南山區(qū)車規(guī) 電容公司

    電容器是一種能儲存電荷的容器．它是由兩片靠得較近的金屬片，中間再隔以絕緣物質(zhì)而組成的．按絕緣材料不同，可制成各種各樣的電容器.如：云母．瓷介．紙介，電解電容器等．在構(gòu)造上，又分為固定電容器和可變電容器鋁電解電容選型要點電容的容量和額定工作電壓鋁電解電容本體上標(biāo)有的容量和耐壓，這兩個參數(shù)是選用電容基本的內(nèi)容。在實際電容選型中，對電流變化節(jié)奏快的地方要用容量較大的電容，但并非容量越大越好，首先，容量增大，成本和體積可能會上升，另外，電容越大充電電流就越大，充電時間也會越長。電容的額定工作電壓：在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)，電容長期能承受的大直流電壓。在交流電路中，要注意所加的交流電壓大值不能超過電容的直流工作電壓值。常用的固定電容工作電壓有、10V、16V、25V、50V、63V、100V、250V、400V、500V、630V。電容在電路中實際要承受的電壓不能超過它的耐壓值。在濾波電路中，電容的耐壓值不要小于交流有效值的。另外還要注意的一個問題是工作電壓裕量的問題，一般來說要在15％以上。讓電容器的額定電壓具有較多的余裕，能降低內(nèi)阻、降低漏電流、降低損失角、增加壽命。雖然說，48V的工作電壓使用50V的鋁電解電容短時間不會出現(xiàn)問題。華科安規(guī)電容原裝現(xiàn)貨。南山區(qū)車規(guī) 電容公司

    也稱為塑料薄膜電容；其內(nèi)部結(jié)構(gòu)大致如下圖所示：原圖來自于維基百科薄膜電容根據(jù)其電極的制作工藝，可以分為兩類：金屬箔薄膜電容(Film/Foil)金屬箔薄膜電容，直接在塑料膜上加一層薄金屬箔，通常是鋁箔，作為電極；這種工藝較為簡單，電極方便引出，可以應(yīng)用于大電流場合。金屬化薄膜電容(MetallizedFilm)金屬化薄膜電容，通過真空沉積(VacuumDeposited)工藝直接在塑料膜的表面形成一個很薄的金屬表面，作為電極；由于電極厚度很薄，可以繞制成更大容量的電容；但由于電極厚度薄，只適用于小電流場合。金屬化薄膜電容就是具有自我修復(fù)的功能，即假如電容內(nèi)部有擊穿損壞點，會在損壞處產(chǎn)生雪崩效應(yīng)，氣化金屬在損壞處將形成一個氣化集中面，短路消失，損壞點被修復(fù)；因此，金屬化薄膜電容可靠性非常高，不存在短路失效；薄膜電容有兩種卷繞方法：有感繞法在卷繞前，引線就已經(jīng)和內(nèi)部電極連在一起；無感繞法在繞制后，會采用鍍金等工藝，將兩個端面的內(nèi)部電極連成一個面，這樣可以獲得較小的ESL，應(yīng)該高頻性能較高；此外，還有一種疊層型的無感電容，結(jié)構(gòu)與MLCC類似，性能較好，便于做成SMD封裝。極早的薄膜電容的介質(zhì)材料是用紙浸注在油或石蠟中。福田區(qū)Y電容觸摸屏風(fēng)華電容代理商巨新科。

    電容都有一定的直流偏置，電容量比標(biāo)稱值小很多，所以要注意實際容值是否滿足設(shè)計要求。紋波電流作為DCDC的輸入和輸出電容，都會有一定的紋波電流，由于ESR的存在會導(dǎo)致一定的溫升。加上環(huán)境溫度，不能超過電容的額定溫度，例如X5R電容極高額度溫度是85℃。通常由于多層陶瓷電容ESR較小，能承受的紋波電流較大。自諧振頻率電容由于ESL的存在，都有一個自諧振頻率。大容量的電容，自諧振頻率較低，只有1-2MHz。所以，為了提高電源的高頻效應(yīng)，大量小容值的去耦電容是必須的。此外，對于開關(guān)頻率很高的DCDC芯片，要注意輸入輸出電容的自諧振頻率。ESR設(shè)計DCDC電路，需要知道輸出電容的ESR，來計算輸出電壓紋波。多層陶瓷電容的ESR通常較低，大約幾到幾十毫歐。5安規(guī)電容對于我們家用的電子設(shè)備，極終都是220V交流市電供電。電源適配器為了減少對電網(wǎng)的干擾，通過相關(guān)EMC測試，都會加各種濾波電容。下圖為一個簡易的電路示意圖：對于L和N之間的電容叫X電容，L、N與PE或GND之間的電容叫Y電容。由于220V交流電具有危險性，會威脅人的人身安全，電子產(chǎn)品都需要滿足相關(guān)安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，例如GB4943和UL60950的相關(guān)測試要求。因此，X電容和Y電容與這些測試直接相關(guān)，所以也叫安規(guī)電容。

