1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí)，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號(hào)上的額定電壓。由于瞬時(shí)過(guò)電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時(shí)候，額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數(shù)。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下，晶閘管元件可以連續(xù)通過(guò)的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期內(nèi))的平均值，稱(chēng)為額定通態(tài)平均電流IT，簡(jiǎn)稱(chēng)額定電流。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下，維持元件繼續(xù)導(dǎo)通的**小電流稱(chēng)為維持電流IH。一般為幾十毫安～一百多毫安，其數(shù)值與元件的溫度成反比，在120攝氏度時(shí)維持電流約為25攝氏度時(shí)的一半。當(dāng)晶閘管的正向電流小于這個(gè)電流時(shí)，晶閘管將自動(dòng)關(guān)斷。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類(lèi)型：晶閘管有多種類(lèi)型，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。讓輸出電壓變得可調(diào)，也屬于晶閘管的一個(gè)典型應(yīng)用。天津定制MagnaChip美格納模塊
晶閘管的種類(lèi)晶閘管有多種方式分類(lèi)管理方法。（1）按關(guān)閉、傳導(dǎo)和控制方式分類(lèi)晶閘管可分為普通晶閘管、晶閘管晶閘管、反向晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、btg晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管。（B）在銷(xiāo)和分類(lèi)的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類(lèi)晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管，晶閘管塑料晶閘管和三種類(lèi)型的陶瓷封裝的。其中，所述金屬包晶閘管被分成螺栓形，板形，圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無(wú)兩。（四）按電流容量分類(lèi)晶閘管按電流進(jìn)行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝，而中、小功率通過(guò)晶閘管則多采用塑封或陶瓷材料封裝。（五）按關(guān)斷速度分類(lèi)根據(jù)它們的普通晶閘管關(guān)斷晶閘管，并且可以被劃分為高頻（快）晶閘管。晶閘管和可控硅的區(qū)別晶閘管(THYRISTOR)又稱(chēng)SCR，屬于功率器件領(lǐng)域，是一種功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件。SCR是它的縮寫(xiě)。根據(jù)其工作特性，可分為單向SCR(SCR)和雙向SCR(TRIAC)?？煽毓枰卜Q(chēng)作一個(gè)晶閘管，它是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的元件。天津定制MagnaChip美格納模塊塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
晶閘管是一種開(kāi)關(guān)元件，顧名思義他的名字里面有一個(gè)閘字也就是門(mén)，開(kāi)關(guān)的意思，他的應(yīng)用在各種電路，以及電子設(shè)備中。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設(shè)備，他通過(guò)一個(gè)電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)此時(shí)他的電阻變得很小相當(dāng)于一跟導(dǎo)線(xiàn)。晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)，又被稱(chēng)做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅，晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和控制極，晶閘管（Thyristor）是一種開(kāi)關(guān)元件，能在高電壓、大電流條件下工作，并且其工作過(guò)程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。1957年，美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上第1個(gè)晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。晶閘管的分類(lèi)：晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）、逆導(dǎo)晶閘管（RCT）、門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管（TT國(guó)外，TTS國(guó)內(nèi)）和光控晶閘管（LTT）等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類(lèi)型。其中。
晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點(diǎn)三相交流模塊輸出對(duì)稱(chēng)性好等優(yōu)點(diǎn)功耗低，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點(diǎn)2模塊規(guī)格3注意事項(xiàng)4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點(diǎn)編輯（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路，實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控作用。（2）采用進(jìn)口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進(jìn)口貼片元件，保證觸發(fā)控制電路的可靠性；采用（DCB）陶瓷覆銅板，導(dǎo)熱性能好，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)近10倍；采用高級(jí)導(dǎo)熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優(yōu)良。（3）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱底板相互隔離，導(dǎo)熱底板不帶電，絕緣強(qiáng)度≥2500V（RMS），保證人身安全。（4）三相交流模塊輸出對(duì)稱(chēng)性好，直流分量小。大規(guī)格模塊具有過(guò)熱、過(guò)流、缺相保護(hù)作用。（5）輸入0～10V直流控制信號(hào)或0～5V直流控制信號(hào)、4～20mA儀表信號(hào)，均可實(shí)現(xiàn)對(duì)主電路輸出電壓進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)；可手動(dòng)、儀表或微機(jī)控制。（6）適用于阻性和感性負(fù)載。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示。
晶閘管陽(yáng)極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻，處于截止?fàn)顟B(tài)(稱(chēng)為正向阻斷狀態(tài))，簡(jiǎn)稱(chēng)斷態(tài)。當(dāng)陽(yáng)極電壓上升到某一數(shù)值時(shí)，晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通狀態(tài)，簡(jiǎn)稱(chēng)通態(tài)。陽(yáng)極這時(shí)的電壓稱(chēng)為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓(UDSM)，或稱(chēng)正向轉(zhuǎn)折電壓(UBO)。導(dǎo)通后，元件中流過(guò)較大的電流，其值主要由限流電阻(使用時(shí)由負(fù)載)決定。在減小陽(yáng)極電源電壓或增加負(fù)載電阻時(shí)，陽(yáng)極電流隨之減小，當(dāng)陽(yáng)極電流小于維持電流IH時(shí)，晶閘管便從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)化為阻斷狀態(tài)。由圖可看出，當(dāng)晶閘管控制極流過(guò)正向電流Ig時(shí)，晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓降低，Ig越大，轉(zhuǎn)折電壓越小，當(dāng)Ig足夠大時(shí)，晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓很小，一加上正向陽(yáng)極電壓，晶閘管就導(dǎo)通。實(shí)際規(guī)定，當(dāng)晶閘管元件陽(yáng)極與陰極之間加上6V直流電壓時(shí)，能使元件導(dǎo)通的控制極**小電流(電壓)稱(chēng)為觸發(fā)電流(電壓)。在晶閘管陽(yáng)極與陰極間加上反向電壓時(shí)，開(kāi)始晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)，只有很小的反向漏電流流過(guò)。當(dāng)反向電壓增大到某一數(shù)值時(shí)，反向漏電流急劇增大，這時(shí)，所對(duì)應(yīng)的電壓稱(chēng)為反向不重復(fù)峰值電壓(URSM)，或稱(chēng)反向轉(zhuǎn)折(擊穿)電壓(UBR)?？梢?jiàn)，晶閘管的反向伏安特性與二極管反向特性類(lèi)似。晶閘管晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)過(guò)程的物理過(guò)程較為復(fù)雜。晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。天津定制MagnaChip美格納模塊
1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上第1晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。天津定制MagnaChip美格納模塊
這對(duì)晶閘管是非常危險(xiǎn)的。開(kāi)關(guān)引起的沖擊電壓分為以下幾類(lèi)：（1）AC電源被切斷過(guò)電壓而產(chǎn)生例如，交流以及開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓，這些系統(tǒng)過(guò)電壓?jiǎn)栴}由于我國(guó)變壓器內(nèi)部繞組的分布進(jìn)行電容、漏抗造成的諧振控制回路、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開(kāi)閉運(yùn)動(dòng)速度越來(lái)越快過(guò)電壓能力越高，在空載情況下可以斷開(kāi)回路設(shè)計(jì)將會(huì)有更高的過(guò)電壓。（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓如果截止電路的電感很大或者截止電路的電流值很大，就會(huì)產(chǎn)生較大的過(guò)電壓。這種情況經(jīng)常出現(xiàn)在切斷負(fù)荷、導(dǎo)通晶閘管開(kāi)路或快速熔斷器熔斷時(shí)，引起電流突變。（3）換相沖擊電壓包括換相過(guò)電壓和換相振蕩過(guò)電壓。換相過(guò)電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過(guò)電壓。換相過(guò)電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過(guò)電壓，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值與換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高，換相振蕩過(guò)電壓也越大。針對(duì)形成過(guò)電壓的不同原因，可以采取不同的抑制方法，如減少過(guò)電壓源，并使過(guò)電壓幅值衰減；抑制過(guò)電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度，增加其消散的途徑。天津定制MagnaChip美格納模塊