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二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前,行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無(wú)法用機(jī)械的方法分開。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié),然后在200度左右溫度進(jìn)行固化,保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)特性對(duì)比玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí),冷熱沖擊,OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,由于保護(hù)膠和硅片不貼合,會(huì)產(chǎn)生漏氣,導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管,可靠性很高,在150度的HTRB時(shí),表現(xiàn)仍然很出色;而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTR廣東快恢復(fù)二極管MUR3060CTMUR1660CD是什么類型的管子?
其型號(hào)為MFST),由于這種模塊與使用3~5平常整流二極管相比之下具反向回復(fù)時(shí)間(trr)短,反向回復(fù)峰值電流(IRM)小和反向回復(fù)電荷(Qrr)低的FRED,因而使變頻的噪聲減低,從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容大小減少,價(jià)位下滑,使變頻器更易合乎國(guó)內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)規(guī)范。1模塊的構(gòu)造及特征FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個(gè)超快恢復(fù)二極管芯片和一個(gè)大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后聯(lián)合封裝在一個(gè)PPS(加有40%玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方法如圖1所示。圖中VD1~VD6為六個(gè)FRED芯片,互相聯(lián)成三相整流橋、晶閘管T串接在電橋的正輸出端上。圖2示出了模塊外形構(gòu)造示意圖,現(xiàn)將圖中的主要結(jié)構(gòu)件的機(jī)能分述如下:1)銅基導(dǎo)熱底板:其機(jī)能為陶瓷覆銅板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個(gè)模塊的構(gòu)造基石。因此,它須要具備高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板開展高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)(銅為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相距較大,為此,除需使用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對(duì)銅底板要展開一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊制品,能在模塊設(shè)備到散熱器上時(shí),使它們之間有充分的接觸,從而下降模塊的接觸熱阻。
確保模塊的出力。2)DBC基板:它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,它有著優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性,并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4.2×10-6/℃,DBC為5.6×10-6/℃),因而可以與硅芯片直接焊接,從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和下降熱阻。同時(shí),DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,以當(dāng)作主電路端子和支配端子的焊接支架,并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣,使模塊有著有效值為2.5kV以上的絕緣耐壓。3)電力半導(dǎo)體芯片:超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù),并在模塊制作過(guò)程中再涂有RTV硅橡膠,并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂,這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能安定確實(shí)。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有經(jīng)表面處置的鉬片或直接用鋁絲鍵協(xié)作為主電極的引出線,而部分連線是通過(guò)DBC板的刻蝕圖形來(lái)實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽(yáng)和共陰的連接特色,F(xiàn)RED芯片使用三片是正燒(即芯片正面是負(fù)極、反面是正極)和三片是反燒(即芯片正面是正極、反面是負(fù)極),并運(yùn)用DBC基板的刻蝕圖形,使焊接簡(jiǎn)化。同時(shí),所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上。MUR1640CS是什么類型的管子?
20世紀(jì)80年代初,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場(chǎng)效應(yīng)管(P0WERM0SFET)的研制成功,并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化,這不僅對(duì)電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的器件基礎(chǔ),同時(shí),為用電設(shè)備高頻化(20kHz以上)和高頻設(shè)備固態(tài)化,為高效、節(jié)電、節(jié)材,實(shí)現(xiàn)機(jī)電體化,小型輕量化和智能化提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。與此同時(shí),給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展。因?yàn)?,隨著裝置工作開關(guān)頻率的提高,若沒有FRED給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開關(guān)器件就不能發(fā)揮它們的功能和獨(dú)特作用,這是由于FRED的關(guān)斷特性參數(shù)(反向恢復(fù)時(shí)間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr,反向峰值電流IRM)的作用所致,合適參數(shù)的FRED與高頻開關(guān)器件的協(xié)調(diào)工作。使高頻逆變電路內(nèi)因開關(guān)器件換相所引起的過(guò)電壓尖峰,高頻干擾電壓以及EMI降低,使開關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮,F(xiàn)RED模塊現(xiàn)已批量在大功率開關(guān)電源、高頻逆變電焊機(jī)、高頻逆變開關(guān)型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調(diào)速裝置等場(chǎng)合使用,結(jié)果非常令人滿意。本文將簡(jiǎn)要介紹該FRED模塊的工藝結(jié)構(gòu),技術(shù)參數(shù)。MUR1620CTR是什么類型的管子?山東快恢復(fù)二極管MUR1660CA
MUR1060CT是快恢復(fù)二極管嗎?上??旎謴?fù)二極管MURB1560
繼電器線圈可以儲(chǔ)存能量的(線圈會(huì)阻止電流的突變,即電流只能慢慢增大和減少),如果一下使線圈斷電,它兩端就會(huì)產(chǎn)生很大的電壓,這樣就可能使線圈損壞、相連接的元器件擊穿。這時(shí),我們只要在線圈兩端接上快恢復(fù)二極管,便可以使它產(chǎn)生一個(gè)回路(斷電時(shí)相當(dāng)于在線圈兩端接根短路線),使線圈儲(chǔ)存的能量放完。這個(gè)快恢復(fù)二極管在這里起到續(xù)流的作用,我們通常稱它為續(xù)流快恢復(fù)二極管。電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示,電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過(guò)線圈,直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻,壓降很??;當(dāng)交流信號(hào)通過(guò)線圈時(shí),線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì),自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反,阻礙交流的通過(guò),所以電感的特性是通直流阻交流上海快恢復(fù)二極管MURB1560