廣州穩(wěn)壓二極管企業(yè)

    本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域，涉及一種基于負(fù)電源電壓對(duì)雪崩光電二極管的偏置電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù)：?jiǎn)喂庾犹綔y(cè)技術(shù)是近年來(lái)剛剛發(fā)展起來(lái)的一種基于單光子的新式探測(cè)技術(shù)，它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)極微弱光信號(hào)的檢測(cè)。在目前所用的光電探測(cè)器中，具有單光子探測(cè)能力的探測(cè)器主要有兩種，即光電倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡(jiǎn)稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用。雪崩光電二極管apd探測(cè)器根據(jù)其偏置電壓的不同，可分為線性和蓋革兩種工作模式。工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管apd被稱為單光子雪崩二極管，具有單光子探測(cè)能力，被廣泛應(yīng)用于單光子探測(cè)技術(shù)。單光子探測(cè)技術(shù)可被用于光子測(cè)距、**、熒光壽命測(cè)量等各方面。隨著對(duì)探測(cè)器分辨率要求的提高，單光子探測(cè)技術(shù)正在向集成大陣列方向發(fā)展，陣列探測(cè)的一致性成為重要指標(biāo)。apd陣列的靈敏度與偏壓相關(guān)，但是由于apd陣列存在雪崩擊穿電壓不均勻分布的問(wèn)題，因此比較高偏壓被陣列中比較低擊穿電壓的像素所限制，apd陣列中將有大量像素處在偏壓不足的狀態(tài)。捷捷微二極管找巨新科。廣州穩(wěn)壓二極管企業(yè)

    五pmos管mp5的柵極連接一電流鏡單元的輸出端和二電流鏡單元的輸出端并通過(guò)三電阻r3后連接負(fù)電源電壓vne，其漏極連接負(fù)電源電壓vne，其源極輸出浮動(dòng)地電壓作為雪崩光電二極管的偏置電壓。浮動(dòng)地電壓連接復(fù)位管gn的源極，復(fù)位管gn的漏極連接淬滅管gp的源極和雪崩光電二極管的的陽(yáng)極。一電流鏡單元用于將流過(guò)一pmos管mp1的電流按比例鏡像，實(shí)施例中提出一種比例電流鏡結(jié)構(gòu)，能夠步進(jìn)調(diào)節(jié)鏡像的電流比例，如圖1所示，一電流鏡單元包括一開(kāi)關(guān)s1、二開(kāi)關(guān)s2、三開(kāi)關(guān)s3、六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8，其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長(zhǎng)比之比為1:1:2:4；六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8的柵極均連接一pmos管mp1的柵極，其源極均連接電源電壓，其漏極分別通過(guò)一開(kāi)關(guān)s1、二開(kāi)關(guān)s2和三開(kāi)關(guān)s3后連接一電流鏡單元的輸出端。本實(shí)施例中一電流鏡單元中六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分別與一pmos管mp1構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，且由于一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長(zhǎng)比之比為1:1:2:4，因此六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分別能夠按照1:1、1:2、1:4的比例鏡像一pmos管mp1的電流，結(jié)合對(duì)一開(kāi)關(guān)s1、二開(kāi)關(guān)s2、三開(kāi)關(guān)s3的控制。杭州進(jìn)口二極管企業(yè)捷捷微大功率二極管原裝現(xiàn)貨。

    2.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑具有比較大發(fā)射波長(zhǎng)，以及所述磷光摻雜劑具有比所述比較大發(fā)射波長(zhǎng)更長(zhǎng)的第二比較大發(fā)射波長(zhǎng)。3.根據(jù)實(shí)施方案2所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑相對(duì)于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內(nèi)。4.根據(jù)實(shí)施方案3所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑相對(duì)于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內(nèi)。5.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑由式1表示：[式1]其中r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺，以及其中m為2至5的整數(shù)，n為1至3的整數(shù)，以及m+n小于或等于6。6.根據(jù)實(shí)施方案5所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑選自式2：[式2]7.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑由式3表示：[式3]其中r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。

