徐州扁平形溫度傳感器精度哪家好

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-11-18

    需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開(kāi)設(shè)通孔,通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開(kāi)設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器制備方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜與硅通過(guò)空腔隔離,空腔下方的硅不會(huì)影響上方氧化硅薄膜的隔離效果,因此無(wú)需通過(guò)深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉。簡(jiǎn)化了制備過(guò)程。節(jié)約制備時(shí)間,節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導(dǎo)熱率低,將測(cè)溫單元制備在氧化硅薄膜上,具有較好的測(cè)溫效果。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù),誠(chéng)信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。還涉及一種溫度傳感器,包括:基底。好的溫度傳感器供應(yīng),深圳美信美科技就是牛。徐州扁平形溫度傳感器精度哪家好

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    空腔上方為殘留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通過(guò)刻蝕工藝去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此時(shí)硅的厚度減小,繼續(xù)通過(guò)上述熱氧化、刻蝕和熱氧化的循環(huán)工藝逐漸減小空腔上方硅的厚度,直至后一次熱氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此實(shí)現(xiàn)上層氧化硅薄膜與下層硅通過(guò)空腔隔離。此時(shí),溫度傳感器的基作完成。在一實(shí)施例中,在得到上述氧化硅薄膜后還可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,由于氧化硅內(nèi)部存在較大的應(yīng)力,氧化硅薄膜容易斷裂。在氧化硅薄膜上面再淀積一層氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,可以平衡氧化硅內(nèi)部應(yīng)力。使氧化硅薄膜結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。步驟s:在所述氧化硅薄膜上形成測(cè)溫單元,所述測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度。在溫度傳感器基作完成后,需要做基底上形成測(cè)溫單元,測(cè)溫單元是溫度傳感器的工作單元。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。沈陽(yáng)無(wú)線溫度傳感器企業(yè)原裝溫度傳感器,找深圳美信美科技。

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    n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長(zhǎng)條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。在多晶硅層上淀積有第三金屬層,第三金屬層包括金屬結(jié)構(gòu)和第二金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)位于相鄰多晶硅條之間,該多晶硅條通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)連接,金屬結(jié)構(gòu)具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過(guò)該金屬結(jié)構(gòu)形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu),因此,當(dāng)具有m個(gè)多晶硅條時(shí)。需要m-個(gè)金屬結(jié)構(gòu)使多晶硅條串聯(lián)起來(lái)。一個(gè)n型多晶硅條與一個(gè)p型多晶硅條串聯(lián)形成一個(gè)塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu),在本方案中,是多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個(gè)測(cè)溫單元,因此。m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端,以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實(shí)施例中,第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu),利用兩不同類型的半導(dǎo)體兩端的溫度不同時(shí),會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢(shì),不同類型的半導(dǎo)體其溫差電動(dòng)勢(shì)不同。將兩種半導(dǎo)體兩端連接形成閉合回路時(shí),在回路中有電流產(chǎn)生。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR。

    公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。測(cè)溫單元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述測(cè)溫單元包括:金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于所述金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述測(cè)溫單元包括:多晶硅層,包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;和第三金屬層,所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過(guò)所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。附圖說(shuō)明圖為一實(shí)施例中溫度傳感器制備方法的方法流程圖;圖a~c為一實(shí)施例中溫度傳感器制備方法各步驟對(duì)應(yīng)生成的結(jié)構(gòu)剖視圖。圖為一實(shí)施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖為與圖對(duì)應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。溫度傳感器哪家質(zhì)量過(guò)關(guān)?認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美科技有限公司。

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    鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器,測(cè)溫單元設(shè)于氧化硅薄膜上,氧化硅薄膜具有較低的導(dǎo)熱率,因此不會(huì)影響測(cè)溫單元的測(cè)溫效果。且氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔,空腔下方的硅不會(huì)影響空腔上方的氧化硅的隔離效果,在溫度傳感器的制備過(guò)程中,無(wú)需通過(guò)深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉,因此簡(jiǎn)化了溫度傳感器的制備時(shí)間,節(jié)約了成本。以上實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合,為使描述簡(jiǎn)潔,未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述,然而,只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾,都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書(shū)記載的范圍。以上實(shí)施例表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。深圳美信美科技有限公司是溫度傳感器實(shí)力供貨商。鄭州光纖溫度傳感器選哪家

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    可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定,將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測(cè)實(shí)際環(huán)境溫度,當(dāng)環(huán)境溫度發(fā)生變化時(shí),冷端和熱端的溫差發(fā)生變化,因此冷端的電勢(shì)會(huì)發(fā)生變化,與顯示儀表連接后,顯示儀表會(huì)顯示熱電偶受當(dāng)前環(huán)境溫度影響得到的電勢(shì)所對(duì)應(yīng)的熱端溫度,即當(dāng)前環(huán)境溫度。通常,形成測(cè)溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層,并在鈍化層上對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁層,對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對(duì)金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)。同時(shí),需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開(kāi)設(shè)通孔,通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開(kāi)設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器制備方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜與硅通過(guò)空腔隔離,空腔下方的硅不會(huì)影響上方氧化硅薄膜的隔離效果,因此無(wú)需通過(guò)深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉,簡(jiǎn)化了制備過(guò)程。節(jié)約制備時(shí)間,節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導(dǎo)熱率低,將測(cè)溫單元制備在氧化硅薄膜上,具有較好的測(cè)溫效果。徐州扁平形溫度傳感器精度哪家好

標(biāo)簽: 溫度傳感器 集成電路