太原熱電偶溫度傳感器公司

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-11-15

    在氧化硅薄膜上面再淀積一層氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,可以平衡氧化硅內(nèi)部應(yīng)力。使氧化硅薄膜結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。步驟s:在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。在溫度傳感器基作完成后,需要做基底上形成測溫單元,測溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號(hào)并輸出。在一實(shí)施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過程為:步驟s:在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。參考圖所示,在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,該金屬層可為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實(shí)施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,將鉑熱電阻做成連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。深圳美信美溫度傳感器品質(zhì)棒棒的。太原熱電偶溫度傳感器公司

太原熱電偶溫度傳感器公司,溫度傳感器

    如圖所示)。步驟s:在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖和圖,在金屬鉑層外側(cè)兩端淀積一層第二金屬層,該第二金屬層可為金屬鋁層,從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子,即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器。利用金屬鉑在溫度變化時(shí)自身電阻值也會(huì)隨著溫度改變的特性來測量溫度,溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接,顯示儀表會(huì)顯示受溫度影響得到的鉑電阻對(duì)應(yīng)的溫度值。通常。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。形成測溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層,并在鈍化層上對(duì)應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對(duì)金屬層進(jìn)行保護(hù)。北京圓形溫度傳感器找不到好的溫度傳感器供應(yīng)?來找深圳美信美科技。

太原熱電偶溫度傳感器公司,溫度傳感器

    本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的,不是旨在于限制。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。本申請?zhí)峁┮环N溫度傳感器的制備方法,如圖所示,其步驟包括:步驟s:在硅片上形成若干溝槽。結(jié)合圖a所示,獲取一硅晶片,從硅片上方垂直向下開設(shè)若干并列的溝槽形成溝槽陣列。在一實(shí)施例中,先在硅片上形成具有陣列圖案的光刻膠層,再以光刻膠作為掩膜版對(duì)硅片進(jìn)行刻蝕形成若干溝槽。在本實(shí)施例中,刻蝕可為常規(guī)的干法刻蝕,具體為深度離子刻蝕。干法刻蝕具有更高的刻蝕精度和更好的各向異性性能,其精度可達(dá)亞微米級(jí)別,通過干法刻蝕,可以得到形態(tài)較好的溝槽,尤其是溝槽尺寸較小時(shí)利用干法刻蝕效果更佳??赏ㄟ^調(diào)節(jié)掩膜板圖案和控制刻蝕參數(shù)得到不同形態(tài)的溝槽,其中,溝槽的寬度可為~μm,溝槽的深度可為~μm,相鄰溝槽之間的間隔可為~μm。溝槽的俯視形貌可以為圓形、方形或其他形狀。溝槽的寬度為溝槽側(cè)壁的大距離。如果溝槽為圓形,則溝槽的寬度為其直徑,如果溝槽為正方形,則溝槽的寬度為其對(duì)角的距離。

    使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。還涉及一種溫度傳感器,包括:基底,基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測溫單元,測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。如圖c所示,基底包括硅片和氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號(hào)并輸出,在本方案中,測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實(shí)施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),包括:金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示,氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層,該金屬層為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實(shí)施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,鉑熱電阻呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖所示)。金屬鉑層外側(cè)兩端淀積有一層第二金屬層。該第二金屬層可為金屬鋁層,用于從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子。買溫度傳感器,認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美科技有限公司。

太原熱電偶溫度傳感器公司,溫度傳感器

    本發(fā)明涉及溫度傳感器領(lǐng)域,特別是涉及一種溫度傳感器制備方法及溫度傳感器。背景技術(shù):溫度傳感器包括測溫單元和承載該測溫單元的基底。溫度傳感器通常以導(dǎo)熱率低的材料做基底,如在二氧化硅上淀積測溫材料形成溫度傳感器。在工藝制程中,通過氧化硅片以在硅片表面生產(chǎn)一層二氧化硅,其中,二氧化硅的導(dǎo)熱率較低,但是硅的導(dǎo)熱率較高,為避免通過基底下部的硅導(dǎo)熱,通常還需通過深槽刻蝕的方式對(duì)氧化硅層背面的硅進(jìn)行刻蝕,如通過氫氧化鉀的刻蝕液進(jìn)行濕法刻蝕,也可用深反應(yīng)離子刻蝕(deepreactiveionetching)工藝進(jìn)行干法刻蝕。無論是濕法刻蝕還是干法刻蝕,其工藝時(shí)間都會(huì)較長且成本較高。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:基于此,有必要針對(duì)傳統(tǒng)技術(shù)中溫度傳感器以二氧化硅為基底時(shí)獲取基底的工藝時(shí)間較長且成本較高的問題,提出了一種新的溫度傳感器制備方法。一種溫度傳感器制備方法,包括:在硅片形成若干溝槽;熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔,且所述硅片在所述空腔上方連接起來,將所述空腔封閉;氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜;在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。上述溫度傳感器制備方法,先通過刻蝕在硅片上形成若干溝槽。深圳有哪家溫度傳感器現(xiàn)貨商?深圳美信美科技有限公司。太原超大規(guī)模溫度傳感器參數(shù)

長期穩(wěn)定的溫度傳感器渠道,就找深圳市美信美科技有限公司。太原熱電偶溫度傳感器公司

    需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器制備方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜與硅通過空腔隔離,空腔下方的硅不會(huì)影響上方氧化硅薄膜的隔離效果,因此無需通過深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉,簡化了制備過程。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。節(jié)約制備時(shí)間,節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導(dǎo)熱率低,將測溫單元制備在氧化硅薄膜上,具有較好的測溫效果,使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。本發(fā)明還涉及一種溫度傳感器,包括:基底,基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測溫單元,測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。太原熱電偶溫度傳感器公司

標(biāo)簽: 集成電路 溫度傳感器