多端口矩陣測試DDR3測試修理

來源: 發(fā)布時間:2024-01-07

DDR4: DDR4釆用POD12接口,I/O 口工作電壓為1.2V;時鐘信號頻率為800?1600MHz; 數(shù)據(jù)信號速率為1600?3200Mbps;數(shù)據(jù)命令和控制信號速率為800?1600Mbps。DDR4的時 鐘、地址、命令和控制信號使用Fly-by拓撲走線;數(shù)據(jù)和選通信號依舊使用點對點或樹形拓 撲,并支持動態(tài)ODT功能;也支持Write Leveling功能。

綜上所述,DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號都釆用對稱的樹形拓撲;DDR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號也延用點對點或樹形拓撲。升級到DDR2后,為了改進信號質(zhì)量,在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號設(shè)計了片上終端電阻ODT(OnDieTermination),并為優(yōu)化時序提供了差分的選通信號。DDR3速率更快,時序裕量更小,選通信號只釆用差分信號。 DDR3一致性測試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境?多端口矩陣測試DDR3測試修理

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瀏覽選擇控制器的IBIS模型,切換到Bus Definition選項卡,單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮,將鼠標(biāo)移動到Signal Names下方高亮處,單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號,單擊0K按鈕確認。

同樣,在Timing Ref下方高亮處,單擊出現(xiàn)的字母E打開TimingRef列表。在這個列表 窗口左側(cè),用鼠標(biāo)左鍵點選DQS差分線的正端,用鼠標(biāo)右鍵點選負端,單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認。

很多其他工具都忽略選通Strobe信號和時鐘Clock信號之間的時序分析功能,而SystemSI可以分析包括Strobe和Clock在內(nèi)的完整的各類信號間的時序關(guān)系。如果要仿真分析選通信號Strobe和時鐘信號Clock之間的時序關(guān)系,則可以設(shè)置與Strobe對應(yīng)的時鐘信號。在Clock 下方的高亮處,單擊出現(xiàn)的字母E打開Clock列表。跟選擇與Strobe -樣的操作即可選定時 鐘信號。 多端口矩陣測試DDR3測試修理DDR3一致性測試需要運行多長時間?

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· 工業(yè)規(guī)范標(biāo)準,Specification:如果所設(shè)計的功能模塊要實現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準接口或者協(xié)議,那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準,讀懂規(guī)范之后,才能開始設(shè)計。

因此,為實現(xiàn)本設(shè)計實例中的 DDR 模塊,需要的技術(shù)資料和文檔。

由于我們要設(shè)計 DDR 存儲模塊,那么在所有的資料當(dāng)中,應(yīng)該較早了解 DDR 規(guī)范。通過對 DDR 規(guī)范文件「JEDEC79R」的閱讀,我們了解到,設(shè)計一個 DDR 接口,需要滿足規(guī)范中規(guī)定的 DC,AC 特性及信號時序特征。下面我們從設(shè)計規(guī)范要求和器件本身特性兩個方面來解讀,如何在設(shè)計中滿足設(shè)計要求。

DDR信號的DC和AC特性要求之后,不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對于一般信號而言,DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中,我們可以注意一下,其Overshoot和Undershoot指向的位置,到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn),是沒有辦法從這個指示當(dāng)中獲得準確的電壓值的。這是因為,在DDR中,信號的AC特性所要求的不再是具體的電壓值,而是一個電源和時間的積分值。影面積所示的大小,而申壓和時間的積分值,就是能量!因此,對于DDR信號而言,其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小,而是能量的大小!這一點是不同于任何一個其他信號體制的,而且能量信號這個特性,會延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當(dāng)中,我們會在DDR2和DDR3的信號體制中,更加深刻地感覺到能量信號對于DDRx系統(tǒng)含義。當(dāng)然,除了能量的累積不能超過AC規(guī)范外,比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限,否則,無需能量累積,足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。如何解決DDR3一致性測試期間出現(xiàn)的錯誤?

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單擊Impedance Plot (expanded),展開顯示所有網(wǎng)絡(luò)走線的阻抗彩圖。雙擊彩圖 上的任何線段,對應(yīng)的走線會以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示。

單擊Impedance Table,可以詳細查看各個網(wǎng)絡(luò)每根走線詳細的阻抗相關(guān)信息,內(nèi) 容包括走線名稱、走線長度百分比、走線阻抗、走線長度、走線距離發(fā)送端器件的距離、走 線延時,

單擊Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout視圖中查看走線的阻抗。在 Layer Selection窗口中單擊層名稱,可以切換到不同層查看走線阻抗視圖。 DDR3一致性測試是否包括高負載或長時間運行測試?多端口矩陣測試DDR3測試修理

DDR3一致性測試是否適用于筆記本電腦上的內(nèi)存模塊?多端口矩陣測試DDR3測試修理

可以通過AllegroSigritySI仿真軟件來仿真CLK信號。

(1)產(chǎn)品選擇:從產(chǎn)品菜單中選擇AllegroSigritySI產(chǎn)品。

(2)在產(chǎn)品選擇界面選項中選擇AllegroSigritySI(forboard)。

(3)在AllegroSigritySI界面中打開DDR_文件。

(4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設(shè)置電路板層疊參數(shù)。

將DDRController和Memory器件的IBIS模型和文件放在當(dāng)前DDR_文件的同一目錄下,這樣,工具會自動?xùn)苏业侥夸浵碌钠骷P汀?多端口矩陣測試DDR3測試修理