控制閘閥Micron

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-10-03

微泰高壓閘閥可以應(yīng)用于多種設(shè)備,如蒸發(fā)、濺射、金剛石生長、PECV、PVD集群、卷對(duì)卷、涂層、蝕刻、擴(kuò)散和CVD等。它具有陶瓷球機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒和易于維護(hù)等特點(diǎn),可替代VAT閘閥。該閥門的規(guī)格包括手動(dòng)或氣動(dòng)驅(qū)動(dòng)方式、1.5英寸至14英寸的法蘭尺寸、CF法蘭類型、焊接波紋管連接方式、氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM閥門密封、氟橡膠O型圈閥蓋密封、≤2秒響應(yīng)時(shí)間、1.5?至6?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1400 mbar,8?至14?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1200 mbar、≤30 mbar的開始時(shí)壓差、≤1400 mbar的6?以下閘門差動(dòng)壓力和≤1200 mbar的8?至14?閘門差動(dòng)壓力、<1×10 -10 Mbar/秒的泄漏率、250,000次維護(hù)前可用次數(shù)、閥體溫度≤200°、機(jī)構(gòu)溫度≤80°C、烤爐溫度≤150°C、閥體不銹鋼304或316L和驅(qū)動(dòng)器鋁6061陽極氧化、任意安裝位置和4至7 bar的N2操作壓力。此外,微泰高壓閘閥已在中國臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其他設(shè)備上得到應(yīng)用。如果您需要了解更多關(guān)于微泰高壓閘閥的信息,請(qǐng)聯(lián)系上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰尽T跈C(jī)組的給水、主汽、凝結(jié)水、抽汽、空氣、循環(huán)冷卻水、軸冷水等系統(tǒng)中,均安裝有許多閘閥??刂崎l閥Micron

閘閥

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥蝶閥Butterfly Valve。該蝶閥具有緊湊的設(shè)計(jì)和堅(jiān)固的不銹鋼結(jié)構(gòu),通過閘板旋轉(zhuǎn)操作。蝶閥可以實(shí)現(xiàn)精確的壓力控制和低真空環(huán)境。例如半導(dǎo)體和工業(yè)過程。蝶閥通過控制器和步進(jìn)電機(jī)自動(dòng)控制到用戶指定的值,保持一致的真空壓力??梢栽诟哒婵窄h(huán)境中實(shí)現(xiàn)精確的壓力控制。如半導(dǎo)體等高真空工藝應(yīng)用??刂葡到y(tǒng)閘閥是自動(dòng)控制到用戶指定的值,通過控制器和步進(jìn)電機(jī)保持一致的真空壓力。微泰半導(dǎo)體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation(蒸發(fā))、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過 MW-PACVD 生長金剛石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對(duì)卷)、Coating(涂層)、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴(kuò)散)、CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上,可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰咎峁?。蒸發(fā)閘閥Micron微泰轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導(dǎo)體PVDCVD設(shè)備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。

控制閘閥Micron,閘閥

微泰,高壓閘閥應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴(kuò)散)?CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上。可替代VAT閘閥。其特點(diǎn)是*陶瓷球機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護(hù)*應(yīng)用:隔離泵。高壓閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動(dòng)方式:手動(dòng)或氣動(dòng)、法蘭尺寸:1.5英寸~ 14英寸、法蘭類型:CF、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應(yīng)時(shí)間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時(shí)的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動(dòng)壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護(hù)前可用次數(shù):250,000次、閥體溫度≤ 200 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,有氣動(dòng)多位置閘閥(氣動(dòng)多定位閘閥、多定位插板閥、Pneumatic Multi Position)、氣動(dòng)(鎖定)閘閥和手動(dòng)(鎖定)閘閥,蝶閥,Butterfly Valve,步進(jìn)電機(jī)插板閥Stepper Motor Gate Valve,加熱插板閥(加熱閘閥Heating gate valve),鋁閘閥(AL Gate Valve),三重防護(hù)閘閥,應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對(duì)卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴(kuò)散)?CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上。有中國臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。閘閥形體簡單,結(jié)構(gòu)長度短,制造工藝性好,適用范圍廣。

控制閘閥Micron,閘閥

微泰,傳輸閥 (I-MOTION)、I型轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥應(yīng)用于晶圓加工,半導(dǎo)體加工,可替代VAT閘閥。其特點(diǎn)是? 主體材料:鋁或不銹鋼? 緊湊型設(shè)計(jì)? 使用維修配件工具包易于維護(hù)? 應(yīng)用:半導(dǎo)體系統(tǒng)中小于 450mm 晶圓的傳輸和處理室隔離,傳輸閥 (I-MOTION)、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥規(guī)格如下:閘門密封類型:傳輸閥 (I-MOTION)、右動(dòng)轉(zhuǎn)換閥、驅(qū)動(dòng)方式:氣動(dòng)、法蘭尺寸(內(nèi)徑) 32×222/46×236/50×336/56×500 、連接方式:焊接波紋管、閘門密封 Viton O 形圈/硫化密封件、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應(yīng)時(shí)間:≤ 2 sec、工作壓力范圍:1×10-10 mbar to 1200 mbar、開始時(shí)的壓差:≤ 30 mbar、開啟時(shí)壓差: ≤ 1200 mbar r、泄漏率不銹鋼:< 1×10 -9Mbar?/秒/鋁:< 1×10 -5  mbar ?/秒、維護(hù)前可用次數(shù): ≥1,000,000次、閥體溫度≤ 200 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。微泰,高壓閘閥能應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD。專門用閘閥

當(dāng)真空閥打開時(shí),閘門移出流路,使氣體以高電導(dǎo)率通過??刂崎l閥Micron

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,多定位閘閥。多定位閘閥是一種利用壓縮空氣或氮?dú)饪刂崎l閥位置的閥門。它在閥門的頂部有一個(gè)內(nèi)置控制器,可以在本地和遠(yuǎn)程模式下操作。它還具有緊急關(guān)閉功能,以應(yīng)對(duì)泵停止或CDA壓縮干空氣丟失的情況。其特點(diǎn)之一是能夠遠(yuǎn)程檢查閥門狀態(tài),并可用于具有不同法蘭類型的各種工藝。多定位閘閥具有可隔離的閘閥,以滑動(dòng)方式操作,適用于需要壓力控制的所有加工領(lǐng)域。采用手動(dòng)調(diào)節(jié)控制裝置控制,用戶可直接控制閘門的開啟和關(guān)閉,以調(diào)節(jié)壓力。微泰半導(dǎo)體多定位閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation(蒸發(fā))、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過 MW-PACVD 生長金剛石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對(duì)卷)、Coating(涂層)、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴(kuò)散)、CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上,可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰咎峁?刂崎l閥Micron