重慶通用溫度傳感器工藝

    公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。該多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻；p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同，在本方案中，n型多晶硅條和p型多晶硅條為長(zhǎng)條型，多晶硅條平行設(shè)置，具有相同的間距。在多晶硅層上淀積有第三金屬層，第三金屬層包括金屬結(jié)構(gòu)和第二金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)位于相鄰多晶硅條之間，該多晶硅條通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)連接，金屬結(jié)構(gòu)具體為位于相鄰多晶硅條端部位置，所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過(guò)該金屬結(jié)構(gòu)形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)具有m個(gè)多晶硅條時(shí)，需要m-個(gè)金屬結(jié)構(gòu)使多晶硅條串聯(lián)起來(lái)。一個(gè)n型多晶硅條與一個(gè)p型多晶硅條串聯(lián)形成一個(gè)塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu)，在本方案中，是多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個(gè)測(cè)溫單元，因此。深圳美信美科技有限公司是靠譜的溫度傳感器現(xiàn)貨供應(yīng)商。重慶通用溫度傳感器工藝

    熱退火在氫氣環(huán)境中進(jìn)行。步驟s130：氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。通過(guò)熱氧化工藝氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜23(如圖2c所示)。在900℃～1200℃的高溫環(huán)境中，通過(guò)外部供給氧氣或者水蒸氣使之與硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，可以在空腔上方得到一層熱生長(zhǎng)的氧化層。由于當(dāng)氧化層達(dá)到一定厚度時(shí)，氧化反應(yīng)幾乎停止，因此當(dāng)難以通過(guò)一次氧化工藝將空腔上方的硅全部氧化成氧化硅時(shí)，需要通過(guò)多次氧化步驟實(shí)現(xiàn)將空腔上方的硅全部氧化，具體為，進(jìn)行次熱氧化生成一層氧化硅薄膜后，空腔上方為殘留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜，通過(guò)刻蝕工藝去除上方的氧化硅薄膜，保留空腔上方的硅，此時(shí)硅的厚度減小，繼續(xù)通過(guò)上述熱氧化、刻蝕和熱氧化的循環(huán)工藝逐漸減小空腔上方硅的厚度，直至后一次熱氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜，由此實(shí)現(xiàn)上層氧化硅薄膜與下層硅通過(guò)空腔隔離。此時(shí)，溫度傳感器的基作完成。在一實(shí)施例中，在得到上述氧化硅薄膜后還可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜，由于氧化硅內(nèi)部存在較大的應(yīng)力，氧化硅薄膜容易斷裂，在氧化硅薄膜上面再淀積一層氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜，可以平衡氧化硅內(nèi)部應(yīng)力。天津特大規(guī)模溫度傳感器企業(yè)深圳美信美提供靠譜的溫度傳感器芯片。

    在另一實(shí)施例中，也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積，鉑熱電阻呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖4所示)。金屬鉑層30外側(cè)兩端淀積有一層第二金屬層40，該第二金屬層40可為金屬鋁層，用于從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子，即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過(guò)鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器，利用金屬鉑在溫度變化時(shí)自身電阻值也會(huì)隨著溫度改變的特性來(lái)測(cè)量溫度，溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接，顯示儀表會(huì)顯示受溫度影響得到的鉑電阻對(duì)應(yīng)的溫度值。在一實(shí)施例中，因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑，對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層，其上還形成有一層鈍化層，可對(duì)金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時(shí)，需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)有通孔，通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中，是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實(shí)施例中，測(cè)溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu)，包括：多晶硅層，包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條；和第三金屬層。

    m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端，以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實(shí)施例中，第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu)，利用兩不同類型的半導(dǎo)體兩端的溫度不同時(shí)，會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢(shì)，不同類型的半導(dǎo)體其溫差電動(dòng)勢(shì)不同。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。將兩種半導(dǎo)體兩端連接形成閉合回路時(shí)，在回路中有電流產(chǎn)生，半導(dǎo)體兩端的溫差不同時(shí)，所產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)不同。在本方案中，采用n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體構(gòu)成塞貝克結(jié)構(gòu)且多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)，可以增強(qiáng)溫度傳感器的靈敏度。在一實(shí)施例中，可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測(cè)實(shí)際環(huán)境溫度，當(dāng)環(huán)境溫度發(fā)生變化時(shí)，冷端和熱端的溫差發(fā)生變化，因此冷端的電勢(shì)會(huì)發(fā)生變化，與顯示儀表連接后。深圳有哪家溫度傳感器現(xiàn)貨商？深圳美信美科技有限公司。

    基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測(cè)溫單元，測(cè)溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度。如圖c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測(cè)溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過(guò)該測(cè)溫單元感知溫度后形成電信號(hào)并輸出，在本方案中，測(cè)溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實(shí)施例中，測(cè)溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu)，包括：金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)；和第二金屬層，位于金屬鉑層外側(cè)兩端，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示，氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層，該金屬層為金屬鉑層，即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實(shí)施例中，也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積，鉑熱電阻呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖所示)。金屬鉑層外側(cè)兩端淀積有一層第二金屬層。該第二金屬層可為金屬鋁層，用于從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。進(jìn)口溫度傳感器，認(rèn)準(zhǔn)深圳市美信美科技。石家莊小米溫度傳感器封裝

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    上述溫度傳感器制備方法，可以得到氧化硅薄膜，且氧化硅薄膜與硅通過(guò)空腔隔離，空腔下方的硅不會(huì)影響上方氧化硅薄膜的隔離效果，因此無(wú)需通過(guò)深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉，簡(jiǎn)化了制備過(guò)程，節(jié)約制備時(shí)間，節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導(dǎo)熱率低，將測(cè)溫單元制備在氧化硅薄膜上，具有較好的測(cè)溫效果，使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。本發(fā)明還涉及一種溫度傳感器，包括：基底，基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測(cè)溫單元，測(cè)溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度。如圖2c所示，基底包括硅片20和氧化硅薄膜23，硅片20和氧化硅薄膜之間形成有空腔22。測(cè)溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過(guò)該測(cè)溫單元感知溫度后形成電信號(hào)并輸出，在本方案中，測(cè)溫單元形成于氧化硅薄膜23上且位于空腔上方。在一實(shí)施例中，測(cè)溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu)，包括：金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)；和第二金屬層，位于金屬鉑層外側(cè)兩端，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖3和圖4所示，氧化硅薄膜23上淀積有一層金屬層30，該金屬層30為金屬鉑層，即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。重慶通用溫度傳感器工藝