V交流電的L和N到網(wǎng)線有兩個變壓器隔離，是雙重絕緣，L和N到網(wǎng)線之間也要進行抗電強度測試。雙重絕緣，通常要求通過交流3kV或直流。安規(guī)電容有高耐壓要求，通常使用瓷片電容或者小型薄膜電容。器件選型還要主要兩點要求：和結(jié)構(gòu)確認器件的長寬高；對插件封裝器件不多時，是不是可以全部使用表貼器件，這樣可以省掉波峰焊的工序。東莞國巨電容代理商公司。南山區(qū)CBB電容哪里買
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引申閱讀·ThinFilmCapacitor-AVX·Ceramiccapacitor·BMEandPMECeramic’sHiddenProperty-KEMET陶瓷介質(zhì)的分類根據(jù)EIA-198-1F-2002，陶瓷介質(zhì)主要分為四類：ClassI：具有溫度補償特性的陶瓷介質(zhì)，其介電常數(shù)大都較低，不超過200。通常都是順電性介質(zhì)(Paraelectric)，溫度、頻率以及偏置電壓下，介電常數(shù)比較穩(wěn)定，變化較小。損耗也很低，耗散因數(shù)小于。截圖自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors，Page26性質(zhì)極穩(wěn)定，應(yīng)用極多的是C0G電容，也就是NP0。NP0是IEC/EN60384-1標準中規(guī)定的代號，即NegativePositiveZero，也就是用N和P來表示正負偏差。由于介電常數(shù)低，C0G電容的容值較小，極大可以做到，0402封裝通常極大只有1000pF。ClassII，III：其中，溫度特性A-S屬于ClassII，介電常數(shù)幾千左右。溫度特性T-V屬于ClassIII，介電常數(shù)極高可以到20000，可以看出ClassIII的性能更加不穩(wěn)定。根據(jù)IEC的分類，ClassII和III都屬于第二類，高介電常數(shù)介質(zhì)。像X5R和X7R都是ClassII電容，在電源去耦中應(yīng)用較多，而Y5V屬于ClassIII電容，性能不太穩(wěn)定，個人覺得現(xiàn)在應(yīng)用不多了。截圖自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors。安規(guī)電容觸摸屏
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