并在檢測電阻40上得到檢測信號。因此，這種將檢測電阻40通過引線直接與主工作區(qū)的源區(qū)金屬相接，可以避免主工作區(qū)的工作電流接地電壓對測試的影響。但是，這種方式得到的檢測電流曲線與工作電流曲線并不對應，如圖4所示，得到的檢測電流與工作電流的比例關(guān)系不固定，在大電流時，檢測電流與工作電流的偏差較大，此時，電流傳感器1的靈敏性較低，從而導致檢測電流的精度和敏感性比較低。針對上述問題，本發(fā)明實施例提供了igbt芯片及半導體功率模塊，避免了柵電極因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠?，提高了檢測電流的精度。為便于對本實施例進行理解，下面首先對本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片進行詳細介紹。實施例一：本發(fā)明實施例提供了一種igbt芯片，圖5為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，在igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域10、電流檢測區(qū)域20和接地區(qū)域30；其中，在igbt芯片上還包括第1表面和第二表面，且，第1表面和第二表面相對設(shè)置；第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20的公共柵極單元100，以及，工作區(qū)域10的第1發(fā)射極單元101、電流檢測區(qū)域20的第二發(fā)射極單元201和第三發(fā)射極單元202，其中，第三發(fā)射極單元202與第1發(fā)射極單元101連接。 開關(guān)頻率比較大的IGBT型號是S4，可以使用到30KHz的開關(guān)頻率。甘肅代理英飛凌infineonIGBT模塊銷售
本發(fā)明實施例還提供了一種半導體功率模塊，如圖15所示，半導體功率模塊50配置有上述igbt芯片51，還包括驅(qū)動集成塊52和檢測電阻40。具體地，如圖16所示，igbt芯片51設(shè)置在dcb板60上，驅(qū)動集成塊52的out端口通過模塊引線端子521與igbt芯片51中公共柵極單元100連接，以便于驅(qū)動工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20工作；si端口通過模塊引線端子521與檢測電阻40連接，用于獲取檢測電阻40上的電壓；以及，gnd端口通過模塊引線端子521與電流檢測區(qū)域的第1發(fā)射極單元101引出的導線522連接，檢測電阻40的另一端還分別與電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元201和接地區(qū)域連接，從而通過si端口獲取檢測電阻40上的測量電壓，并根據(jù)該測量電壓檢測工作區(qū)域的工作電流。本發(fā)明實施例提供的半導體功率模塊，設(shè)置有igbt芯片，其中，igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域；其中，igbt芯片還包括第1表面和第二表面，且，第1表面和第二表面相對設(shè)置；第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元，以及，工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元，其中，第三發(fā)射極單元與第1發(fā)射極單元連接。 甘肅進口英飛凌infineonIGBT模塊銷售IGBT命名方式中，能體現(xiàn)IGBT芯片的年代。
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越的應用，在較高頻率的大、率應用中占據(jù)了主導地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。1、IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關(guān)時，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應該降等使用。2、使用中的注意事項由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時。
20-電流檢測區(qū)域；201-第二發(fā)射極單元；202-第三發(fā)射極單元；30-接地區(qū)域；100-公共柵極單元；200-公共集電極單元；40-檢測電阻；2-第1發(fā)射極單元金屬；3-空穴收集區(qū)電極金屬；4-氧化物；5-多晶硅；6-n+源區(qū)；7-p阱區(qū)；8-空穴收集區(qū)；9-n型耐壓漂移層；11-p+區(qū)；12-公共集電極金屬；13-接觸多晶硅；50-半導體功率模塊；51-igbt芯片；52-驅(qū)動集成塊；521-模塊引線端子；522-導線；60-dcb板。具體實施方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。如圖1所示，igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor，雙極型三極管)和mos(metaloxidesemiconductor，絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件。在實際應用中，igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金氧半場效晶體管)的高輸入阻抗和gtr(gianttransistor，電力晶體管)的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。 這個電壓為系統(tǒng)的直流母線工作電壓。
MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻?？偟膩碚f，MOSFET優(yōu)點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)，其導通電阻小，耐壓高。選擇MOS管還是IGBT？在電路中，選用MOS管作為功率開關(guān)管還是選擇IGBT管，這是工程師常遇到的問題，如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結(jié)出以下幾點：人們常問：“是MOSFET好還是IGBT好？”其實兩者沒有什么好壞之分，i主要的還是看其實際應用情況。關(guān)于MOSFET與IGBT的區(qū)別，您若還有疑問，可以詳詢冠華偉業(yè)。深圳市冠華偉業(yè)科技有限公司，主要代理WINSOK微碩中低壓MOS管產(chǎn)品，產(chǎn)品用于、LED/LCD驅(qū)動板、馬達驅(qū)動板、快充、、液晶顯示器、電源、小家電、醫(yī)療產(chǎn)品、藍牙產(chǎn)品、電子秤、車載電子、網(wǎng)絡類產(chǎn)品、民用家電、電腦周邊及各種數(shù)碼產(chǎn)品。 這些IGBT是汽車級別的，屬于特種模塊，價格偏貴。四川英飛凌infineonIGBT模塊服務電話
英飛凌IGBT模塊選型主要是根據(jù)工作電壓，工作電流，封裝形式和開關(guān)頻率來進行選擇。甘肅代理英飛凌infineonIGBT模塊銷售
TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復峰值電流VRRM=V-------------反向重復峰值電壓IRRM=mA------------反向重復峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標準：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應過電壓）及保護晶閘管從導通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應電勢很大，這個電勢與電源串聯(lián)，反向加在已恢復阻斷的元件上，可導致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）。數(shù)值可達工作電壓的5~6倍。保護措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側(cè)過電壓及其保護由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程，會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容，初級高壓經(jīng)電容耦合到次級，出現(xiàn)瞬時過電壓。 甘肅代理英飛凌infineonIGBT模塊銷售