6.信號(hào)及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號(hào)切換情況下,其電源的容差性。當(dāng)未符合此容差要求時(shí),將會(huì)導(dǎo)致很多的問(wèn)題,比如加大時(shí)鐘抖動(dòng)、數(shù)據(jù)抖動(dòng)和串?dāng)_。這里,可以很好的理解與去偶相關(guān)的理論,現(xiàn)在從”目標(biāo)阻抗”的公式定義開(kāi)始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent(1)在這里,關(guān)鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流(TransientCurrent)的影響,另一個(gè)重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里,去耦網(wǎng)絡(luò)必須確保它的阻抗等于或小于目標(biāo)阻抗(Ztarget)。在一塊PCB上,由電源和地層所構(gòu)成的電容,以及所有的去耦電容,必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下,在電壓調(diào)節(jié)模塊里的大電容可以很好的進(jìn)行去耦。而頻率在200MHz以上的,則應(yīng)該由片上電容或用的封裝好的電容進(jìn)行去耦。DDR3總線(xiàn)的解碼方法;廣西DDR測(cè)試銷(xiāo)售
DDR測(cè)試
在進(jìn)行接收容限測(cè)試時(shí),需要用到多通道的誤碼儀產(chǎn)生帶壓力的DQ、DQS等信號(hào)。測(cè)試中被測(cè)件工作在環(huán)回模式,DQ引腳接收的數(shù)據(jù)經(jīng)被測(cè)件轉(zhuǎn)發(fā)并通過(guò)LBD引腳輸出到誤碼儀的誤碼檢測(cè)端口。在測(cè)試前需要用示波器對(duì)誤碼儀輸出的信號(hào)進(jìn)行校準(zhǔn),如DQS與DQ的時(shí)延校準(zhǔn)、信號(hào)幅度校準(zhǔn)、DCD與RJ抖動(dòng)校準(zhǔn)、壓力眼校準(zhǔn)、均衡校準(zhǔn)等。圖5.21展示了一整套DDR5接收端容限測(cè)試的環(huán)境。
克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室
地址:深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 通信DDR測(cè)試銷(xiāo)售電話(huà)DDR工作原理與時(shí)序問(wèn)題;
克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室致敬信息論創(chuàng)始人克勞德·艾爾伍德·香農(nóng),以成為高數(shù)信號(hào)傳輸測(cè)試界的帶頭者為奮斗目標(biāo)。
克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室重心團(tuán)隊(duì)成員從業(yè)測(cè)試領(lǐng)域10年以上。實(shí)驗(yàn)室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器、誤碼儀、協(xié)議分析儀、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及附件,使用PCIE/USB-IF/WILDER等行業(yè)指定品牌夾具。堅(jiān)持以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員,嚴(yán)格按照行業(yè)測(cè)試規(guī)范,配備高性能的權(quán)能測(cè)試設(shè)備,提供給客戶(hù)更精細(xì)更權(quán)能的全方面的專(zhuān)業(yè)服務(wù)。 克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室提供具深度的專(zhuān)業(yè)知識(shí)及一系列認(rèn)證測(cè)試、預(yù)認(rèn)證測(cè)試及錯(cuò)誤排除信號(hào)完整性測(cè)試、多端口矩陣測(cè)試、HDMI測(cè)試、USB測(cè)試等方面測(cè)試服務(wù)。
8.PCBLayout在實(shí)際的PCB設(shè)計(jì)時(shí),考慮到SI的要求,往往有很多的折中方案。通常,需要優(yōu)先考慮對(duì)于那些對(duì)信號(hào)的完整性要求比較高的。畫(huà)PCB時(shí),當(dāng)考慮以下的一些相關(guān)因素,那么對(duì)于設(shè)計(jì)PCB來(lái)說(shuō)可靠性就會(huì)更高。1)首先,要在相關(guān)的EDA工具里設(shè)置好拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和相關(guān)約束。2)將BGA引腳突圍,將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節(jié)組的中間,由于所有這些分組操作,為了盡可能少的信號(hào)交叉,一些的管腳也許會(huì)被交換到其它區(qū)域布線(xiàn)。3)由串?dāng)_仿真的結(jié)果可知,盡量減少短線(xiàn)(stubs)長(zhǎng)度。通常,短線(xiàn)(stubs)是可以被削減的,但不是所有的管腳都做得到的。在BGA焊盤(pán)和存儲(chǔ)器焊盤(pán)之間也許只需要兩段的走線(xiàn)就可以實(shí)現(xiàn)了,但是此走線(xiàn)必須要很細(xì),那么就提高了PCB的制作成本,而且,不是所有的走線(xiàn)都只需要兩段的,除非使用微小的過(guò)孔和盤(pán)中孔的技術(shù)。終,考慮到信號(hào)完整性的容差和成本,可能選擇折中的方案。DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容方案;
DDR測(cè)試
DDR信號(hào)的要求是針對(duì)DDR顆粒的引腳上的,但是通常DDR芯片采用BGA封裝,引腳無(wú)法直接測(cè)試到。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方式,其測(cè)試到的信號(hào)與芯片引腳處的信號(hào)也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳處的信號(hào)質(zhì)量,一種常用的方法是在示波器中對(duì)PCB走線(xiàn)和測(cè)試夾具的影響進(jìn)行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個(gè)鏈路上各部分的S參數(shù)模型文件(通常通過(guò)仿真或者實(shí)測(cè)得到),并根據(jù)實(shí)際測(cè)試點(diǎn)和期望觀(guān)察到的點(diǎn)之間的傳輸函數(shù),來(lái)計(jì)算期望位置處的信號(hào)波形,再對(duì)這個(gè)信號(hào)做進(jìn)一步的波形參數(shù)測(cè)量和統(tǒng)計(jì)。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號(hào)質(zhì)量測(cè)試環(huán)境,以及在示波器中進(jìn)行去嵌入操作的界面。 DDR信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件;廣西DDR測(cè)試銷(xiāo)售
DDR總線(xiàn)利用率和讀寫(xiě)吞吐率的統(tǒng)計(jì);廣西DDR測(cè)試銷(xiāo)售
DDR測(cè)試信號(hào)和協(xié)議測(cè)試
DDR4一致性測(cè)試工作臺(tái)(用示波器中的一致性測(cè)試軟件分析DDR仿真波形)對(duì)DDR5來(lái)說(shuō),設(shè)計(jì)更為復(fù)雜,仿真軟件需要幫助用戶(hù)通過(guò)應(yīng)用IBIS模型針對(duì)基于DDR5顆?;駾IMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證,比如仿真驅(qū)動(dòng)能力、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄生電容、片上端接ODT、信號(hào)上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。
克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室
地址:深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 廣西DDR測(cè)試銷(xiāo)售
深圳市力恩科技有限公司主要經(jīng)營(yíng)范圍是儀器儀表,擁有一支專(zhuān)業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)和良好的市場(chǎng)口碑。公司業(yè)務(wù)涵蓋實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀等,價(jià)格合理,品質(zhì)有保證。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念,在儀器儀表深耕多年,以技術(shù)為先導(dǎo),以自主產(chǎn)品為重點(diǎn),發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì),打造儀器儀表良好品牌。在社會(huì)各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,不斷鑄造高質(zhì)量服務(wù)體驗(yàn),為客戶(hù)成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。