擴散閘閥TRANSFER VALVE

微泰半導體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥蝶閥Butterfly Valve。該蝶閥具有緊湊的設(shè)計和堅固的不銹鋼結(jié)構(gòu)，通過閘板旋轉(zhuǎn)操作。蝶閥可以實現(xiàn)精確的壓力控制和低真空環(huán)境。例如半導體和工業(yè)過程。蝶閥通過控制器和步進電機自動控制到用戶指定的值，保持一致的真空壓力?？梢栽诟哒婵窄h(huán)境中實現(xiàn)精確的壓力控制。如半導體等高真空工藝應用?？刂葡到y(tǒng)閘閥是自動控制到用戶指定的值，通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供。在機組的給水、主汽、凝結(jié)水、抽汽、空氣、循環(huán)冷卻水、軸冷水等系統(tǒng)中，均安裝有許多閘閥。擴散閘閥TRANSFER VALVE

微泰，蝶閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上?？商娲鶹AT閘閥。微泰蝶閥其特點是? 主體材料：鋁或不銹鋼? 緊湊型設(shè)計? 高性能集成控制器? 使用維修零件套件輕松維護? 應用：半導體和工業(yè)過程的壓力控制。蝶閥規(guī)格如下：法蘭尺寸(內(nèi)徑)：DN40、DN50、饋通：旋轉(zhuǎn)饋通、閥門密封：FKM（VITON）、執(zhí)行器：步進電機、壓力范圍：1×10-8 mbar to 1200 mbar 、開啟壓差：≤ 30 mbar、開啟壓差≤30mbar、氦泄漏率1X10 -9Mbar/秒、維護前可用次數(shù)：250,000次、閥體溫度≤ 150 °、控制器≤ 35 °C、材料：閥體STS304/機制STS304、安裝位置：任意、接口：RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績，上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰?。蝕刻閘閥I型轉(zhuǎn)移閥閘閥高度大，啟閉時間長。閘板的啟閉行程較大，升降是通過螺桿進行的。

微泰半導體閘閥的工作原理主要是通過閘板的升降來控制流體的通斷。當閘板升起時，閘閥打開，允許流體通過；當閘板降下時，閘閥關(guān)閉，阻止流體通過。在具體工作中，它利用各種機構(gòu)和設(shè)計來實現(xiàn)精確的控制和可靠的密封，以滿足半導體設(shè)備中對工藝控制的要求。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供。

微泰半導體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥Heating gate valve，加熱插板閥，加熱閘閥，加熱器的加熱溫度為180-200度（可通過控制器設(shè)置溫度）-規(guī)格：適用雙金屬（達到200度時，斷電后溫度下降后重新啟動），應用于去除粉末/氣體設(shè)備。微泰，加熱閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上。加熱閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：ISO、JIS、ASA、CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數(shù)：200,000次、、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。微泰高壓閘閥的特點是*陶瓷球機構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:隔離泵。

微泰半導體閘閥具有獨特的三重保護保護環(huán)機能：采用鋁質(zhì)材料，減輕重量的同時提高保護環(huán)內(nèi)部粗糙度，有效防止工程副產(chǎn)物的堆積黏附；通過提升保護環(huán)內(nèi)部流速設(shè)計，且保護環(huán)逐步收窄，進一步提升流速，防止粉塵黏附；采用三元系 O 型圈，確保保護環(huán)驅(qū)動穩(wěn)定，可保證 30 萬次驅(qū)動。該閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上，能夠替代 HVA 閘閥、VAT 閘閥。此閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供。微泰，高壓閘閥應用于? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上。韓國進口閘閥TRANSFER VALVE

這些真空閥可以手動、氣動或電子方式驅(qū)動，從而可以根據(jù)具體應用進行多功能控制。擴散閘閥TRANSFER VALVE

微泰高壓閘閥可以應用于多種設(shè)備，如蒸發(fā)、濺射、金剛石生長、PECV、PVD集群、卷對卷、涂層、蝕刻、擴散和CVD等。它具有陶瓷球機構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒和易于維護等特點，可替代VAT閘閥。該閥門的規(guī)格包括手動或氣動驅(qū)動方式、1.5英寸至14英寸的法蘭尺寸、CF法蘭類型、焊接波紋管連接方式、氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM閥門密封、氟橡膠O型圈閥蓋密封、≤2秒響應時間、1.5?至6?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1400 mbar，8?至14?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1200 mbar、≤30 mbar的開始時壓差、≤1400 mbar的6?以下閘門差動壓力和≤1200 mbar的8?至14?閘門差動壓力、<1×10 -10 Mbar/秒的泄漏率、250,000次維護前可用次數(shù)、閥體溫度≤200°、機構(gòu)溫度≤80°C、烤爐溫度≤150°C、閥體不銹鋼304或316L和驅(qū)動器鋁6061陽極氧化、任意安裝位置和4至7 bar的N2操作壓力。此外，微泰高壓閘閥已在中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其他設(shè)備上得到應用。如果您需要了解更多關(guān)于微泰高壓閘閥的信息，請聯(lián)系上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰尽U散閘閥TRANSFER VALVE