廣東廠家直供美國IONPURE EDI模塊

IONPURE EDI配管簡單，只需配進水母管、產(chǎn)品水出管和濃縮水返回管，而其他品牌EDI需進水母管、產(chǎn)品水出管、濃縮水返回管、循環(huán)水管和電極水管； IONPURE EDI無循環(huán)泵控制電盤，而其他品牌EDI需循環(huán)泵控制電盤； IONPURE EDI不需注入鹽水循環(huán)，因此不會在陽極產(chǎn)生氯氣，破壞膜塊內(nèi)膜片，而其他品牌EDI會在陽極產(chǎn)生氯氣，破壞膜片，影響人員健康； IONPURE EDI**膜塊電源控制，單一膜塊需維護或故障時不影響其它膜塊組運轉(zhuǎn)，而其他品牌EDI所有膜塊共用一個電源控制，單一膜塊故障時需整個系統(tǒng)停止運轉(zhuǎn)； IONPURE EDI有高溫**膜塊可供選用，而其他品牌EDI無高溫**膜塊設(shè)計。美國IONPURE EDI模塊上海純超環(huán)保經(jīng)銷多年。廣東廠家直供美國IONPURE EDI模塊

影響ionpureEDI模塊性能的主要污染物有二氧化碳、懸浮顆粒及膠體等，這些污染物會帶來以下危害：

  1、氧化劑：給水中的氧化劑會氧化樹脂和離子交換膜，并導致樹脂和膜的降解從而降低交換容量和選擇透過性能。氧化還會引起樹脂裂解，造成進出水壓力降上升，膜堆壽命縮短。

  2、活性金屬：很低濃度的活性金屬即可以催化氧化交換樹脂和膜，并可被大量樹脂和膜吸附使其交換能力下降，使樹脂和膜的離子傳導作用減弱，從而造成ionpureEDI模塊性能衰減。

  3、懸浮顆粒和膠體：顆粒和膠體物質(zhì)可以用污染指 數(shù)值表征。水中的懸浮顆粒和膠體物質(zhì)會對樹脂及膜形成污染，并造成ionpureEDI模塊內(nèi)部流道的堵塞，使膜堆給水壓力升高。 江蘇廠家直供美國IONPURE EDI模塊的特點美國IONPURE EDI模塊上海純超環(huán)保推薦咨詢。

美國ionpure edi模塊的進水指標要求： ◎通常為單級反滲透或二級反滲透的滲透水 ◎TEA（總可交換陰離子，以CaCO3計）：<25ppm。 ◎電導率：<40μS/cm。 ◎PH：6.0～9.0。當總硬度低于0.1ppm時，edi比較好工作的pH范圍為8.0～9.0。 ◎溫度：5～35℃。 ◎進水壓力：<4bar（60psi）。 ◎硬度：（以CaCO3計）：<1.0ppm。 ◎有機物（TOC）：<0.5ppm。 ◎氧化劑：Cl2<0.05ppm，O3<0.02ppm。 ◎變價金屬：Fe<0.01ppm，Mn<0.02ppm。 ◎H2S：<0.01ppm。 ◎二氧化硅：<0.5ppm。 ◎色度：<5APHA。 ◎二氧化碳的總量：<10ppm。 ◎ SDI 15min：<1.0。

    根據(jù)美國IONPURE IP-LXM45ZEDI模塊系統(tǒng)的運行狀態(tài)，EDI系統(tǒng)的清洗采用酸洗—消毒—堿洗的方法來清洗EDI模塊。

1．

  清洗時，EDI系統(tǒng)的淡水室、濃水室和極水室都需要清洗。即清洗液從“原水進”和”濃水進”清洗口進入EDI，從“產(chǎn)水”、“濃水出”、“極水出”回到清洗水箱。（正洗）

2．

第 一步 酸洗：清洗水箱中配制2.0%鹽酸溶液，循環(huán)30分鐘。

      沖洗：清洗水箱中酸洗液放掉后，將水箱中水沖洗至中性，然后將清洗進和回流管清洗到回流水至中性。

第二步 消毒：清洗水箱中配制0.2%的H2O2溶液（約用25% H2O2的濃10kg）循環(huán)50分鐘。

      沖洗：清洗水箱中消毒液放掉后，清洗EDI至水箱中回流水至電導率降至100μs/cm以下。

第三步：堿洗：水箱中配制1.2%NaOH+5.0%NaCL 的溶液，循環(huán)50分鐘。

      沖洗：清洗水箱中消毒液放掉后，清洗EDI至水箱中回流水至電導率降至100μs/cm以下。

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如果電壓降低或是進水的總離子水平提高的話,那么系統(tǒng)中的樹脂會更多的和離子發(fā)生交換,相應的工作區(qū)間就往出水側(cè)移動,直至達到新的平衡,或是穿透,這一過程中,出水電導會發(fā)生一定的變化,出水的弱電離子增加是最明顯的表現(xiàn)。如果電壓上升或是進水離子減少,則系統(tǒng)的工作區(qū)間會向進水側(cè)發(fā)生移動,表現(xiàn)為出水水質(zhì)變好,弱電離子的含量減少。所以判斷系統(tǒng)的平衡狀態(tài)可以通過出水水質(zhì)變化,弱電離子的漏出多少來實現(xiàn),并可以通過工作區(qū)間的移動來解釋。

     濃水流量的變化是另一個調(diào)節(jié)系統(tǒng)平衡的要素,特別是對于系統(tǒng)中的電流有直接影響。濃水的流量對去除弱電離子Ｓｉ也有一定關(guān)系。由于Ｓｉ在２５℃,ｐＨ值是６～８的水體中的溶解度是１２０ｍｇ／Ｌ。所以進水的濃縮倍率達到一定程度后,Ｓｉ在濃水中就會飽和,導致不能進行更深度的除硅,這也是確定濃水流量下限的條件之一。 廣東廠家直供美國IONPURE EDI模塊

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