手動(dòng)閘閥三星半導(dǎo)體

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，三重防護(hù)閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。有-屏蔽閘閥：防止氣體和粉末進(jìn)入閥內(nèi)的隔離閥，-三重防護(hù)閘閥：屏蔽1和2+保護(hù)環(huán)的3重隔離系統(tǒng)，還有步進(jìn)電機(jī)閘閥和鋁閘閥，屏蔽門閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬次?響應(yīng)時(shí)間：0.2秒~3秒；三級(jí)預(yù)防閘閥，三重防護(hù)閘閥：產(chǎn)品范圍：4~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬次?包括屏蔽功能；步進(jìn)電機(jī)閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬次?包括屏蔽功能；步進(jìn)電機(jī)閘閥；鋁閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓氣動(dòng)?維護(hù)前可用次數(shù)：10萬次?響應(yīng)時(shí)間：0.2秒~3秒；有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰?。高壓閘閥只許介質(zhì)單向流動(dòng)，安裝時(shí)有方向性。它的結(jié)構(gòu)長(zhǎng)度大于閘閥，同時(shí)流體阻力大。手動(dòng)閘閥三星半導(dǎo)體

微泰半導(dǎo)體閘閥具有諸多特點(diǎn)：其閥門驅(qū)動(dòng)部分的所有滾子和軸承都經(jīng)過精心防護(hù)處理，形成屏蔽和保護(hù)環(huán)（Shield Blocker 和 Protection Ring），通過三重預(yù)防方式有效切斷粉末（Powder），從而延長(zhǎng)閥門驅(qū)動(dòng)及使用壽命。該閘閥采用的三重預(yù)防驅(qū)動(dòng)方式中的 Shield 功能，能夠出色地防止氣體和粉末侵入閥體內(nèi)部，同時(shí)具備三重保護(hù)驅(qū)動(dòng)保護(hù)環(huán)，可延長(zhǎng) GV 壽命的 Shield 方法，并已供應(yīng)給海外半導(dǎo)體 T 公司、M 公司和 I 公司的 Utility 設(shè)備。此外，擋板與閥體之間的距離小于 1mm，能夠強(qiáng)力阻擋內(nèi)部粉末和氣體的流入，屏蔽擋板采用 1.5t AL 材料制成，充分考慮了其復(fù)原力，并通過 Viton 粉末熱壓工藝制成。而三重保護(hù)保護(hù)環(huán)的主要功能則包括：AL 材料的重量減輕和保護(hù)環(huán)內(nèi)部照明的改善、保護(hù)環(huán)內(nèi)部流速的增加以及三元環(huán)的應(yīng)用確保了驅(qū)動(dòng)性能的提升。三防閘閥I型轉(zhuǎn)移閥閘閥的結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，一般由閥體、閥座、閥桿、閘板、閥蓋、密封圈幾部分組成。

微泰，屏蔽閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? 濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)? Coating（涂層）? Etch? Diffusion?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上?？商娲鶹AT閘閥。其特點(diǎn)是*閥體和阻斷器之間的間隙小于1mm*防止流入的氣體（粉末）進(jìn)入閥體內(nèi)部*使用維修配件工具包易于維護(hù)*應(yīng)用:隔離泵，氣流中的高水平工藝。屏蔽閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動(dòng)方式：手動(dòng)或氣動(dòng)、法蘭尺寸：2.5英寸~ 10英寸、法蘭類型：ISO, JIS, ASA, CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈、響應(yīng)時(shí)間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時(shí)的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動(dòng)壓力：2.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護(hù)前可用次數(shù)：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽(yáng)極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)

微泰轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導(dǎo)體PVDCVD設(shè)備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。它充當(dāng)將位于工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的溝槽。此外，它極大限度地減少了由于閘板打開和關(guān)閉造成的真空壓力變化，使腔室內(nèi)的真空壓力得以維持。負(fù)責(zé)門控半導(dǎo)體晶圓轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移閥分為兩種類型:I型和L型。一、I型轉(zhuǎn)移閥。I型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制成，用于傳輸晶圓小于450毫米的半導(dǎo)體系統(tǒng)和隔離工藝室。本型的特點(diǎn)是葉片在垂直方向上快速移動(dòng)，確保完美的腔室壓力維持。它采用具有LM導(dǎo)向系統(tǒng)和單連桿的內(nèi)部機(jī)構(gòu)，保證高耐用性和長(zhǎng)壽命。二、L型轉(zhuǎn)移閥。L型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制造，其特點(diǎn)是設(shè)計(jì)緊湊，易于維護(hù)。L型轉(zhuǎn)移閥的特點(diǎn)是閘門在兩個(gè)階段從垂直到水平方向移動(dòng)，確保完美的腔室壓力維護(hù)。它的內(nèi)部機(jī)構(gòu)，包括一個(gè)LM導(dǎo)向系統(tǒng)和滯留彈簧和楔形營(yíng)地結(jié)構(gòu)，保證了高耐用性和長(zhǎng)壽命，同時(shí)提供穩(wěn)定和精確的運(yùn)動(dòng)。I型和L型轉(zhuǎn)移閥在在閘門開啟和關(guān)閉過程中極大限度地減少了振動(dòng)，并且對(duì)溫度變化非常穩(wěn)定，確保了較長(zhǎng)的使用壽命。此外，即使長(zhǎng)時(shí)間使用柵極，它們產(chǎn)生的顆粒也很少，從而避免了晶圓缺陷或主器件的污染。微泰不斷創(chuàng)新，在開發(fā)先進(jìn)的壓力控制和控制閥制造專業(yè)從事真空閘閥不懈努力。微泰閘閥可替代HVA閘閥、VAT閘閥。

微泰，鋁閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。期特點(diǎn)是*不論什么工藝的設(shè)備都可以使用*由半永久性陶瓷球和彈簧組成*應(yīng)用:隔離泵。鋁閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動(dòng)方式：手動(dòng)、法蘭尺寸：1.5英寸~ 10英寸、閥體：AL6061 (Anodizing)、機(jī)械裝置：AL6061 (Anodizing)、閥門：O型圈(VITON)、真空密封：O型圈(VITON)、響應(yīng)時(shí)間≤ 3 sec、驅(qū)動(dòng)器：氣缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ?/sec、壓力范圍：< 1×10-10 mbar ?/sec、開始時(shí)的壓差：≤ 30 mbar、初次維護(hù)前可用次數(shù)100,000次、閥體溫度≤ 120 °執(zhí)行機(jī)構(gòu)溫度≤ 60 °C、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)?？商娲鶹AT閥門。微泰，高壓閘閥能應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD。PVD閘閥蝶閥

高壓閘閥，屬于強(qiáng)制密封式閥門，所以在閥門關(guān)閉時(shí)，必須向閘板施加壓力，以強(qiáng)制密封面不泄漏。手動(dòng)閘閥三星半導(dǎo)體

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥Heating gate valve，加熱插板閥，加熱閘閥，加熱器的加熱溫度為180-200度（可通過控制器設(shè)置溫度）-規(guī)格：適用雙金屬（達(dá)到200度時(shí)，斷電后溫度下降后重新啟動(dòng)），應(yīng)用于去除粉末/氣體設(shè)備。微泰，加熱閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。加熱閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動(dòng)方式：手動(dòng)或氣動(dòng)、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：ISO、JIS、ASA、CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應(yīng)時(shí)間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時(shí)的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動(dòng)壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護(hù)前可用次數(shù)：200,000次、、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。手動(dòng)閘閥三星半導(dǎo)體