快恢復(fù)二極管MUR1660CTR

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-07-14

   這一圈套起到了一定的限制效用,使電子不易抽走,而與空穴在此復(fù)合,從而延長(zhǎng)了反向恢復(fù)時(shí)間中tb這一段,提高了迅速二極管的軟度因子S。3.快速軟恢復(fù)二極管模塊通態(tài)特點(diǎn)顯示,在額定電流下正向電壓降不受溫度影響,從而使它更適用于并聯(lián)工作。在125℃時(shí)的動(dòng)態(tài)損耗比標(biāo)準(zhǔn)化摻鉑FRED減小50%。以上特點(diǎn)使得該軟恢復(fù)二極管特別適宜工業(yè)應(yīng)用。運(yùn)用上述FRED二極管和SONIC二極管我們開(kāi)發(fā)了迅速軟恢復(fù)二極管模塊,有絕緣型和非絕緣型二大類,絕緣型電流從40A~400A,電壓達(dá)到1200V,絕緣電壓大于2500V,反向回復(fù)時(shí)間很小為40ns;非絕緣型電流為200A(單管100A),電壓從400V至1200V,反向回復(fù)時(shí)間根據(jù)用戶要求,可從40ns至330ns。由于使用模塊構(gòu)造,寄生電感較小,并且預(yù)防了高頻干擾電壓和過(guò)電壓尖峰。下面為200A絕緣型和非絕緣型迅速軟恢復(fù)二極管模塊外觀和大小以及連接圖。圖6200A絕緣型快速軟恢復(fù)二極管模塊圖7200A非絕緣型雙塔結(jié)構(gòu)超快速二極管模塊4.迅速軟恢復(fù)二極管及其模塊的應(yīng)用快速軟恢復(fù)二極管的阻斷電壓范圍寬,使它們能夠作為開(kāi)關(guān)電源(SMPS)的輸出整流器,以及逆變器和焊接電源中的功率開(kāi)關(guān)的保護(hù)二極管和續(xù)流二極管??旎謴?fù)二極管 ,就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司,歡迎客戶來(lái)電!快恢復(fù)二極管MUR1660CTR

   其型號(hào)為MFST),由于這種模塊與使用3~5平常整流二極管相比之下具反向回復(fù)時(shí)間(trr)短,反向回復(fù)峰值電流(IRM)小和反向回復(fù)電荷(Qrr)低的FRED,因而使變頻的噪聲減低,從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容大小減少,價(jià)位下滑,使變頻器更易合乎國(guó)內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)規(guī)范。1模塊的構(gòu)造及特征FRED整流橋開(kāi)關(guān)模塊是由六個(gè)超快恢復(fù)二極管芯片和一個(gè)大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后聯(lián)合封裝在一個(gè)PPS(加有40%玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方法如圖1所示。圖中VD1~VD6為六個(gè)FRED芯片,互相聯(lián)成三相整流橋、晶閘管T串接在電橋的正輸出端上。圖2示出了模塊外形構(gòu)造示意圖,現(xiàn)將圖中的主要結(jié)構(gòu)件的機(jī)能分述如下:1)銅基導(dǎo)熱底板:其機(jī)能為陶瓷覆銅板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個(gè)模塊的構(gòu)造基石。因此,它須要具備高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板開(kāi)展高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)(銅為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相距較大,為此,除需使用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對(duì)銅底板要展開(kāi)一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊制品,能在模塊設(shè)備到散熱器上時(shí),使它們之間有充分的接觸,從而下降模塊的接觸熱阻。廣東快恢復(fù)二極管MUR3040CT常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司為您提供快恢復(fù)二極管 ,有想法可以來(lái)我司咨詢!

快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng),后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管,簡(jiǎn)稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場(chǎng)合。 這兩種管子通常用于開(kāi)關(guān)電源。

