廣東igbt驅動開關可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

來源: 發(fā)布時間:2024-09-23

4.可關斷晶閘管可關斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點是,當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前,大功率可關斷晶閘管已廣用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域,顯示出強大的生命力。5.光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射,沒有必要再引出控制極,所以只有兩個電極(陽極A和陰極K),結構與普通可控硅一樣,是由四層PNPN器件構成。圖2光控晶閘管符號圖當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,陰極加上負向電壓時,控晶閘管可以等效成的電路。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的,只是它對光源的波長有一定的要求,有選擇性。波長在0.8——0.9um的紅外線及波長在1um左右的激光,都是光控晶閘管較為理想的光源。晶閘管的應用晶閘管是一種開關元件,具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作。它基本的用途就是可控整流,其工作過程可以控制,具有體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等優(yōu)點?;谏鲜鎏攸c。上海寅涵供應現(xiàn)貨門極關斷可控硅(GTO);廣東igbt驅動開關可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

可控硅(晶閘管)

或電流)的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向導通狀態(tài)。3.一旦晶閘管開始導通,它就被鉗住在導通狀態(tài),而此時門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關斷,像一個二極管一樣導通,直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時,它才會截止。當晶閘管再次進入正向阻斷狀態(tài)后,允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導通。晶閘管可用兩個不同極性(P-N-P和N-P-N)晶體管來模擬,如圖G1所示。當晶閘管的柵極懸空時,BG1和BG2都處于截止狀態(tài),此時電路基本上沒有電流流過負載電阻RL,當柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通,使BG1的基極電位下降,BG1因此開始道通,BG1的道通使得BG2的基極電位進一步升高,BG1的基極電位進一步下降,經過這一個正反饋過程使BG1和BG2進入飽和道通狀態(tài)。電路很快從截止狀態(tài)進入道通狀態(tài),這時柵極就算沒有觸發(fā)脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態(tài)不變。如果此時在陽極和陰極加上反向電壓,由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態(tài)所以電路很快截止,另外如果加大負載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少,當減少到某一個值時由于電路的正反饋作用,電路將很快從道通狀態(tài)翻轉為截止狀態(tài),我們稱這個電流為維持電流。吉林脈沖可控硅(晶閘管)富士IGBT晶閘管在工業(yè)中的應用越來越廣,隨著行業(yè)的應用范圍增大。

廣東igbt驅動開關可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨,可控硅(晶閘管)

1)斷態(tài)重復峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下,可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,其數(shù)值比正向轉折電壓小100V。(2)反向重復峰值電壓URRM在控制極斷路時,可以重復加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個數(shù)值標作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞,因而在選用的時候,額定電壓一個應該為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為安全系數(shù)。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標準散熱即全導通的條件下,晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內)的平均值,稱為額定通態(tài)平均電流IT,簡稱額定電流。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下,維持元件繼續(xù)導通的**小電流稱為維持電流IH。一般為幾十毫安~一百多毫安,其數(shù)值與元件的溫度成反比,在120攝氏度時維持電流約為25攝氏度時的一半。當晶閘管的正向電流小于這個電流時,晶閘管將自動關斷。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類型:晶閘管有多種類型,應根據(jù)應用電路的具體要求合理選用。

這對晶閘管是非常危險的。開關引起的沖擊電壓分為以下幾類:(1)AC電源被切斷過電壓而產生例如,交流以及開關的開閉、交流側熔斷器的熔斷等引起的過電壓,這些系統(tǒng)過電壓問題由于我國變壓器內部繞組的分布進行電容、漏抗造成的諧振控制回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地,開閉運動速度越來越快過電壓能力越高,在空載情況下可以斷開回路設計將會有更高的過電壓。(2)直流側產生的過電壓如果截止電路的電感很大或者截止電路的電流值很大,就會產生較大的過電壓。這種情況經常出現(xiàn)在切斷負荷、導通晶閘管開路或快速熔斷器熔斷時,引起電流突變。(3)換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內部各結層殘存載流子復合所產生的,所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓。換相過電壓之后,出現(xiàn)換相振蕩過電壓,它是由于電感、電容形成共振產生的振蕩電壓,其值與換相結束后的反向電壓有關。反向電壓越高,換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因,可以采取不同的抑制方法,如減少過電壓源,并使過電壓幅值衰減;抑制過電壓能量上升的速率,延緩已產生能量的消散速度,增加其消散的途徑。在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件。

廣東igbt驅動開關可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨,可控硅(晶閘管)

晶閘管陽極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻,處于截止狀態(tài)(稱為正向阻斷狀態(tài)),簡稱斷態(tài)。當陽極電壓上升到某一數(shù)值時,晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉化為導通狀態(tài),簡稱通態(tài)。陽極這時的電壓稱為斷態(tài)不重復峰值電壓(UDSM),或稱正向轉折電壓(UBO)。導通后,元件中流過較大的電流,其值主要由限流電阻(使用時由負載)決定。在減小陽極電源電壓或增加負載電阻時,陽極電流隨之減小,當陽極電流小于維持電流IH時,晶閘管便從導通狀態(tài)轉化為阻斷狀態(tài)。由圖可看出,當晶閘管控制極流過正向電流Ig時,晶閘管的正向轉折電壓降低,Ig越大,轉折電壓越小,當Ig足夠大時,晶閘管正向轉折電壓很小,一加上正向陽極電壓,晶閘管就導通。實際規(guī)定,當晶閘管元件陽極與陰極之間加上6V直流電壓時,能使元件導通的控制極**小電流(電壓)稱為觸發(fā)電流(電壓)。在晶閘管陽極與陰極間加上反向電壓時,開始晶閘管處于反向阻斷狀態(tài),只有很小的反向漏電流流過。當反向電壓增大到某一數(shù)值時,反向漏電流急劇增大,這時,所對應的電壓稱為反向不重復峰值電壓(URSM),或稱反向轉折(擊穿)電壓(UBR)??梢姡чl管的反向伏安特性與二極管反向特性類似。晶閘管晶閘管的開通和關斷的動態(tài)過程的物理過程較為復雜??刂茦O觸發(fā)電流(IGT),俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。廣東igbt驅動開關可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

可關斷可控硅平板型原裝現(xiàn)貨華東總代理。廣東igbt驅動開關可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

當選擇替代晶閘管,無論什么參數(shù),不要有太多的左邊距,它應該是盡可能接近的取代晶閘管的參數(shù),由于過度保證金不造成浪費,而且有時副作用,即沒有觸發(fā),或不敏感等。另外,還要留意兩個晶閘管的外形要相同,否則會給企業(yè)安裝管理工作發(fā)展帶來一些不利。晶閘管的工作原理的陽極A和陰極K,其陽極A和陰極K與電源和負載連接,形成晶閘管的主電路,晶閘管的柵極G和陰極與控制晶閘管的裝置連接,形成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件:1.當晶閘管承受反向陽極電壓時,無論門極電壓是多少,晶閘管都會被關閉。2.當所述晶閘管的陽極電壓是正向,在晶閘管的柵極電壓是正向傳導只的情況。3.晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向影響陽極工作電壓,不論門極電壓以及如何,晶閘管同時保持導通,即晶閘管導通后,門極失去重要作用。4.在晶閘管被導通,當所述主回路電壓(或電流)被減小到接近零,晶閘管關斷。廣東igbt驅動開關可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