鄭州計(jì)算機(jī)集成電路測試

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-25

    深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù),誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)?;ミB層從工作mtj器件正下方連續(xù)延伸至調(diào)節(jié)mtj器件正下方。在一些實(shí)施例中,集成電路還包括連接在字線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件,字線和字線連接至字線解碼器。在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)mtj器件與調(diào)節(jié)mtj器件具有不同的尺寸。在一些實(shí)施例中。集成電路還包括連接在位線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件,字線連接至字線解碼器并且位線連接至位線解碼器。在一些實(shí)施例中。集成電路還包括連接在調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線,偏置電壓線連接至偏置電路,偏置電路被配置為選擇性地將偏置電壓施加至偏置電壓線。在又一些其它實(shí)施例中,涉及一種形成集成電路的方法。集成電路是一種將多個(gè)電子元件集成在一起的電路。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。鄭州計(jì)算機(jī)集成電路測試

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    圖2a和圖2b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的雙列直插式存儲模塊組件200。圖2a是雙列直插式存儲模塊組件200在其裝配狀態(tài)下的圖。雙列直插式存儲模塊組件200的分解圖在圖2b中示出。雙列直插式存儲模塊組件200包括印刷電路板202,印刷電路板202上安裝有一個(gè)或多個(gè)集成電路(一般地以204示出)。印刷電路板202一般是雙側(cè)的,集成電路204安裝在印刷電路板202的兩側(cè)上。熱接口材料206a、206b的層熱耦聯(lián)至集成電路204。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而,可以使用其他的熱接口材料,例如,使用諸如導(dǎo)熱膏及類似物。在所描繪的實(shí)施例中,具有一對側(cè)板208a、208b的能夠移除的散熱器與熱接口材料206a、206b的層物理接觸,并且因此所述散熱器熱耦聯(lián)至所述熱接口材料206a、206b。側(cè)板208a、208b可以由鋁制成。然而,可以使用其他材料來形成側(cè)板208a、208b,例如,使用諸如不銹鋼或類似物來形成側(cè)板。為了降造成本,側(cè)板208a、208b可以是相同的。能夠移除的一個(gè)或多個(gè)彈性夾210a、210b、210c、210d可以定位在側(cè)板208a、208b周圍,以將側(cè)板壓靠在熱接口材料206a、206b上,以確保合適的熱耦聯(lián)。圖3示出了圖2的雙列直插式存儲模塊組件200的一側(cè)的視圖。鄭州計(jì)算機(jī)集成電路測試純原無拆封的集成電路,只找深圳美信美科技。

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    圖a至圖b示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實(shí)施例,該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖a至圖b示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實(shí)施例,該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖至出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例,該存儲器電路包括存儲單元,該存儲單元包括被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例的流程圖,該存儲器電路包括存儲單元。該存儲單元包括被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。具體實(shí)施方式以下公開內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗O旅婷枋隽私M件和布置的具體實(shí)例以簡化。當(dāng)然,這些是實(shí)例,而不旨在限制。例如,以下描述中,在部件上方或者上形成部件可以包括部件和部件直接接觸形成的實(shí)施例。并且也可以包括在部件和部件之間可以形成額外的部件,從而使得部件和部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。

    圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例,該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實(shí)施例的示意圖,調(diào)節(jié)訪問裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和第三調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如,wl)和偏置電壓線(例如,bvl)之間,調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如,wl)和偏置電壓線(例如,bvl)之間,第三調(diào)節(jié)mtj器件連接在偏置電壓線(例如,bvl)和工作mtj器件之間。工作mtj器件連接在第三調(diào)節(jié)mtj器件和位線(例如,bl)之間。包含第三調(diào)節(jié)mtj器件在產(chǎn)生不同的電阻來控制相關(guān)的工作mtj器件內(nèi)的電流方面賦予調(diào)節(jié)訪問裝置更大的靈活性。圖b示出了對應(yīng)于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖。雖然關(guān)于具有調(diào)節(jié)mtj器件的調(diào)節(jié)訪問裝置描述了圖至圖b中示出的操作和/或裝置,但是應(yīng)該理解,公開的存儲單元不限于這樣的實(shí)施例。而且,在可選實(shí)施例中,圖至圖b的操作和/或裝置可以實(shí)施和/或包括具有調(diào)節(jié)薄膜電阻器(例如,包括鉭、氮化鉭、鈦、鎢等)的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖至出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例的截面圖至,該存儲器電路包括存儲單元(例如。未來,隨著國家產(chǎn)業(yè)政策扶持等宏觀政策貫徹落實(shí),國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)將逐步發(fā)展壯大。

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    介電結(jié)構(gòu)圍繞存儲單元a,。存儲單元a,包括工作mtj器件和具有調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件的調(diào)節(jié)訪問裝置。介電結(jié)構(gòu)還圍繞多個(gè)導(dǎo)電互連層a至f。多個(gè)導(dǎo)電互連層a至f包括互連層a,互連層a在存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)。互連層a通過互連層b和多個(gè)通孔a連接至存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第三互連層c具有離散的互連結(jié)構(gòu)。離散的互連結(jié)構(gòu)限定連接至圖的存儲器陣列的列內(nèi)的相應(yīng)存儲單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲器陣列的行內(nèi)的相應(yīng)存儲單元的位線bl。在一些實(shí)施例中,存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過多個(gè)通孔b連接至第三互連層c。在一些實(shí)施例中,一個(gè)或多個(gè)附加存儲單元可以布置在存儲單元a,上方。在這樣的實(shí)施例中,第四互連層d在存儲單元b,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)。第四互連層d通過第五互連層e和第三多個(gè)通孔c連接至存儲單元b,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第六互連層f限定連接至圖的存儲器陣列的列內(nèi)的相應(yīng)存儲單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲器陣列的行內(nèi)的相應(yīng)存儲單元的位線bl。在一些實(shí)施例中。深圳市美信美科技有限公司,你的穩(wěn)定集成電路供應(yīng)商。集成電路技術(shù)

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    化學(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層b。的截面圖所示,可以在存儲單元a,上方形成存儲單元b,。存儲單元b。可以包括工作mtj器件和調(diào)節(jié)訪問裝置,調(diào)節(jié)訪問裝置具有形成在第三互連層c和第四互連層d之間的調(diào)節(jié)mtj器件和。存儲單元b,可以根據(jù)與關(guān)于圖至圖描述的那些類似的步驟形成。出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例的流程圖,該存儲器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲單元(例如,mram單元),該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法示出和描述為一系列步驟或事件,但是應(yīng)該理解,這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如。一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時(shí)發(fā)生。此外,可能不是所有示出的步驟對于實(shí)施此處描述的一個(gè)或多個(gè)方面或?qū)嵤├际切枰?,并且此處描述的一個(gè)或多個(gè)步驟可以在一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的步驟和/或階段中實(shí)施。在步驟中,在襯底上方形成互連層。互連層可以形成在襯底上方的ild層內(nèi)。出了對應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中。在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個(gè)底電極通孔。出了對應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中。鄭州計(jì)算機(jī)集成電路測試

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