微泰,高壓閘閥應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石)? PECV? PVD? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴(kuò)散)?CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上。可替代VAT閘閥。其特點(diǎn)是*陶瓷球機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護(hù)*應(yīng)用:隔離泵。高壓閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動(dòng)方式:手動(dòng)或氣動(dòng)、法蘭尺寸:1.5英寸~ 14英寸、法蘭類(lèi)型:CF、連接方式:焊接波紋管、閥門(mén)密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應(yīng)時(shí)間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開(kāi)始時(shí)的壓差:≤ 30 mbar、閘門(mén)的差動(dòng)壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護(hù)前可用次數(shù):250,000次、閥體溫度≤ 200 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽(yáng)極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī),上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰尽榱吮苊庠陬w粒敏感應(yīng)用中產(chǎn)生顆粒,滑動(dòng)閘門(mén)機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)旨在避免閥殼處的摩擦。專(zhuān)門(mén)用閘閥手動(dòng)閥
微泰,鋁閘閥應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對(duì)卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴(kuò)散)?CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上。期特點(diǎn)是*不論什么工藝的設(shè)備都可以使用*由半永久性陶瓷球和彈簧組成*應(yīng)用:隔離泵。鋁閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動(dòng)方式:手動(dòng)、法蘭尺寸:1.5英寸~ 10英寸、閥體:AL6061 (Anodizing)、機(jī)械裝置:AL6061 (Anodizing)、閥門(mén):O型圈(VITON)、真空密封:O型圈(VITON)、響應(yīng)時(shí)間≤ 3 sec、驅(qū)動(dòng)器:氣缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ?/sec、壓力范圍:< 1×10-10 mbar ?/sec、開(kāi)始時(shí)的壓差:≤ 30 mbar、初次維護(hù)前可用次數(shù)100,000次、閥體溫度≤ 120 °執(zhí)行機(jī)構(gòu)溫度≤ 60 °C、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)??商娲鶹AT閥門(mén)。電動(dòng)閘閥AKT真空閘閥通過(guò)使用滑動(dòng)閘門(mén)機(jī)構(gòu)來(lái)控制氣體的通過(guò)。
微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,控制系統(tǒng)閘閥,控制閘閥、控制系統(tǒng)插板閥、控制系統(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥,以滑動(dòng)方式操作,可以在高真空環(huán)境中實(shí)現(xiàn)精確的壓力控制。如半導(dǎo)體等高真空工藝應(yīng)用??刂葡到y(tǒng)閘閥是自動(dòng)控制到用戶(hù)指定的值,通過(guò)控制器和步進(jìn)電機(jī)保持一致的真空壓力。微泰半導(dǎo)體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation(蒸發(fā))、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過(guò) MW-PACVD 生長(zhǎng)金剛石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對(duì)卷)、Coating(涂層)、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴(kuò)散)、CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上,可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。該閘閥由上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰咎峁?/p>
微泰,三重防護(hù)閘閥、三防閘閥,應(yīng)用于? Evaporation? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石)? PECV? PVD? 涂層? Etch? Diffusion?CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上??商娲鶹AT閘閥。微泰三重防護(hù)閘閥、三防閘閥其特點(diǎn)是? 閥門(mén)控制器(1CH ~ 4CH)? 應(yīng)用:半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)中粉末和氣體等副產(chǎn)品的處理,防止回流。三重防護(hù)閘閥、三防閘閥規(guī)格如下:操作:氣動(dòng)、法蘭尺寸(內(nèi)徑) 2.5? ~ 10?、法蘭類(lèi)型ISO,KF、連接方式:焊接波紋管、閥門(mén)密封:氟橡膠O型環(huán)/Kalrez O型環(huán)、閥蓋密封:Viton O型圈、響應(yīng)時(shí)間:≤ 0.3 sec ~ 0.6 sec、操作壓力范圍: 1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar、閘門(mén)上的壓差; 1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10-10 mbar ?/sec、維護(hù)前可用次數(shù):200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽(yáng)極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī),上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰尽U婵臻l閥由一個(gè)滑動(dòng)門(mén)或板組成,可以移動(dòng)以阻止或允許通過(guò)真空閥體,從而有效地將腔室與外部環(huán)境隔離。
微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,三重防護(hù)閘閥應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對(duì)卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴(kuò)散)?CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上。有-屏蔽閘閥:防止氣體和粉末進(jìn)入閥內(nèi)的隔離閥,-三重防護(hù)閘閥:屏蔽1和2+保護(hù)環(huán)的3重隔離系統(tǒng),還有步進(jìn)電機(jī)閘閥和鋁閘閥,屏蔽門(mén)閥:產(chǎn)品范圍:2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù):25萬(wàn)次?響應(yīng)時(shí)間:0.2秒~3秒;三級(jí)預(yù)防閘閥,三重防護(hù)閘閥:產(chǎn)品范圍:4~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù):25萬(wàn)次?包括屏蔽功能;步進(jìn)電機(jī)閘閥:產(chǎn)品范圍:2.5~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù):25萬(wàn)次?包括屏蔽功能;步進(jìn)電機(jī)閘閥;鋁閘閥:產(chǎn)品范圍:2.5~12英寸?高壓氣動(dòng)?維護(hù)前可用次數(shù):10萬(wàn)次?響應(yīng)時(shí)間:0.2秒~3秒;有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī),可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。高壓閘閥,屬于強(qiáng)制密封式閥門(mén),所以在閥門(mén)關(guān)閉時(shí),必須向閘板施加壓力,以強(qiáng)制密封面不泄漏。專(zhuān)門(mén)用閘閥手動(dòng)閥
微泰,高壓閘閥應(yīng)用于? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對(duì)卷)?CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上。專(zhuān)門(mén)用閘閥手動(dòng)閥
微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥蝶閥Butterfly Valve。該蝶閥具有緊湊的設(shè)計(jì)和堅(jiān)固的不銹鋼結(jié)構(gòu),通過(guò)閘板旋轉(zhuǎn)操作。蝶閥可以實(shí)現(xiàn)精確的壓力控制和低真空環(huán)境。例如半導(dǎo)體和工業(yè)過(guò)程。蝶閥通過(guò)控制器和步進(jìn)電機(jī)自動(dòng)控制到用戶(hù)指定的值,保持一致的真空壓力。可以在高真空環(huán)境中實(shí)現(xiàn)精確的壓力控制。如半導(dǎo)體等高真空工藝應(yīng)用??刂葡到y(tǒng)閘閥是自動(dòng)控制到用戶(hù)指定的值,通過(guò)控制器和步進(jìn)電機(jī)保持一致的真空壓力。微泰半導(dǎo)體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation(蒸發(fā))、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過(guò) MW-PACVD 生長(zhǎng)金剛石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對(duì)卷)、Coating(涂層)、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴(kuò)散)、CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上,可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。該閘閥由上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰咎峁?zhuān)門(mén)用閘閥手動(dòng)閥