    以抗電強度測試為例，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，L、N側(cè)為一次電路，需要與PE或GND之間為基本絕緣。因此，需要在L或N對GND之間加交流，持續(xù)近1分鐘，期間相關(guān)漏電流不能超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定值。因此，安規(guī)電容，有相當(dāng)高的耐壓要求，同時直流漏電流不能太大。常用的RJ45網(wǎng)口，為了減小EMI，常用到Bob-Smith電路，如下圖所示：可以看到電容的耐壓都是2kV以上，因為網(wǎng)口通常有變壓器，220V交流電的L和N到網(wǎng)線有兩個變壓器隔離，是雙重絕緣，L和N到網(wǎng)線之間也要進(jìn)行抗電強度測試。雙重絕緣，通常要求通過交流3kV或直流。安規(guī)電容有高耐壓要求，通常使用瓷片電容或者小型薄膜電容。器件選型還要主要兩點要求：和結(jié)構(gòu)確認(rèn)器件的長寬高；對插件封裝器件不多時，是不是可以全部使用表貼器件，這樣可以省掉波峰焊的工序。華科電容原裝現(xiàn)貨找巨新科。

    字母表示法：1m=1000μF4P7=1n=1000PF數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)宇，第三位數(shù)宇表示有效數(shù)字后面零的個數(shù)，它們的單位都是pF。如:102表示標(biāo)稱容量為1000pF。331表示標(biāo)稱容量為330pF。474表示標(biāo)稱容量為47x10(4)pF。在這種表示法中有一個特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時，是用有效數(shù)宇乘上來表示容量大小。如:229表示標(biāo)稱容量為允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%電容器的特性與用途通交隔直：作用是阻止直流通過而讓交流通過。如圖中的電容C1和C2，分析三極管工作狀態(tài)時，直流等效電路將電容視為開路，微變等效電路將電容視為短路，從而簡化了電路的分析運算。交流旁路(去耦)：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。比如下面的電路，可以將高頻信號旁路。交流耦合：作為兩個電路之間的連接，允許交流信號通過并傳輸?shù)较乱患夒娐分绷麟娫礊V波：比如二極管橋式整流后面，用于平滑電流。溫度補償：針對其它元件對溫度的適應(yīng)性不夠帶來的影響，而進(jìn)行補償，改善電路的穩(wěn)定性。計時：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時間常數(shù)，時間常數(shù)t=RC。調(diào)諧：對與頻率相關(guān)的電路進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)諧。國巨電容一級代理商。廣東車規(guī) 電容公司

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    Page103由于ClassII和III電容的容值極高可以做到幾百uF，但由于高介電常數(shù)介質(zhì)，大都是鐵電性介質(zhì)(Ferroelectric)，溫度穩(wěn)定性差。此外，鐵電性介質(zhì)，在直流偏置電壓下介電常數(shù)會下降。在談?wù)勲姼幸晃闹?，介紹了鐵磁性介質(zhì)存在磁滯現(xiàn)象，當(dāng)內(nèi)部磁場超過一定值時，會發(fā)生磁飽和現(xiàn)象，導(dǎo)致磁導(dǎo)率下降；同樣的，對于鐵電性介質(zhì)存在電滯現(xiàn)象，當(dāng)內(nèi)部電場超過一定值時，會發(fā)生電飽和現(xiàn)象，導(dǎo)致介電常數(shù)下降。當(dāng)ClassII和III電容的直流偏置電壓超過一定值時，電容會明顯下降，如下圖所示：圖片來源GRM188R60J226MEA0-MurataClassIV：制作工藝和通常的陶瓷材料不一樣，內(nèi)部陶瓷顆粒都是外面一層很薄的氧化層，而中心是導(dǎo)體。這種類型的電容容量很大，但擊穿電壓很小。由于此類電容的性能不穩(wěn)定，損耗高，現(xiàn)在已經(jīng)基本被淘汰了。引申閱讀：·ECA-EIA-198-1-F-2002·MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors·HysteresisinPiezoelectricandFerroelectricMaterials電容類型總結(jié)表原圖出自維基百科還有一類超級電容，就是容量特別大，可以替代電池作為供電設(shè)備，也可以和電池配合使用。超級電容充電速度快，可以完全地充放電，而且可以充到任何想要的電壓。南山區(qū)車規(guī) 電容公司

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