利用運放將四pmos管mp4的源極電壓和二pmos管mp2的源極電壓分別鉗位至0v和步進電壓，利用一pmos管mp1和三pmos管mp3產(chǎn)生像素內(nèi)的偏置電流；在像素內(nèi)利用電流鏡單元鏡像一pmos管mp1和三pmos管mp3產(chǎn)生的偏置電流，一電流鏡單元通過數(shù)字開關控制像素內(nèi)的比例電流鏡鏡像偏置電流的比例，從而實現(xiàn)雪崩光電二極管apd偏置電壓的步進調(diào)節(jié)；通過引入負電源電壓，擴大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍，有利于提高apd陣列的均勻性和電壓穩(wěn)定性，提升光子探測的靈敏度；提出以pmos源極，而不是ldo電路中的漏極產(chǎn)生步進電壓，具有面積小、響應速度快，電壓準確度高等優(yōu)點；像素外的運放采用折疊式共源共柵運放結(jié)構(gòu)時，選擇pmos管作為輸入對管用于增大共模輸入范圍，另外將p輸入對管的襯底接到比較高電位，能夠使得輸入對管的閾值電壓因襯底偏置效應而增大。附圖說明圖1為本發(fā)明提出的基于負壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路的一種電路實現(xiàn)結(jié)構(gòu)框圖。圖2為本發(fā)明提出的基于負壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路中一運算放大器在實施例中采用折疊式共源共柵運放的電路原理圖。圖3為本發(fā)明提出的基于負壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路在不同配置的情況下apd接口電壓的仿真波形示意圖。強茂大功率二極管原裝現(xiàn)貨。惠州貼片二極管
oledd1包括電極120、面向電極120的第二電極130、和在電極120與第二電極130之間的有機發(fā)光層140。有機發(fā)光層140包括包含具有發(fā)射波長范圍的延遲熒光摻雜劑152和具有第二發(fā)射波長范圍的磷光摻雜劑154的eml150。電極120包含具有相對高的功函數(shù)的導電材料并用作陽極。例如，電極120可以包含透明導電材料例如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)，但不限于此。當oledd1為頂部發(fā)射型時，可以在電極120下方形成反射電極或反射層。例如，反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(apc)合金形成。第二電極130包含具有相對低的功函數(shù)的導電材料并用作陰極。例如，第二電極130可以包含鎂(mg)或鋁-鎂合金(al-mg)，但是不限于此。有機發(fā)光層140包括定位在電極120上方并包含延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154的eml150。延遲熒光摻雜劑具有發(fā)射波長范圍，磷光摻雜劑具有與發(fā)射波長范圍不同的第二發(fā)射波長范圍。磷光摻雜劑的第二比較大發(fā)射波長可以大于延遲熒光摻雜劑的比較大發(fā)射波長。例如，發(fā)射波長范圍可以為綠色波長范圍，第二發(fā)射波長范圍可以為紅色波長范圍。延遲熒光摻雜劑152可以由式1表示。[式1]在式1中。北京貼片二極管哪里買原裝樂山二極管采購。
一pmos管mp1和三pmos管mp3用于產(chǎn)生一電流鏡單元偏置電壓和二電流鏡單元偏置電壓。像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊包括運放鉗位和產(chǎn)生電流鏡偏置兩部分，運放鉗位部分包括一運算放大器op1、二運算放大器op2、一電阻r1、二電阻r2、二pmos管mp2、四pmos管mp4。一運算放大器op1的正相輸入端接基準電壓vref，反相輸入端接二pmos管mp2的源極即a點，a點通過運放鉗位產(chǎn)生步進電壓，步進電壓的值通過基準電壓vref設置，基準電壓vref的大小即為想要實現(xiàn)的步進電壓的值，一些實施例中基準電壓vref和基準電流iref可由同一個帶隙基準產(chǎn)生。二運算放大器op2的正相輸入端接地，反相輸入端接四pmos管mp4的源極即b點，b點通過運放鉗位產(chǎn)生0v電壓。產(chǎn)生電流鏡偏置部分包括一pmos管mp1、三pmos管mp3，一pmos管mp1和三pmos管mp3分別與像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊內(nèi)的一電流鏡單元和二電流鏡單元構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，將流過一pmos管mp1和三pmos管mp3的電流進行鏡像。像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊包括一電流鏡單元、二電流鏡單元、三電阻r3和五pmos管mp5，一電流鏡單元用于將流過一pmos管mp1的電流按比例鏡像，二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管mp3的電流。
背景技術(shù)：：隨著對占用面積小的平板顯示裝置的需求增加，包括有機發(fā)光二極管(oled)的有機發(fā)光顯示裝置已成為近來研究和開發(fā)的主題。oled通過將來自作為電子注入電極的陰極的電子和來自作為空穴注入電極的陽極的空穴注入發(fā)光材料層(eml)中，使電子與空穴結(jié)合，生成激子，并使激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變成基態(tài)來發(fā)光?？梢允褂萌嵝曰謇缢芰匣遄鳛樵谄渲行纬稍幕A基板。此外，有機發(fā)光顯示裝置可以在比使其他顯示裝置運行所需的電壓更低的電壓(例如，10v或更低)下運行。此外，有機發(fā)光顯示裝置在功耗和色感方面具有優(yōu)勢。oled包括：在基板上方的作為陽極的電極、與電極間隔開并面向電極的第二電極、和其間的有機發(fā)光層。為了改善發(fā)光效率，有機發(fā)光層可以包括順序堆疊在電極上的選自空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子阻擋層(ebl)、發(fā)光材料層(eml)、空穴阻擋層(hbl)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)中的一個或更多個層。來自電極的空穴通過hil和htl被提供到eml中，以及來自第二電極的電子通過eil和etl被提供到eml中?？昭ê碗娮釉趀ml中結(jié)合生成激子。激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變成基態(tài)，使得從oled中發(fā)射光。另一方面，在照明裝置和/或顯示裝置中使用白色oled(w-oled)。例如。樂山二極管找巨新科。
r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，m為2至5的整數(shù)，n為1至3的整數(shù)，以及m+n小于或等于6。例如，延遲熒光摻雜劑152可以選自式2。[式2]延遲熒光摻雜劑152可以由式3表示。[式3]在式3中，r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，a和b分別由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。[式3-1][式3-2]例如，式3的延遲熒光摻雜劑152可以選自式4。[式4]磷光摻雜劑154可以由式5表示。[式5]在式5中，r1至r4各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺，以及r1與r2或r2與r3或r3與r4結(jié)合形成稠合的c6-c30芳族環(huán)。此外，n為1至3的整數(shù)。例如，磷光摻雜劑154可以選自式6。[式6]相對于延遲熒光摻雜劑152，磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5％。例如，磷光摻雜劑154相對于延遲熒光摻雜劑152的重量百分比可以為約％至％，并且推薦約％至％。盡管未示出，但eml150還包含基質(zhì)。在eml150中。華南捷捷微二極管代理商公司。揭陽激光二極管廠家
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ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)7.實施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)8.實施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)9.實施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)10.實施例8(ex8)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：20重量％，磷光摻雜劑：％)11.實施例9(ex9)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：20重量％，磷光摻雜劑：％)12.實施例10(ex10)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：40重量％，磷光摻雜劑：％)13.實施例11(ex11)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％?；葜葙N片二極管
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