本實用新型屬于電磁閥技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機構(gòu)。背景技術(shù)：大多數(shù)家用電器上使用的需要實現(xiàn)全波整流功能的進水電磁閥，普遍將整流橋堆設(shè)置在電腦板等外部設(shè)備上，占用了電腦板上有限的空間，造成制造成本偏高，且有一定的故障率，一旦整流橋堆失效，整塊電腦板都將報廢。雖然目前市場上出現(xiàn)了內(nèi)嵌整流橋堆的進水電磁閥，但有些由于繞組塑封的結(jié)構(gòu)不合理，金屬件之間的爬電距離設(shè)置過小，導致產(chǎn)品的電氣性能較差，安全性較差，在一些嚴酷條件下使用很容易損壞塑封，引起產(chǎn)品失效，嚴重的會燒毀家用電器；有些由于工藝過于復雜，橋堆跟線圈在同一側(cè)，導致橋堆在線圈發(fā)熱時損傷。技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種電氣性能和可靠性高的電磁閥的帶整流橋繞組塑封機構(gòu)。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案：一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機構(gòu)，包括線圈架、設(shè)于所述線圈架上的繞組、設(shè)于所述線圈架上的插片組件及套設(shè)于所述線圈架外的塑封殼，所述插片組件設(shè)于線圈架上部的一插片和與所述線圈架上部插接配合的多個第二插片；所述一插片與所述第二插片通過整流橋堆電連。推薦的，所述一插片為兩個。 整流橋（D25XB60）內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。進口西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式
本實用新型涉及半導體器件領(lǐng)域，特別是涉及一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組。背景技術(shù)：目前照明領(lǐng)域led驅(qū)動照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應用，由于用量十分巨大，對于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低，主流的拓撲架構(gòu)基本已經(jīng)定型，很難再從外圈節(jié)省某個元器件，同時芯片工藝的提升對于高壓模擬電路來說成本節(jié)省有限，基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅(qū)動電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成，系統(tǒng)中至少有三個不同封裝的芯片，導致芯片的封裝成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何節(jié)省封裝成本，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。技術(shù)實現(xiàn)要素：鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片封裝成本高的問題。為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)至少包括：塑封體，設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號地管腳、漏極管腳、采樣管腳。 進口西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。
③由于此時整流橋的散熱狀況與散熱器的熱阻密切相關(guān)，因此散熱器熱阻的大小將直接影響到整流橋上溫度的高低。由此可以看出，在生產(chǎn)廠家所提供的整流橋參數(shù)表中關(guān)于整流橋帶散熱器的熱阻時，只可能是整流橋背面的結(jié)--殼(Rjc)或整流橋殼體上的總的結(jié)--殼熱阻(正面和背面熱阻的并聯(lián));此時的結(jié)--環(huán)境的熱阻已經(jīng)沒有參考價值，因為它是隨著散熱器的熱阻而明顯地發(fā)生變化的。折疊殼溫確定整流橋在強迫風冷冷卻時殼溫的確定由以上兩種情況三種不同散熱冷卻形式的分析與計算，我們可以得出:在整流橋自然冷卻時，我們可以直接采用生產(chǎn)廠家所提供的結(jié)--環(huán)境熱阻(Rja)，來計算整流橋的結(jié)溫，從而可以方便地檢驗我們的設(shè)計是否達到功率元器件的溫度降額標準;對整流橋采用不帶散熱器的強迫風冷情況，由于在實際使用中很少采用，在此不予太多的討論。如果在應用中的確涉及該種情形，可以借鑒整流橋自然冷卻的計算方法;對整流橋采用散熱器進行冷卻時，我們只能參考廠家給我們提供的結(jié)--殼熱阻(Rjc)，通過測量整流橋的殼溫從而推算出其結(jié)溫，達到檢驗目的。在此，我們著重討論該計算殼溫測量點的選取及其相關(guān)的計算方法，并提出一種在實際應用中可行、在計算中又可靠的測量方法。