快恢復(fù)二極管模塊工藝結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)圖1超快恢復(fù)二極管模塊內(nèi)部電路連接圖本模塊是由二個(gè)或二個(gè)以上的FRED芯片按一定的電路(見(jiàn)圖1)連成后共同封裝在一個(gè)PPS(加有40%的玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊分絕緣型(模塊銅底板對(duì)各主要電極的絕緣耐壓Uiso≥)和非絕緣型二種,其特點(diǎn)(1)采用高、低溫氫(H2)、氮(N2)混合氣體保護(hù)的隧道爐和熱板爐二次焊接工藝,使焊接溫度、焊接時(shí)間和傳送帶速度之間有較好的匹配,并精確控制升溫速度、恒溫時(shí)同和冷卻速度,使焊層牢固,幾乎沒(méi)有空洞,從而降低了模塊熱阻、保證模塊出力,根據(jù)模塊電流的大小,采用直接焊接或鋁絲超聲鍵合等方法引出電極,用RTV橡膠、及組份彈性硅凝膠和環(huán)氧樹(shù)脂等三重保護(hù),又加采用玻璃鈍化保護(hù)的、不同結(jié)構(gòu)的進(jìn)口FRED芯片,使模塊防潮、防震,工作穩(wěn)定。(2)銅底板預(yù)彎技術(shù):模塊采用了高導(dǎo)熱、高絕緣、機(jī)械強(qiáng)度高和易焊接,且熱膨脹系數(shù)很接近硅芯片的氮化鋁陶瓷覆銅板(ALNDBC板),使焊接后各材料內(nèi)應(yīng)力低,熱阻小,并避免了芯片因應(yīng)力而破裂。為了解決銅底板與DBC板間的焊接問(wèn)題,除采用銅銀合金外。并在焊接前對(duì)銅底板進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎。如圖2(a),焊后如圖2(b)??旎謴?fù)二極管 常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司獲得眾多用戶的認(rèn)可。

   應(yīng)用場(chǎng)合以及選用時(shí)應(yīng)注意的問(wèn)題等供廣大使用者參考。2.快恢復(fù)二極管模塊工藝結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)圖1超快恢復(fù)二極管模塊內(nèi)部電路連接圖本模塊是由二個(gè)或二個(gè)以上的FRED芯片按一定的電路(見(jiàn)圖1)連成后共同封裝在一個(gè)PPS(加有40%的玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊分絕緣型(模塊銅底板對(duì)各主要電極的絕緣耐壓Uiso≥)和非絕緣型二種,其特點(diǎn)(1)采用高、低溫氫(H2)、氮(N2)混合氣體保護(hù)的隧道爐和熱板爐二次焊接工藝,使焊接溫度、焊接時(shí)間和傳送帶速度之間有較好的匹配,并精確控制升溫速度、恒溫時(shí)同和冷卻速度,使焊層牢固,幾乎沒(méi)有空洞,從而降低了模塊熱阻、保證模塊出力,根據(jù)模塊電流的大小,采用直接焊接或鋁絲超聲鍵合等方法引出電極,用RTV橡膠、及組份彈性硅凝膠和環(huán)氧樹(shù)脂等三重保護(hù),又加采用玻璃鈍化保護(hù)的、不同結(jié)構(gòu)的進(jìn)口FRED芯片,使模塊防潮、防震,工作穩(wěn)定。(2)銅底板預(yù)彎技術(shù):模塊采用了高導(dǎo)熱、高絕緣、機(jī)械強(qiáng)度高和易焊接,且熱膨脹系數(shù)很接近硅芯片的氮化鋁陶瓷覆銅板(ALNDBC板),使焊接后各材料內(nèi)應(yīng)力低,熱阻小,并避免了芯片因應(yīng)力而破裂。為了解決銅底板與DBC板間的焊接問(wèn)題,除采用銅銀合金外。并在焊接前對(duì)銅底板進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎。如圖2(a),焊后如圖2(b)。常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司力于提供快恢復(fù)二極管 ,歡迎您的來(lái)電哦!北京快恢復(fù)二極管MURB860

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   20世紀(jì)80年代初,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場(chǎng)效應(yīng)管(P0WERM0SFET)的研制成功,并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化,這不僅對(duì)電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的器件基礎(chǔ),同時(shí),為用電設(shè)備高頻化(20kHz以上)和高頻設(shè)備固態(tài)化,為高效、節(jié)電、節(jié)材,實(shí)現(xiàn)機(jī)電體化,小型輕量化和智能化提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。與此同時(shí),給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展。因?yàn)?,隨著裝置工作開(kāi)關(guān)頻率的提高,若沒(méi)有FRED給高頻逆變裝置的開(kāi)關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開(kāi)關(guān)器件就不能發(fā)揮它們的功能和獨(dú)特作用,這是由于FRED的關(guān)斷特性參數(shù)(反向恢復(fù)時(shí)間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr,反向峰值電流IRM)的作用所致,合適參數(shù)的FRED與高頻開(kāi)關(guān)器件的協(xié)調(diào)工作。使高頻逆變電路內(nèi)因開(kāi)關(guān)器件換相所引起的過(guò)電壓尖峰,高頻干擾電壓以及EMI降低,使開(kāi)關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮,F(xiàn)RED模塊現(xiàn)已批量在大功率開(kāi)關(guān)電源、高頻逆變電焊機(jī)、高頻逆變開(kāi)關(guān)型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調(diào)速裝置等場(chǎng)合使用,結(jié)果非常令人滿意。本文將簡(jiǎn)要介紹該FRED模塊的工藝結(jié)構(gòu),技術(shù)參數(shù)??旎謴?fù)二極管MUR1660CTR