上海半導(dǎo)體快速退火爐工藝

來源: 發(fā)布時間:2024-11-06

?快速熱處理(Rapid Thermal Processing,簡稱?RTP)是一種在幾秒或更短的時間內(nèi)將材料加熱到高溫(如1000℃左右)的熱處理技術(shù)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于?半導(dǎo)體工藝中,特別是在離子注入后需要快速恢復(fù)晶體結(jié)構(gòu)和jihuo雜質(zhì)的過程中??焖贌崽幚淼闹饕獌?yōu)點包括熱預(yù)算少、硅中雜質(zhì)運動小、玷污小以及加工時間短等。此外,快速熱處理設(shè)備如?快速退火爐,具有多重?zé)艄茉O(shè)計以保證溫度均勻、實時閉環(huán)溫度控制方式、安全監(jiān)測等先進技術(shù)特點,適用于離子注入后退火/活化、?金屬合金化、?磷硅酸鹽玻璃/?硼磷玻璃回流、?溝道氧化、?柵介質(zhì)形成、?多晶硅退火等多種應(yīng)用領(lǐng)域。?快速退火爐能夠在短時間內(nèi)將半導(dǎo)體材料迅速加熱到高溫,并通過快速冷卻的方式使其達(dá)到非常高的溫度梯度。上海半導(dǎo)體快速退火爐工藝

上海半導(dǎo)體快速退火爐工藝,快速退火爐

桌面式快速退火系統(tǒng),以紅外可見光加熱單片 Wafer或樣品,工藝時間短,控溫精度高,適用6英寸晶片。相對于傳統(tǒng)擴散爐退火系統(tǒng)和其他RTP系統(tǒng),其獨特的腔體設(shè)計、先進的溫度控制技術(shù)和獨有的RL900軟件控制系統(tǒng),確保了極好的熱均勻性。產(chǎn)品特點 :紅外鹵素?zé)艄芗訜?,冷卻采用風(fēng)冷 燈管功率PID控溫,可控制溫度升溫,保證良好的重現(xiàn)性與溫度均勻性 采用平***路進氣方式,氣體的進入口設(shè)置在Wafer表面,避免退火過程中冷點產(chǎn)生,保證產(chǎn)品良好的溫度均勻性 大氣與真空處理方式均可選擇,進氣前氣體凈化處理 標(biāo)配兩組工藝氣體,可擴展至6組工藝氣體 可測單晶片樣品的大尺寸為6英寸(150×150mm) 采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權(quán)限保護以及設(shè)備急停安全保護三重安全措施,保障儀器使用安全四川快速退火爐功能原理快速退火爐是一種用于半導(dǎo)體制造和材料處理的設(shè)備。

上海半導(dǎo)體快速退火爐工藝,快速退火爐

碳化硅器件制造環(huán)節(jié)主要包括“光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄”等工藝。為了實現(xiàn)碳化硅器件耐高壓、大電流功能,離子注入工藝成為碳化硅摻雜的重要步驟,離子注入是一種向半導(dǎo)體材料加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì),以改變其電學(xué)性能的方法,可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。然而離子注入后,碳化硅材料原本的晶格結(jié)構(gòu)被破壞而變成非晶態(tài),這種晶格損傷必須在退火過程中修復(fù)成單晶結(jié)構(gòu)并jihuo摻雜物。在SiC材料晶體生長過程中,快速退火爐使硅原子可以獲得足夠的能量進行擴散和遷移,重新排列成有序的晶格結(jié)構(gòu),有利于提高晶體生長的質(zhì)量和尺寸,減少缺陷和氧化。通過快速退火處理,可以消除晶體中的應(yīng)力,提高SiC材料的晶體品質(zhì)和性能,同時,與傳統(tǒng)的退火工藝對比,快速退火具有更高的加熱和冷卻速度,可以有效縮短退火時間,提高生產(chǎn)效率。

