山東肖特基二極管MBRB2045CT

來源: 發(fā)布時間:2024-01-13

    肖特基二極管和快恢復二極管兩種二極管都是單向?qū)щ?,可用于整流場合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高,但是它的恢復速度低,只能用在低頻的整流上,如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發(fā)生反向漏電,將導致管子嚴重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低,但是它的恢復速度快,可以用在高頻場合,故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用,盡管如此,開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數(shù)百納秒或更長,后者則在100納秒以下。肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管,簡稱肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode),具有正向壓降低()、反向恢復時間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場合。這兩種管子通常用于開關(guān)電源。肖特基二極管和快恢復二極管區(qū)別:前者的恢復時間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復時間大約為幾納秒~!前者的優(yōu)點還有低功耗,大電流。 MBRF2045CT是什么類型的管子?山東肖特基二極管MBRB2045CT

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    用多級結(jié)終端擴展技術(shù)制作出擊穿電壓高達KVNi/4H-SiC肖特基二極管,外延的摻雜濃度為×10cm,厚度為115μm,此肖特基二極管利用多級結(jié)終端擴展技術(shù)來保護肖特基結(jié)邊緣以防止它提前擊穿。[1]國內(nèi)的SiC功率器件研究方面因為受到SiC單晶材料和外延設(shè)備的限制起步比較晚,但是卻緊緊跟蹤國外碳化硅器件的發(fā)展形勢。國家十分重視碳化硅材料及其器件的研究,在國家的大力支持下經(jīng)已經(jīng)初步形成了研究SiC晶體生長、SiC器件設(shè)計和制造的隊伍。電子科技大學致力于器件結(jié)構(gòu)設(shè)計方面,在新結(jié)構(gòu)、器件結(jié)終端和器件擊穿機理方面做了很多的工作,并且提出寬禁帶半導體器件優(yōu)值理論和寬禁帶半導體功率雙極型晶體管特性理論。[1]34H-SiC結(jié)勢壘肖特基二極管功率二極管是功率半導體器件的重要組成部分,主要包括PiN二極管,肖特基勢壘二極管和結(jié)勢壘控制肖特基二極管。本章主要介紹了肖特基勢壘的形成及其主要電流輸運機理。并詳細介紹了肖特基二極管和結(jié)勢壘控制肖特基二極管的電學特性及其工作原理,為后兩章對4H-SiCJBS器件電學特性的仿真研究奠定了理論基礎(chǔ)。[2]肖特基二極管肖特基二極管是通過金屬與N型半導體之間形成的接觸勢壘具有整流特性而制成的一種屬-半導體器件。TO220F封裝的肖特基二極管MBR3060PT肖特基二極管MBRF20200CT廠家直銷!價格優(yōu)惠!質(zhì)量保證!交貨快捷!

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    穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管,英文名稱Zenerdiode,又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到一個很小的數(shù)值,在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,因為這種特性,穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多,反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時,反向電阻很大,反向漏電流極小。但是,當反向電壓臨近反向電壓的臨界值時,反向電流驟然增大,稱為擊穿,在這一臨界擊穿點上,反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內(nèi)變化,而二極管兩端的電壓卻基本上穩(wěn)定在擊穿電壓附近,從而實現(xiàn)了二極管的穩(wěn)壓功能。肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的。MBRF10100CT是什么類型的管子?

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    所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中散播。顯然,金屬A中并未空穴,也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不停從B散播到A,B表面電子濃度日益減低,表面電中性被毀壞,于是就形成勢壘,其電場方向為B→A。但在該電場功用之下,A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動,從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當成立起一定寬度的空間電荷區(qū)后,電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的抵消,便形成了肖特基勢壘。特基二極管和整流二極管的差異肖特基(Schottky)二極管是一種快回復二極管,它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其明顯的特色為反向回復時間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航?。肖特基(Schottky)二極管多當作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、維護二極管,也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管用到。常用在彩電的二次電源整流,高頻電源整流中。肖特基二極管與一般整流二極管有什么差別呢?肖特基二極管與一般整流二極管相比之下特別之處在于哪里?就讓我們一齊深造一下。由半導體-半導體接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢壘的特點使得肖特基二極管的導通電壓降較低,而且可以提高切換的速度。山東肖特基二極管MBRB2045CT