    并發(fā)送給該微控制器15；該微控制器15控制并獲取該發(fā)光二極管11的電流值，該驅(qū)動(dòng)板12依據(jù)該電流值驅(qū)動(dòng)該發(fā)光二極管11；該微控制器15依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行良好對(duì)比，依據(jù)該良好對(duì)比的結(jié)果對(duì)該良好壓差值進(jìn)行校準(zhǔn)后，獲取第二壓差值，良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始溫度值和該初始電壓值統(tǒng)計(jì)表；圖2是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和溫度的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖，如圖2所示，發(fā)光二極管的正向壓降是隨溫度變化而改變的曲線，是大小偏移的曲線，且該發(fā)光二極管11的正向壓降的偏移量與工作溫度呈負(fù)相關(guān)，例如，該良好壓差值可以依據(jù)該正向壓降的曲線進(jìn)行校準(zhǔn)，調(diào)整為第二壓差值，該發(fā)光二極管11出廠前，對(duì)可以進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的工作測(cè)試，例如，進(jìn)行500小時(shí)的工作測(cè)試，該微控制器15記錄發(fā)光二極管正常工作在不同溫度下的正向壓降，，依據(jù)該正向壓降的偏移量生成該良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表，該良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表用于對(duì)該良好壓差值進(jìn)行校準(zhǔn)，生成該第二壓差值。該微控制器15依據(jù)該第二壓差值和該電流值，調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行第二對(duì)比，第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始?jí)翰钪岛统跏茧娏髦到y(tǒng)計(jì)表，在該第二對(duì)比的結(jié)果不符合預(yù)設(shè)閾值的情況下。強(qiáng)茂肖特基二極管原裝現(xiàn)貨。

    r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，m為2至5的整數(shù)，n為1至3的整數(shù)，以及m+n小于或等于6。例如，延遲熒光摻雜劑152可以選自式2。[式2]延遲熒光摻雜劑152可以由式3表示。[式3]在式3中，r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，a和b分別由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。[式3-1][式3-2]例如，式3的延遲熒光摻雜劑152可以選自式4。[式4]磷光摻雜劑154可以由式5表示。[式5]在式5中，r1至r4各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺，以及r1與r2或r2與r3或r3與r4結(jié)合形成稠合的c6-c30芳族環(huán)。此外，n為1至3的整數(shù)。例如，磷光摻雜劑154可以選自式6。[式6]相對(duì)于延遲熒光摻雜劑152，磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5％。例如，磷光摻雜劑154相對(duì)于延遲熒光摻雜劑152的重量百分比可以為約％至％，并且推薦約％至％。盡管未示出，但eml150還包含基質(zhì)。在eml150中。強(qiáng)茂二極管找巨新科。肇慶整流二極管銷(xiāo)售

樂(lè)山二極管一級(jí)代理商。廣州穩(wěn)壓二極管企業(yè)

    可以將流過(guò)一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進(jìn)行復(fù)制，如當(dāng)只有一開(kāi)關(guān)s1閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:1的比例進(jìn)行復(fù)制，當(dāng)一開(kāi)關(guān)s1和二開(kāi)關(guān)s2同時(shí)閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:3的比例進(jìn)行復(fù)制，當(dāng)一開(kāi)關(guān)s1、二開(kāi)關(guān)s2和三開(kāi)關(guān)s3都閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^(guò)一pmos管mp1的電流按1:7的比例進(jìn)行復(fù)制。按照相同的原理可以設(shè)置多種開(kāi)關(guān)組合實(shí)現(xiàn)想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過(guò)三pmos管mp3的電流，如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實(shí)現(xiàn)形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極，其源極連接電源電壓，其漏極連接二電流鏡單元的輸出端。像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊中三電阻r3和五pmos管mp5分別與像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中的一電阻r1和二pmos管mp2、二電阻r2和四pmos管mp4鉗位對(duì)稱，再利用一電流鏡單元和二電流鏡單元鏡像的電流，可以控制五pmos管mp5的源極處產(chǎn)生的浮動(dòng)地電壓大小。本實(shí)施例中一pmos管mp1柵極引出一電流鏡單元偏置電壓為一電流鏡單元的六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8供電，比例電流鏡結(jié)構(gòu)按不同比例鏡像一pmos管mp1的電流使得像素內(nèi)的五pmos管mp5的源極電壓達(dá)到步進(jìn)電壓的整數(shù)倍大小。廣州穩(wěn)壓二極管企業(yè)

深圳市巨新科電子有限公司位于深圳市龍崗區(qū)坂田街道崗頭社區(qū)天安云谷產(chǎn)業(yè)園二期4棟2901單元，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家貿(mào)易型企業(yè)。深圳市巨新科是一家有限責(zé)任公司企業(yè)，一直“以人為本，服務(wù)于社會(huì)”的經(jīng)營(yíng)理念;“誠(chéng)守信譽(yù)，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司擁有專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，具有二極管，電阻，電容，電感等多項(xiàng)業(yè)務(wù)。深圳市巨新科自成立以來(lái)，一直堅(jiān)持走正規(guī)化、專(zhuān)業(yè)化路線，得到了廣大客戶及社會(huì)各界的普遍認(rèn)可與大力支持。