惠州射頻溫度傳感器精度

來源: 發(fā)布時間:2023-11-16

    需要在對應溫度傳感器引出端子處開設通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器制備方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜與硅通過空腔隔離,空腔下方的硅不會影響上方氧化硅薄膜的隔離效果,因此無需通過深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉,簡化了制備過程。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。節(jié)約制備時間,節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導熱率低,將測溫單元制備在氧化硅薄膜上,具有較好的測溫效果,使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。本發(fā)明還涉及一種溫度傳感器,包括:基底,基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測溫單元,測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。深圳美信美溫度傳感器品質(zhì)好?;葜萆漕l溫度傳感器精度

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    凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務,誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務。半導體兩端的溫差不同時,所產(chǎn)生的電動勢不同。在本方案中。采用n型半導體和p型半導體構(gòu)成塞貝克結(jié)構(gòu)且多個塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián),可以增強溫度傳感器的靈敏度。在一實施例中,可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定,將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測實際環(huán)境溫度,當環(huán)境溫度發(fā)生變化時,冷端和熱端的溫差發(fā)生變化,因此冷端的電勢會發(fā)生變化,與顯示儀表連接后,顯示儀表會顯示熱電偶受當前環(huán)境溫度影響得到的電勢所對應的熱端溫度,即當前環(huán)境溫度。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu),對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還需形成有一層鈍化層,可對金屬結(jié)構(gòu)進行保護。同時,需要在對應溫度傳感器引出端子處開設有通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設有通孔。長春無線溫度傳感器哪個品牌好深圳市美信美科技有限公司,你的穩(wěn)定溫度傳感器供應商。

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    同時,需要在對應溫度傳感器引出端子處開設通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設的氧化硅層和氮化硅層。在一實施例中,測溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過程為:步驟s:在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,所述多晶硅層包括并排且間隔設置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。如圖和圖所示,在氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,該多晶硅層包括并排且間隔設置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導電類型為n型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型,多晶硅條平行設置,具有相同的間距。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。

    溝槽的寬度為溝槽側(cè)壁的大距離,如果溝槽為圓形,則溝槽的寬度為其直徑,如果溝槽為正方形,則溝槽的寬度為其對角的距離。步驟s120:熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔,且所述硅片在空腔上方連接起來,將所述空腔封閉。對開設有溝槽21的硅片20進行適當?shù)臒崽幚?,當硅片被加熱到一定溫度時,硅原子的振動能較大,導致原子的移動能加強,硅原子會發(fā)生遷移。由于硅片上開設有溝槽,且溝槽側(cè)壁的間距較小,當硅原子遷移運動達到一定程度時,硅原子會進入溝槽21內(nèi),硅片內(nèi)部的溝槽21會發(fā)生形變,溝槽21上部被硅封閉,若干溝槽21中間部位相互連通,形成一空腔22(如圖2b所示)。即空腔22處于硅片的中間,空腔22的上部和下部均具有硅結(jié)構(gòu),上下硅結(jié)構(gòu)被空腔22隔離開。在一實施例中,熱退火的溫度可為1000℃。改變溝槽21的間距,可以得到不同形態(tài)的空腔,且間距越大,所需的退火溫度就越高,但是退火的持續(xù)時間不超過20min。在本實施例中,溝槽陣列中溝槽之間的間距大于內(nèi)部溝槽的間距,如此可以避免在空腔邊緣處形成缺口。同時,熱退火需要在一隔離環(huán)境中進行,如真空環(huán)境或者惰性氣體環(huán)境,保證在熱退火過程中硅不會與環(huán)境中的物質(zhì)發(fā)生化學反應。在本實施例中。深圳美信美科技有限公司是靠譜的溫度傳感器現(xiàn)貨供應商。

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    n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型,多晶硅條平行設置,具有相同的間距。在多晶硅層上淀積有第三金屬層,第三金屬層包括金屬結(jié)構(gòu)和第二金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)位于相鄰多晶硅條之間,該多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)連接,金屬結(jié)構(gòu)具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結(jié)構(gòu)形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu),因此,當具有m個多晶硅條時。需要m-個金屬結(jié)構(gòu)使多晶硅條串聯(lián)起來。一個n型多晶硅條與一個p型多晶硅條串聯(lián)形成一個塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu),在本方案中,是多個塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個測溫單元,因此。m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端,以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實施例中,第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu),利用兩不同類型的半導體兩端的溫度不同時,會在半導體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動勢,不同類型的半導體其溫差電動勢不同。將兩種半導體兩端連接形成閉合回路時,在回路中有電流產(chǎn)生。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR。進口的德州溫度傳感器,就找深圳美信美科技。天津熱電偶溫度傳感器封裝

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    顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應的溫度值。通常。形成測溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務。誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務。并在鈍化層上對應所述溫度傳感器引出輸出端子處設有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對金屬層進行保護。同時,需要在對應溫度傳感器引出端子處開設通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設的氧化硅層和氮化硅層。在一實施例中,測溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu)?;葜萆漕l溫度傳感器精度