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來源: 發(fā)布時間:2024-06-29

    沒有必要再引出控制極,所以,只有兩個電極(陽極A和陰極K)。但其結構與普通晶閘管一樣,是由4層PNP型器件構成的。光控晶閘管的外形及電路圖形符號如圖1所示。從外形上看,光控晶閘管有受光窗口,還有兩條引腳和殼體,酷似光電二極管。[3]光控晶閘管工作原理編輯當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓、陰極加上負向電壓時,如圖2-(1)所示的光控晶閘管電路可以等效成如圖2-(2)所示的電路。圖2光控晶閘管電路由圖2-(2)可推算出式中I1——光電二極管的光電流;Ia——-光控晶閘管的陽極電流,即光控晶閘管的輸出電流;a1,a2—VT1,VT2的電流放大系數。由上式可知,Ia與I1成正比,即當光電二極管的光電流增大時,光控晶閘管的輸出電流也相應增大,同時I1的增大,使VT1、VT2的電流放大系數a1、a2也增大。當a1與a2之和接近于1時,光控晶閘管的電流達到大,即完全導通。能使光控晶閘管導通的小光照度,稱為導通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣,一經觸發(fā),即成通導狀態(tài)。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口,它就立即成為通導狀態(tài),而后即使撤離光源也能維持導通,除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相才能關閉。 根據晶閘管的工作特性,常見的應用就是現場用的不間斷應急燈。天津Infineon英飛凌晶閘管銷售

    圖簡單地給出了晶閘管開通和關斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況;而關斷過程描述的是對已導通的晶閘管,在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r(如圖中點劃線波形)。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關注的是晶閘管的開通時間t。由于晶閘管內部的正反饋過程以及外電路電感的限制,晶閘管受到觸發(fā)后,其陽極電流只能逐漸上升。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始,到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%(對于阻性負載相當于陽極電壓降到額定值的90%),這段時間稱為觸發(fā)延遲時間t。陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時間(對于阻性負載相當于陽極電壓由90%降到10%)稱為上升時間t,開通時間t定義為兩者之和,即t=t+t通常晶閘管的開通時間與觸發(fā)脈沖的上升時間,脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關。[1]關斷過程處于導通狀態(tài)的晶閘管當外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r,由于外電路電感的存在,其陽極電流在衰減時存在過渡過程。陽極電流將逐步衰減到零,并在反方向流過反向恢復電流,經過大值I后,再反方向衰減。同時。 云南進口Infineon英飛凌晶閘管銷售晶閘管承受正向陽極電壓時,在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。

    產生波形失真和噪聲??申P斷晶閘管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻率比GTR低。目前,GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域,顯示出強大的生命力??申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結構及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同,但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即處于深度飽和狀態(tài),而GTO在導通后只能達到臨界飽和,所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益,βoff,它等于陽極大可關斷電流IATM與門極大負向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔。

    在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。2、使用可控硅之前,應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現有短路或斷路現象時,應立即更換。3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。損壞原因判別/晶閘管編輯當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。 當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時,晶閘管就會立即損壞。

    2)交流無觸點開關雙向晶閘管可以用作交流無觸點開關。如圖4-50所示為照明燈延時控制電路,雙向晶閘管VS就是一個交流無觸點開關。延時電路被觸發(fā)后照明燈隨即點亮,但觸發(fā)信號消失后照明燈并不立即熄滅。延時電路輸出到VS控制極的U電壓會延續(xù)一段時間,保持vs導通,直全延時結束后照明燈才熄滅。這里有一點需要特別強調,就是在交流回路中,交流電壓在每一周期內都會有兩次過零點,這時品閘管會關斷。交流同態(tài)繼電器電路巾也用到雙向晶閘管,如圖4-51所示。當交流固態(tài)繼電器輸入端加上控制電壓時,雙向晶閘管VS導通,接通輸出端交流電路。(3)可控整流晶體閘流管可以用作可控整流,即不但能夠完成整流功能,面且還可以控制輸出直流電壓的大小。可控整流電路如圖4-52所示,晶閘管VS1、VS2為可控整流器件。只有當控制極有觸發(fā)脈沖UG時晶閘管才導通進行整流.而每當交流電壓過零時晶閘管關斷。改變觸發(fā)脈沖在交流電每半周內出現的遲早,即可改變晶閘管的導通角.從葡改變了輸出到負載的直流電壓的大小。(4)直流逆變可關斷晶閘管可以很方便地構成直流逆變電路,將直流電逆變?yōu)榻涣麟姟H鐖D4-53所示為直流逆變電路,兩個可關斷品閘管VS1、VS2的控制極觸發(fā)電壓UG1、UG2。 晶閘管可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門極關斷晶閘管、晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管多種。云南哪里有Infineon英飛凌晶閘管廠家供應

晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。天津Infineon英飛凌晶閘管銷售

    1.選擇晶閘管的類型晶閘管有多種類型,應根據應用電路的具體要求合理選用。若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等,可選用普通晶閘管。若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中,應選用雙向晶閘管。若用于交流電動機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等,可選用門極關斷晶閘管。若用于鋸齒波器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發(fā)電路等,可選用立創(chuàng)商城晶閘管。若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統(tǒng)及開關電源等電路,可選用逆導晶閘管。若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數器、光電邏輯電路及自動生產線的運行監(jiān)控電路,可選用光控晶閘管。 天津Infineon英飛凌晶閘管銷售