圖為與圖對應(yīng)的溫度傳感器俯視圖;圖為另一實施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖為與圖對應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。具體實施方式為了便于理解,下面將參照相關(guān)附圖對進行更的描述。附圖中給出了的實施例。但是,可以以許多不同的形式來實現(xiàn),并不限于本文所描述的實施例。相反地。提供這些實施例的目的是使對的公開內(nèi)容更加透徹。除非另有定義。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR。凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù),誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的,不是旨在于限制。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。深圳美信美科技有公司有大量溫度傳感器現(xiàn)貨庫存,且連續(xù)兩年獲得好的供應(yīng)商稱號。廣州射頻溫度傳感器排名
其具體形成過程為:步驟s:在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。如圖和圖所示,在氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,該多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中。n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。步驟s:在多晶硅層上淀積第三金屬層,第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù),誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系。廣州射頻溫度傳感器排名好的溫度傳感器供應(yīng),深圳美信美科技就是牛。
如真空環(huán)境或者惰性氣體環(huán)境,保證在熱退火過程中硅不會與環(huán)境中的物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在本實施例中。熱退火在氫氣環(huán)境中進行。步驟s:氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。通過熱氧化工藝氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜(如圖c所示)。在℃~℃的高溫環(huán)境中。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù),誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。通過外部供給氧氣或者水蒸氣使之與硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng),可以在空腔上方得到一層熱生長的氧化層。由于當氧化層達到一定厚度時,氧化反應(yīng)幾乎停止,因此當難以通過一次氧化工藝將空腔上方的硅全部氧化成氧化硅時,需要通過多次氧化步驟實現(xiàn)將空腔上方的硅全部氧化,具體為,進行次熱氧化生成一層氧化硅薄膜后。
在一實施例中。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù),誠信合作的原則。以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定,將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測實際環(huán)境溫度,當環(huán)境溫度發(fā)生變化時,冷端和熱端的溫差發(fā)生變化,因此冷端的電勢會發(fā)生變化,與顯示儀表連接后,顯示儀表會顯示熱電偶受當前環(huán)境溫度影響得到的電勢所對應(yīng)的熱端溫度,即當前環(huán)境溫度。通常,形成測溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層,并在鈍化層上對應(yīng)溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁層,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對金屬結(jié)構(gòu)進行保護。同時。溫度傳感器現(xiàn)貨供應(yīng)商-深圳市美信美科技有限公司。
一種溫度傳感器制備方法,包括:在硅片形成若干溝槽;熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔,且所述硅片在所述空腔上方連接起來,將所述空腔封閉;氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜;在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。上述溫度傳感器制備方法,先通過刻蝕在硅片上形成若干溝槽。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。再在高溫環(huán)境下進行退火,由于高溫環(huán)境下硅原子會發(fā)生遷移,硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會發(fā)生改變,之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元,測溫單元用于感測環(huán)境溫度,從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅。雙金屬片溫度傳感器隨著溫度變化,兩個金屬片產(chǎn)生不同的形變,到達響應(yīng)溫度時,通、斷兩種狀態(tài)發(fā)生變化。徐州射頻溫度傳感器哪個靠譜
溫度傳感器對于環(huán)境溫度的測量非常準確,廣泛應(yīng)用于農(nóng)業(yè)、工業(yè)、車間、庫房等領(lǐng)域。廣州射頻溫度傳感器排名
在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中,在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為:在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;在所述多晶硅上淀積第三金屬層,所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中,所述制備方法還包括:在所述金屬層上形成鈍化層,并在所述鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。本發(fā)明還公開了一種溫度傳感器,包括:基底,所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜,所述硅片與所述氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測溫單元,所述測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。上述溫度傳感器,由于其基底中氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔,空腔下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果,因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉,從而縮短產(chǎn)品制備的時間,且節(jié)約了成本。由于基底隔熱效果較好。廣州射頻溫度傳感器排名