BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發(fā)信號是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過觸發(fā)信號（小觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1應(yīng)用舉例：可控硅在實際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來有直流觸發(fā)電路，交流觸發(fā)電路，相位觸發(fā)電路等等。1、直流觸發(fā)電路：如圖2是一個電視機(jī)常用的過壓保護(hù)電路，當(dāng)E+電壓過高時A點電壓也變高，當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時DZ道通，可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路，使保險絲RJ熔斷，從而起到過壓保護(hù)的作用。2、相位觸發(fā)電路：相位觸發(fā)電路實際上是交流觸發(fā)電路的一種，如圖3，這個電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號的相位。當(dāng)R值較少時，RC時間常數(shù)較少，觸發(fā)信號的相移A1較少，因此負(fù)載獲得較大的電功率；當(dāng)R值較大時，RC時間常數(shù)較大，觸發(fā)信號的相移A2較大。 在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。廣東西門康SEMIKRON可控硅工廠直銷
只有可控硅模塊能夠滿足上述條件，才能說明可控硅模塊是質(zhì)量的。當(dāng)然，判斷起來也非常簡單，只需要使用萬用表的歐姆檔測量可控硅的極間電阻。具體的做法就是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路，此可控硅不能使用了。接著就是檢測可控硅模塊的三個PN結(jié)是否完好或者損壞，可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值?；旧蟻碚f，通過以上方法就能夠判斷出可控硅模塊的好壞了。 山西代理西門康SEMIKRON可控硅哪家好可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。
電動機(jī)端電壓波形為正弦波，即全導(dǎo)通狀態(tài)；（圖示兩種狀態(tài)）當(dāng)可控硅導(dǎo)通角α1《180°時，電動機(jī)端電壓波形如圖實線所示，即非全導(dǎo)通狀態(tài)，有效值減??；α1越小，導(dǎo)通狀態(tài)越少，則電壓有效值越小，所產(chǎn)生的磁場越小，則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。但這時電動機(jī)電壓和電流波形不連續(xù)，波形差，故電動機(jī)的噪音大，甚至有明顯的抖動，并帶來干擾。這些現(xiàn)象一般是在微風(fēng)或低風(fēng)速時出現(xiàn)，屬正常。由以上的分析可知，采用可控硅調(diào)速其電機(jī)轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。3.各元器件作用及注意事項D15、R28、R29、E9、Z1、R30、C1組成降壓、整流、慮波穩(wěn)壓電路，獲得相對直流電壓12V，通過光電偶合器PC817給雙向可控硅BT131提供門極電壓；R25、C15組成RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，解決可控硅導(dǎo)通與截止對電網(wǎng)的干擾，使其符合EMI測試標(biāo)準(zhǔn)；同時防止可控硅兩端電壓突變，造成無門極信號誤導(dǎo)通。TR1選用1A/400V雙向可控硅，TR1有方向性，T1、T2不可接反，否則電路不能正常工作。L2為扼流線圈，防止可控硅回路中電流突變，保護(hù)TR1，由于它是儲能元件，在TR1關(guān)斷和導(dǎo)通過程中，尖峰電壓接近50V，R24容易受沖擊損壞。
一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用?？僧嫵鰣D1的等效電路圖。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG2的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2，經(jīng)放大，BG2將有一個放大了β2倍的集電極電流IC2。因為BG2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。事實上這一過程是“一觸即發(fā)”的，對可控硅來說，觸發(fā)信號加到控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2），這一電流遠(yuǎn)大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果E極性反接。 額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
可控硅模塊作為電路中非常重要的一個基礎(chǔ)元件，它也有好壞之分，其好壞的合適與否都直接關(guān)系到運行質(zhì)量的好壞，所以，在選購可控硅模塊前學(xué)會如何判斷可控硅的好壞是非常重要的，選擇好的可控硅模塊，可以保證運行的質(zhì)量和性能。其實，判斷可控硅模塊是否完好也并不難，需要從四個方面來進(jìn)行檢查和判斷：首先是判斷該元件的三個PN結(jié)是否完好；其次就是在陰極與陽極之間電壓反向連接時能夠阻斷不導(dǎo)通；緊接著就是當(dāng)控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導(dǎo)通；第四就是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。山西代理西門康SEMIKRON可控硅哪家好
可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多。廣東西門康SEMIKRON可控硅工廠直銷
可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。廣東西門康SEMIKRON可控硅工廠直銷