二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件[1]。它具有單向導電性能，即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時，二極管導通。當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。因此，二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開[2]。二極管是早誕生的半導體器件之一，其應用非常廣。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接，構成不同功能的電路，可以實現對交流電整流、對調制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩(wěn)壓等多種功能[3]。無論是在常見的收音機電路還是在其他的家用電器產品或工業(yè)控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡[3]。中文名二極管外文名Diode特性單向導電性應用家用電器、工業(yè)控制電路等類別半導體器件組成材料硅、硒、鍺等目錄1結構組成2工作原理?PN結形成原理?PN結單向導電性3主要分類?點接觸型二極管?面接觸型二極管?平面型二極管?穩(wěn)壓管?光電二極管?發(fā)光二極管4特性參數?伏安特性?正向特性?反向特性?擊穿特性?反向電流?動態(tài)電阻?電壓溫度系數?高工作頻率?大整流電流?高反向工作電壓5檢測方法?小功率晶體二極管?雙向觸發(fā)二極管?瞬態(tài)電壓抑制二極管?高頻變阻二極管?變容二極管?單色。 當外加電壓等于零時，由于p-n結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起漂移電流相等電平衡狀態(tài)。浙江艾賽斯IXYS二極管模塊聯系方式
空穴為少數載流子。[6]因此，在本征半導體的兩個不同區(qū)域摻入三價和PN結五價雜質元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。[6]二極管PN結單向導電性在PN結外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都要PN結移動，空穴和PN結P區(qū)的負離子中和，電子和PN結N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結導通。[6]二極管主要分類編輯二極管點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用[5]。二極管面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用[5]。二極管平面型二極管平面型二極管在脈沖數字電路中作開關管使用時PN結面積小，用于大功率整流時PN結面積較大[5]。 寧夏哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊哪家好與PN結一樣，二極管具有單向導電性。
二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。3、擊穿外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。二極管是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管現已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生早的半導體器件之一，其應用也非常廣。二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降，鍺管正向管壓降為，發(fā)光二極管正向管壓降會隨不同發(fā)光顏色而不同。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為，黃色發(fā)光二極管的壓降為—，綠色發(fā)光二極管的壓降為—，正常發(fā)光時的額定電流約為20mA。二極管的電壓與電流不是線性關系，所以在將不同的二極管并聯的時候要接相適應的電阻。[1]二極管原理二極管的原理編輯二極管工作原理。
肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。肖特基二極體的導通電壓非常低。一般的二極管在電流流過時，會產生約，不過肖特基二極管的電壓降只有，因此可以提升系統(tǒng)的效率。肖特基二極管和一般整流二極管大的差異在于反向恢復時間，也就是二極管由流過正向電流的導通狀態(tài)，切換到不導通狀態(tài)所需的時間。一般整流二極管的反向恢復時間大約是數百nS，若是高速二極管則會低于一百nS，肖特基二極管沒有反向恢復時間，因此小信號的肖特基二極管切換時間約為數十pS，特殊的大容量肖特基二極管切換時間也才數十pS。由于一般整流二極管在反向恢復時間內會因反向電流而造成EMI噪聲。肖特基二極管可以立即切換，沒有反向恢復時間及反相電流的問題。 二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷（稱為逆向偏壓）。
電路中電流增加很快，燈泡發(fā)光。隨著電流增大，二極管VD兩端電壓維持在0．6～0．7V之間不再增加。由此可見，在正向偏置情況下，二極管表現出不同電壓下具有不同的電阻值。為了準確描述這個物理現象，可以記錄每個電壓下對應的電流，從而描繪成曲線，可得到圖(b)所示的二極管正向電流、電壓關系特性在圖(b)所示正向特性中，當正向電壓較小時，正向電流幾乎為零(曲線OA段)，這時二極管并未真正導通，這一段所對應的電壓稱為二極管的死區(qū)電壓或閾值電壓，通常硅管約為0．5V，鍺管約為0．2V。當正向電壓大于死區(qū)電壓后，正向電流迅速增加，這時二極管才真正導通，由圖(b)可見，在A點以后曲線很陡，說明二極管兩端電壓幾乎恒定，硅管約為0．6～0．7V，鍺管約為0．2～0．3v。2．反向偏置與截止狀態(tài)二極管陽極接低電位，陰極接高電位，連接電路如圖(a)所示，這種連接稱為二極管的反向偏置。此時調節(jié)串聯在電路中的電阻大小發(fā)現，即使二極管兩端反向電壓較高時，電路中仍然幾乎沒有電流，燈泡不發(fā)光。當二極管兩端反向電壓到達足夠大時(對于各種二極管該電壓數值不同)，二極管會突然導通，并造成二極管的長久損壞。同樣可將反向偏置情況下的二極管電流與電壓關系描繪成曲線。 當外加電壓等于零，由于p-n結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流處于電平衡狀態(tài)。遼寧哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊工廠直銷
可以通過選擇半導體材料和制造過程中引入材料中的摻雜雜質來定制半導體二極管的電流-電壓特性。浙江艾賽斯IXYS二極管模塊聯系方式
或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。2、肖特基二極管的結構肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區(qū)別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構成。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變??；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對管又有：共陰（兩管的負極相連）、共陽（兩管的正極相連）和串聯（一只二極管的正極接另一只二極管的負極）三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有A~19種管腳引出方式。3、常用的肖特基二極管常用的有引線式肖特基二極管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型號。也就是常說的插件封裝。 浙江艾賽斯IXYS二極管模塊聯系方式