在氧化硅薄膜上面再淀積一層氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,可以平衡氧化硅內(nèi)部應(yīng)力。使氧化硅薄膜結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。步驟s:在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。在溫度傳感器基作完成后,需要做基底上形成測溫單元,測溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出。在一實施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過程為:步驟s:在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。參考圖所示,在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,該金屬層可為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,將鉑熱電阻做成連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。深圳市美信美科技有限公司,只做好的溫度傳感器現(xiàn)貨供應(yīng)商。江蘇特大規(guī)模溫度傳感器哪個品牌好
使氧化硅薄膜結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。步驟s130:在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。在溫度傳感器基作完成后,需要做基底上形成測溫單元,測溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出。在一實施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過程為:步驟s131:在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。參考圖3所示,在氧化硅薄膜23上淀積一層金屬層30,該金屬層30可為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,將鉑熱電阻做成連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖4所示)。步驟s132:在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖3和圖4,在金屬鉑層30外側(cè)兩端淀積一層第二金屬層40,該第二金屬層40可為金屬鋁層,從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子,即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器。江蘇混合溫度傳感器深圳市美信美科技有限公司,只做靠譜的原裝進(jìn)口溫度傳感器。
產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。步驟s:在多晶硅層上淀積第三金屬層,第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),n型多晶硅條和p型多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖和圖,在多晶硅層上淀積第三金屬層,第三金屬層包括金屬結(jié)構(gòu)和第二金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條,具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結(jié)構(gòu)形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu),因此,當(dāng)具有m個多晶硅條時,需要m-個金屬結(jié)構(gòu)使多晶硅條串聯(lián)起來。一個n型多晶硅條與一個p型多晶硅條串聯(lián)形成一個塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu),在本方案中,是多個塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個測溫單元,因此,m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端,以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實施例中,第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu),利用半導(dǎo)體兩端的溫度不同時。會在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動勢,不同類型的半導(dǎo)體其溫差電動勢不同,將兩種半導(dǎo)體兩端連接形成閉合回路時,在回路中有電流產(chǎn)生。
鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器,測溫單元設(shè)于氧化硅薄膜上,氧化硅薄膜具有較低的導(dǎo)熱率,因此不會影響測溫單元的測溫效果。且氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔,空腔下方的硅不會影響空腔上方的氧化硅的隔離效果,在溫度傳感器的制備過程中,無需通過深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉,因此簡化了溫度傳感器的制備時間,節(jié)約了成本。以上實施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合,為使描述簡潔,未對上述實施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述,然而,只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾,都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。以上實施例表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。好的的溫度傳感器供應(yīng),信任深圳市美信美科技有限公司。
如圖c所示,基底包括硅片和氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出,在本方案中,測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),包括:金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示,氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層,該金屬層為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,鉑熱電阻呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖所示)。金屬鉑層外側(cè)兩端淀積有一層第二金屬層。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。該第二金屬層可為金屬鋁層。溫度傳感器好的供應(yīng)商,認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美。北京混合溫度傳感器技術(shù)
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顯示儀表會顯示熱電偶受當(dāng)前環(huán)境溫度影響得到的電勢所對應(yīng)的熱端溫度,即當(dāng)前環(huán)境溫度。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu),對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還需形成有一層鈍化層,可對金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)。同時,需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)有通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器,測溫單元設(shè)于氧化硅薄膜上,氧化硅薄膜具有較低的導(dǎo)熱率,因此不會影響測溫單元的測溫效果。且氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔,空腔下方的硅不會影響空腔上方的氧化硅的隔離效果。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。江蘇特大規(guī)模溫度傳感器哪個品牌好