RTP(Rapid Thermal Processing)快速退火爐是一種用于半導(dǎo)體器件制造和材料研究的設(shè)備,其工作原理是通過快速升溫和降溫來處理材料,以改變其性質(zhì)或結(jié)構(gòu)。RTP退火爐通常用于離子注入退火、ITO鍍膜后快速退火、氧化物和氮化物生長等應(yīng)用。RTP快速退火爐的技術(shù)主要包括反應(yīng)腔室(包括熱源)設(shè)計、溫度測量技術(shù)和溫度控制技術(shù),其中水平均溫處理技術(shù)是溫度控制技術(shù)的重頭戲。RTP快速退火爐以其獨特的水平均溫處理技術(shù),為材料的高溫處理帶來了變革,借助先進的加熱系統(tǒng),在短時間內(nèi)將材料均勻地加熱到所需的溫度,保證材料在處理過程中受熱均勻??焖偻嘶馉t的水平均溫處理的重要性首先,快速退火爐的水平均溫處理極大地提高了生產(chǎn)效率。通過縮短處理時間,企業(yè)能夠更快地完成生產(chǎn)任務(wù),從而節(jié)省了時間和成本。其次,快速退火爐的水平均溫處理技術(shù)有助于獲得更穩(wěn)定的產(chǎn)品。由于材料受熱均勻,其性能更加穩(wěn)定,更符合產(chǎn)品的規(guī)格和標(biāo)準(zhǔn)。此外,快速退火爐的水平均溫處理理方法還有助于提高產(chǎn)品的可靠性。經(jīng)過水平均溫處理的材料,其機械性能更加穩(wěn)定,因此產(chǎn)品的使用壽命更長,故障率更低??焖偻嘶馉t可以用于高分子材料的退火處理,如塑料、橡膠等材料的退火處理,可以提高材料的熱穩(wěn)定性。

上海半導(dǎo)體快速退火爐工藝,快速退火爐

RTP-Table-6為桌面型6英寸晶圓快速退火爐,使用上下兩層紅外鹵素?zé)艄?作為熱源加熱,內(nèi)部石英腔體保溫隔熱,腔體外殼為水冷鋁合金,使得制品加熱均勻,且表面溫度低。6英寸晶圓快速退火爐采用PID控制,系統(tǒng)能快速調(diào)節(jié)紅外鹵素?zé)艄艿妮敵龉β剩販馗?span>準(zhǔn)確。桌面型快速退火爐的功能特點①極快的升溫速率:RTP快速退火爐的裸片升溫速率是150℃/s,縮短了熱處理時間。②精確的溫度控制:配備高精度的溫度傳感器和控制系統(tǒng),確保溫度的精確性和穩(wěn)定性。③多樣化的氣氛選項:支持多種氣體氣氛,如氮氣、氬氣等,滿足不同材料的熱處理需求。④緊湊的桌面式設(shè)計:適合實驗室和小型生產(chǎn)環(huán)境,節(jié)省空間,便于移動和部署。除了以上功能特點,在半導(dǎo)體制造的快速熱退火工藝步驟中,測量晶圓的溫度是關(guān)鍵。如果測量不準(zhǔn)確,可能會出現(xiàn)過熱和溫度分布不均勻的情況,這兩者都會影響工藝的效果。因此,晟鼎桌面型快速退火爐配置測溫系統(tǒng),硅片在升溫、恒溫及降溫過程中精確地獲取晶圓表面溫度數(shù)據(jù),誤差范圍控制在±1℃以內(nèi)。隨著技術(shù)的發(fā)展,快速退火爐可能會變得更加高效和精確。福建半導(dǎo)體快速退火爐原理

半導(dǎo)體快速退火爐(RTP)是一種特殊的加熱設(shè)備,能夠在短時間內(nèi)將半導(dǎo)體材料迅速加熱到高溫。上海半導(dǎo)體快速退火爐工藝

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,一種至關(guān)重要的設(shè)備便是快速退火爐。這種設(shè)備以其獨特的工作原理和高效的性能,成為了現(xiàn)代半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中不可或缺的一環(huán)。快速退火爐主要用于對半導(dǎo)體材料進行熱處理,通過精確控制溫度和時間,實現(xiàn)對材料微觀結(jié)構(gòu)的調(diào)控和優(yōu)化。快速退火爐的設(shè)計精密而復(fù)雜,它能夠在極短的時間內(nèi)將半導(dǎo)體材料加熱至所需溫度,并在此溫度下保持一定的時間,隨后迅速冷卻。這種快速的熱處理過程,可以在不引入過多缺陷的前提下,有效地改變材料的電學(xué)、光學(xué)和機械性能,從而提升半導(dǎo)體器件的性能和可靠性??焖偻嘶馉t的性能直接影響到半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。在半導(dǎo)體制造過程中,對材料的微觀結(jié)構(gòu)進行精確調(diào)控是至關(guān)重要的??焖偻嘶馉t通過其獨特的加熱和冷卻機制,能夠在短時間內(nèi)完成這一調(diào)控過程,從而提高了生產(chǎn)效率。同時,由于其對溫度和時間的精確控制,使得半導(dǎo)體材料的性能得到了極大的提升,為制造出高性能、高可靠性的半導(dǎo)體器件提供了有力保障。上海半導(dǎo)體快速退火爐工藝