太原特大規(guī)模溫度傳感器工藝

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-10-29

    凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù),誠(chéng)信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。半導(dǎo)體兩端的溫差不同時(shí),所產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)不同。在本方案中。采用n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體構(gòu)成塞貝克結(jié)構(gòu)且多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián),可以增強(qiáng)溫度傳感器的靈敏度。在一實(shí)施例中,可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定,將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測(cè)實(shí)際環(huán)境溫度,當(dāng)環(huán)境溫度發(fā)生變化時(shí),冷端和熱端的溫差發(fā)生變化,因此冷端的電勢(shì)會(huì)發(fā)生變化,與顯示儀表連接后,顯示儀表會(huì)顯示熱電偶受當(dāng)前環(huán)境溫度影響得到的電勢(shì)所對(duì)應(yīng)的熱端溫度,即當(dāng)前環(huán)境溫度。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu),對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層,其上還需形成有一層鈍化層,可對(duì)金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)。同時(shí),需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)有通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)有通孔。深圳市美信美科技有限公司,你的穩(wěn)定溫度傳感器供應(yīng)商。太原特大規(guī)模溫度傳感器工藝

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    公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。該多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻;p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長(zhǎng)條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。在多晶硅層上淀積有第三金屬層,第三金屬層包括金屬結(jié)構(gòu)和第二金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)位于相鄰多晶硅條之間,該多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)連接,金屬結(jié)構(gòu)具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結(jié)構(gòu)形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu),因此,當(dāng)具有m個(gè)多晶硅條時(shí),需要m-個(gè)金屬結(jié)構(gòu)使多晶硅條串聯(lián)起來。一個(gè)n型多晶硅條與一個(gè)p型多晶硅條串聯(lián)形成一個(gè)塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu),在本方案中,是多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個(gè)測(cè)溫單元,因此。特大規(guī)模溫度傳感器精度找不到好的溫度傳感器供應(yīng)?來找深圳美信美科技。

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    測(cè)溫單元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述測(cè)溫單元包括:金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于所述金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述測(cè)溫單元包括:多晶硅層,包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;和第三金屬層,所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。附圖說明圖為一實(shí)施例中溫度傳感器制備方法的方法流程圖;圖a~c為一實(shí)施例中溫度傳感器制備方法各步驟對(duì)應(yīng)生成的結(jié)構(gòu)剖視圖。圖為一實(shí)施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖為與圖對(duì)應(yīng)的溫度傳感器俯視圖;圖為另一實(shí)施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖為與圖對(duì)應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。具體實(shí)施方式為了便于理解,下面將參照相關(guān)附圖對(duì)進(jìn)行更的描述。附圖中給出了的實(shí)施例。但是,可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn),并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地。提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)的公開內(nèi)容更加透徹。除非另有定義。

    n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻;p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長(zhǎng)條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。在多晶硅層上淀積有第三金屬層,第三金屬層包括金屬結(jié)構(gòu)和第二金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)位于相鄰多晶硅條之間,該多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)連接,金屬結(jié)構(gòu)具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結(jié)構(gòu)形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu),因此,當(dāng)具有m個(gè)多晶硅條時(shí),需要m-個(gè)金屬結(jié)構(gòu)使多晶硅條串聯(lián)起來。一個(gè)n型多晶硅條與一個(gè)p型多晶硅條串聯(lián)形成一個(gè)塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu),在本方案中,是多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個(gè)測(cè)溫單元,因此。m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端,以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實(shí)施例中,第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu),利用兩不同類型的半導(dǎo)體兩端的溫度不同時(shí),會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢(shì),不同類型的半導(dǎo)體其溫差電動(dòng)勢(shì)不同。將兩種半導(dǎo)體兩端連接形成閉合回路時(shí),在回路中有電流產(chǎn)生。進(jìn)口的德州溫度傳感器,就找深圳美信美科技。

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    顯示儀表會(huì)顯示受溫度影響得到的鉑電阻對(duì)應(yīng)的溫度值。通常。形成測(cè)溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù)。誠(chéng)信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。并在鈍化層上對(duì)應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對(duì)金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時(shí),需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實(shí)施例中,測(cè)溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu)。深圳美信美溫度傳感器質(zhì)量好。特大規(guī)模溫度傳感器精度

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    如圖c所示,基底包括硅片和氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測(cè)溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過該測(cè)溫單元感知溫度后形成電信號(hào)并輸出,在本方案中,測(cè)溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實(shí)施例中,測(cè)溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),包括:金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示,氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層,該金屬層為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實(shí)施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,鉑熱電阻呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖所示)。金屬鉑層外側(cè)兩端淀積有一層第二金屬層。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。該第二金屬層可為金屬鋁層。太原特大規(guī)模溫度傳感器工藝

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