雙向晶閘管的伏安特性見圖3,由于正、反向特性曲線具有對稱性,所以它可在任何一個方向導通。從晶閘管的內部分析工作過程:晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結圖一,可以把它中間的NP分成兩部分,構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖二.當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,兩個互相復合的晶體管電路,當有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導通,晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應為Ia和Ik;電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖三所示。當晶閘管承受正向陽極電壓,而門極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小。 雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。上海進口西門康SEMIKRON可控硅貨源充足
可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷;實現將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽w器件一樣,有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業(yè)、農業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應用。可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應用較多??煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y構原件可控硅有三個極----陽極(A)、陰極(C)和控制極(G),管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結,與只有一個PN結的硅整流二極管在結構上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y構和控制極的引入,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎??煽毓钁脮r,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。 遼寧代理西門康SEMIKRON可控硅廠家電話大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,高頻熔煉爐等。
在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,可控硅被觸發(fā)導通。畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,可以看到,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸常見可控硅出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早,可控硅導通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內可控硅導通的電角度叫導通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現了可控整流。可控硅原理無觸點開關可控硅一個關鍵用途在于做為無觸點開關。在自動化設備中,用無觸點開關代替通用繼電器已被逐步應用。其特點是無噪音,壽命長。可控硅原理產品特性編輯可控硅陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向。
可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等??煽毓璧膬?yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍。
在門極G上加以正電壓或正脈沖信號,則GT0導通;當門極上信號消失后,GTO仍然保持導通狀態(tài),這與普通SCR性能完全一樣。這時如在門極與陰極之間加入反向電壓或較強的反向脈沖信號,可使GTO關斷。GTO在門極加負脈沖關斷信號時,有一個反向偏置工作安全區(qū)問題。就是指一定條件下GT0能可靠關斷的陽極電流和陽極電壓的軌跡。以上圖可控硅模塊來說,怎么判斷可控硅模塊如下1、這種模塊已經標注有詳細的圖,在門極上部也清楚標注有希拉數字4、5、6、7。也就是說可控硅模塊無需極性判別。簡單的判別,可用數字萬用表的電阻擋位200Ω,測量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6,是否一一對應。如不對應表示模塊內部已經出現損壞了。正常時k1與G1正反向電阻值都為一樣14Ω。K2與G2的兩個端點的電阻也應該是14Ω。如果測得陰極k與門極G電阻值等于o時,說明元件內部己經短路擊穿損壞。上面三個電流緊固電極(1~AK2)、(2~K1)、(3~A)。2、將萬用表200MΩ擋位測量,它們之間的電阻值,均為∞無窮大均為好。如果它們三點之中其中有二點有電阻值,表明模塊已壞。3、可將用于整流作用的模塊可控硅單獨分為一只可控硅看,為安全起見,采用24V直流穩(wěn)壓電源,與一直流24V5W燈泡如下圖進行簡單的判別。 額定通態(tài)電流(IT)即比較大穩(wěn)定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。遼寧代理西門康SEMIKRON可控硅廠家電話
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可控硅模塊又叫晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等。大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極:第1層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。上海進口西門康SEMIKRON可控硅貨源充足