這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導熱性能較差的FR4(其導熱系數(shù)小于.℃)，因此它對整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時，這也驗證了為什么我們在采用整流橋殼體正表面溫度作為計算的殼溫時，對測溫熱電偶位置的放置不同，得到的結(jié)果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內(nèi)部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進一步說明，在整流橋內(nèi)部由于器封裝材料是導熱性能較差的FR4，所以其內(nèi)部的溫度分布極不均勻。我們以后在測量或分析整流橋或相關(guān)的其它功率元器件溫度分布時，應著重注意該現(xiàn)象，力圖避免該影響對測量或測試結(jié)果產(chǎn)生的影響。折疊結(jié)論通過前面對整流橋三種不同形式散熱的分析并結(jié)合對一整流橋詳細的仿真模型的分析結(jié)果，我們可以得出如下結(jié)論:1、在計算整流橋的結(jié)溫時，其生產(chǎn)廠家所提供的Rjc(強迫風冷時)是指整流橋的結(jié)與散熱器相接觸的整流橋殼體表面間的熱阻;2、器件參數(shù)中所提供的Rja是指該器件在自然冷卻是結(jié)溫與周圍環(huán)境間的熱阻;3、對帶有散熱器的整流橋且為強迫風冷散熱地殼溫測量時，應該采用與整流橋殼體相接觸的散熱器表面溫度作為計算的殼溫，必要時可以考慮整流橋與散熱器間的接觸熱阻。不應該采用整流橋殼體正面上的溫度作為計算的殼溫。 在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引**流輸入導線）相連。
大多數(shù)的整流全橋上均標注有“+”、“一”、“～”符號(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負極，兩個“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“～”極、“一”極與兩個“～”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測量方法相同)是否正常，即可判斷該全橋是否損壞。若測得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。高壓硅堆的檢測高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成，檢測時，可用萬用表的R×lok擋測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向均有一定電阻值，則說明該高壓硅堆已被擊穿損壞。肖特基二極管的檢測二端肖特基二極管可以用萬用表Rl擋測量。正常時，其正向電阻值(黑表筆接正極)為～，反向電阻值為無窮大。若測得正、反向電阻值均為無窮大或均接近O，則說明該二極管已開路或擊穿損壞。三端肖特基二極管應先測出其公共端，判別出是共陰對管，還是共陽對管，然后再分別測量兩個二極管的正、廈向電阻值。整流橋堆全橋的極性判別方法極性的判別1)外觀判別法。 MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。進口西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式
常用的國產(chǎn)全橋有佑風YF系列，進口全橋有ST、IR等。進口西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式
所述火線管腳l、所述零線管腳n、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain與臨近管腳之間的間距一般設(shè)置為大于2mm，不能低于，包括但不限于～2mm，2mm～3mm，進而滿足高壓的安全間距要求。作為本實施例的一種實現(xiàn)方式，所述信號地管腳gnd的寬度大于，進一步設(shè)置為～1mm，以加強散熱，達到封裝熱阻的作用。在本實施例中，如圖1所示，所述火線管腳l、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain位于所述塑封體11的一側(cè)，所述零線管腳n、所述信號地管腳gnd及所述采樣管腳cs位于所述塑封體11的另一側(cè)。需要說明的是，各管腳的排布位置及間距可根據(jù)實際需要進行設(shè)定，不以本實施例為限。如圖1所示，所述整流橋的一交流輸入端通過基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過基島或引線連接所述零線管腳，一輸出端通過基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過基島或引線連接所述信號地管腳。具體地，作為本實用新型的一種實現(xiàn)方式，所述整流橋包括四個整流二極管，各整流二極管的正極和負極分別通過基島或引線連接至對應管腳。在本實施例中，所述整流橋采用兩個n型二極管及兩個p型二極管實現(xiàn)，其中，一整流二極管dz1及第二整流二極管dz2為n型二極管。 進口西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式