而單向可控硅經觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向導通，所以采用可控硅有單雙向關系之分。電子生產中常用的SCR，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進行品種、高壓品種?？煽毓璁a品由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨的學科。“晶閘管交流技術”。可控硅發(fā)展到，在工藝上已經非常成熟，質量更好，收率有了很大的提高，并向高壓大電流發(fā)展?？煽毓柙趹秒娐分械淖饔皿w現(xiàn)在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現(xiàn)交流→可變直流之轉變;無觸點功率靜態(tài)開關（固態(tài)開關）：作為功率開關元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。因此可控硅元件被廣應用于各種電子設備和電子產品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等用途。普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件，出現(xiàn)于70年代。廣東優(yōu)勢美國IR可控硅&晶閘管模塊銷售廠
晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通。只有當U2處于正半周時，當觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時，晶閘管才接通?，F(xiàn)在，繪制其波形(圖4(c)和(d))，可以看到只有當觸發(fā)脈沖UG到達時，負載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當UG到達較早時，晶閘管導通時間較早；UG到達較晚時，晶閘管導通時間較晚。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達時間，可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術中，交流電的半周常被設定為180度，稱為電角。因此，在U2的每一個正半周期中，從零值到觸發(fā)脈沖到達時刻的電角稱為控制角α，每個正半周期中晶閘管導電的電角稱為導通角θ。顯然，α和θ都用來表示晶閘管在正向電壓半周內的通斷范圍。通過改變控制角度0或導通角theta，可通過改變負載上的脈沖直流電壓的平均ul來實現(xiàn)可控整流器。廣東優(yōu)勢美國IR可控硅&晶閘管模塊銷售廠晶閘管的主要參數(shù)有反向最大電壓，是指門極開路時，允許加在陽極、陰極之間的比較大反向電壓。
引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標稱電壓：當參考壓敏電阻直流1mA電流流動，它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進行沖擊以及電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標稱工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以內的大經濟沖擊產生電流值來表示。因為企業(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過一定程度大小的放電容量和放電次數(shù)，標稱電壓值不會隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降，而且也隨著不同放電產生電流幅值的增大而下降，當大到某一部分電流時，標稱電壓下降到0，壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此我們必須進行限定通流數(shù)據(jù)容量。漏電流：將標稱直流電壓的一半加到壓敏電阻上測量的電流。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，抑制過電壓能力強；平時漏電流小，放電后不會有續(xù)流，元件的標稱電壓等級多，便于用戶選擇；伏安特性是對稱的，可用于交、直流或正負浪涌；因此用途較廣。過電流保護由于半導體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結溫必須受到嚴格的控制。
有三個不同電極、陽極A、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠實現(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產生，而且動作快、壽命長、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有它的身影?？煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的，符號也不同。單向可控硅有三個PN結，由外層的P極和N極引出兩個電極，分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個控制極。雙向可控硅有其獨特的特點：當陽極接合，陽極接合或柵極的正向電壓，但沒有施加電壓時，它不導通，并且同時連接到陽極和柵極的正向電壓反向電壓時，它將被關上。一旦開啟，控制電壓有它的作用失去了控制，無論控制電壓極性怎么沒有了，不管控制電壓，將保持在接通狀態(tài)。關斷，只有在陽極電壓減小到一個臨界值，或反之亦然。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1、t2、g順序從左到右排列(電極引腳向下，面向側面有字符)。當施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時，其傳導電流的大小可以改變。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)一個脈沖的極性可以改變時，其導通方向就隨著不同極性的變化而改變，從而能夠進行控制提供交流電系統(tǒng)負載。這類應用一般多應用在電力試驗設備上，通過變壓器，調整晶閘管的導通角輸出一個可調的直流電壓。
其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經可以達到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。但是此種開關所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關斷，導通后控制極即不再起作用，要關斷必須切斷電源，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關斷不可控的特性，必須另外配以由電感、電容及輔助開關器件等組成的強迫換流電路，從而使裝置體積增大，成本增加，而且系統(tǒng)更為復雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結構，開通損耗大，工作頻率難以提高，限制了其應用范圍。1970年代末，隨著可關斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷，標志著電力電子器件已經從半控型器件發(fā)展到全控型器件。晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關斷。廣東優(yōu)勢美國IR可控硅&晶閘管模塊銷售廠
金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種。廣東優(yōu)勢美國IR可控硅&晶閘管模塊銷售廠
當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關斷。工作過程/晶閘管編輯概述晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管，圖2晶閘管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig，則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2）/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2）很小。廣東優(yōu)勢美國IR可控硅&晶閘管模塊銷售廠