重慶西門康SEMIKRON整流橋模塊哪里有賣的

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-04-23

    大多數(shù)的整流全橋上均標(biāo)注有“+”、“一”、“~”符號(hào)(其中“+”為整流后輸出電壓的正極,“一”為輸出電壓的負(fù)極,兩個(gè)“~”為交流電壓輸入端),很容易確定出各電極。檢測(cè)時(shí),可通過(guò)分別測(cè)量“+”極與兩個(gè)“~”極、“一”極與兩個(gè)“~”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測(cè)量方法相同)是否正常,即可判斷該全橋是否損壞。若測(cè)得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大,則可判斷該二極管已擊穿或開(kāi)路損壞。高壓硅堆的檢測(cè)高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成,檢測(cè)時(shí),可用萬(wàn)用表的R×lok擋測(cè)量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl,反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得其正、反向均有一定電阻值,則說(shuō)明該高壓硅堆已被擊穿損壞。肖特基二極管的檢測(cè)二端肖特基二極管可以用萬(wàn)用表Rl擋測(cè)量。正常時(shí),其正向電阻值(黑表筆接正極)為~,反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得正、反向電阻值均為無(wú)窮大或均接近O,則說(shuō)明該二極管已開(kāi)路或擊穿損壞。三端肖特基二極管應(yīng)先測(cè)出其公共端,判別出是共陰對(duì)管,還是共陽(yáng)對(duì)管,然后再分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)二極管的正、廈向電阻值。整流橋堆全橋的極性判別方法極性的判別1)外觀判別法。 整流橋作為一種功率元器件,非常廣。應(yīng)用于各種電源設(shè)備。重慶西門康SEMIKRON整流橋模塊哪里有賣的

    所述火線管腳l、所述零線管腳n、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain與臨近管腳之間的間距一般設(shè)置為大于2mm,不能低于,包括但不限于~2mm,2mm~3mm,進(jìn)而滿足高壓的安全間距要求。作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,所述信號(hào)地管腳gnd的寬度大于,進(jìn)一步設(shè)置為~1mm,以加強(qiáng)散熱,達(dá)到封裝熱阻的作用。在本實(shí)施例中,如圖1所示,所述火線管腳l、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain位于所述塑封體11的一側(cè),所述零線管腳n、所述信號(hào)地管腳gnd及所述采樣管腳cs位于所述塑封體11的另一側(cè)。需要說(shuō)明的是,各管腳的排布位置及間距可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定,不以本實(shí)施例為限。如圖1所示,所述整流橋的一交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述火線管腳,第二交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述零線管腳,一輸出端通過(guò)基島或引線連接所述高壓供電管腳,第二輸出端通過(guò)基島或引線連接所述信號(hào)地管腳。具體地,作為本實(shí)用新型的一種實(shí)現(xiàn)方式,所述整流橋包括四個(gè)整流二極管,各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過(guò)基島或引線連接至對(duì)應(yīng)管腳。在本實(shí)施例中,所述整流橋采用兩個(gè)n型二極管及兩個(gè)p型二極管實(shí)現(xiàn),其中,一整流二極管dz1及第二整流二極管dz2為n型二極管。 哪里有西門康SEMIKRON整流橋模塊廠家電話橋內(nèi)的四個(gè)主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。

    在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)--環(huán)氧樹(shù)脂。然而,環(huán)氧樹(shù)脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的(一般為℃W/m,高為℃W/m),因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大(通常為℃/W)。通常情況下,在元器件的相關(guān)參數(shù)表里,生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)-環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過(guò)散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc)。折疊自然冷卻一般而言,對(duì)于損耗比較小(<)的元器件都可以采用自然冷卻的方式來(lái)解決元器件的散熱問(wèn)題。當(dāng)整流橋的損耗不大時(shí),可采用自然冷卻方式來(lái)處理。此時(shí),整流橋的散熱途徑主要有以下兩個(gè)方面:整流橋的殼體(包括前后兩個(gè)比較大的散熱面和上下與左右散熱面)和整流橋的四個(gè)引腳。通常情況下,整流橋的上下和左右的殼體表面積相對(duì)于前后面積都比較小,因此在分析時(shí)都不考慮通過(guò)這四個(gè)面(上下與左右表面)的散熱。在這兩個(gè)主要的散熱途徑中,由于自然冷卻散熱的換熱系數(shù)一般都比較小(<10W/m2C),并且整流橋前后散熱面的面積也比較小,因此實(shí)際上通過(guò)該途徑的散熱量也是十分有限的;由于引腳銅板是直接與發(fā)熱元器件(二級(jí)管)相連接的,并且其材料為銅,導(dǎo)熱性能很好。

    本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,特別是涉及一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組。背景技術(shù):目前照明領(lǐng)域led驅(qū)動(dòng)照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應(yīng)用,由于用量十分巨大,對(duì)于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低,主流的拓?fù)浼軜?gòu)基本已經(jīng)定型,很難再?gòu)耐馊?jié)省某個(gè)元器件,同時(shí)芯片工藝的提升對(duì)于高壓模擬電路來(lái)說(shuō)成本節(jié)省有限,基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅(qū)動(dòng)電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成,系統(tǒng)中至少有三個(gè)不同封裝的芯片,導(dǎo)致芯片的封裝成本高,基本上占到了芯片成本的一半左右,因此,如何節(jié)省封裝成本,已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題之一。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本實(shí)用新型的目的在于提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片封裝成本高的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)至少包括:塑封體,設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號(hào)地管腳、漏極管腳、采樣管腳。 本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化。

    一插片、第二插片之間通過(guò)線圈架隔開(kāi),可以明顯增大爬電距離,從而提高了電氣性能和可靠性,提升了產(chǎn)品質(zhì)量;而且整流橋堆放置在線圈架繞線的不同側(cè),減少了線圈發(fā)熱引起整流橋堆損傷或整個(gè)繞組的二次損傷。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的圖。圖3為本實(shí)用新型線圈架的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本實(shí)用新型整流橋堆的構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好的理解本實(shí)用新型方案,下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。如圖1-4所示,一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機(jī)構(gòu),包線圈架1、繞組、插片組件及塑封殼,其中所述線圈架1為一塑料架,該線圈架1包括架體10、設(shè)在架體10上部的一限位凸部101及設(shè)在所述架體10下部的第二限位凸部102,所述一限位凸部101為與所述架體10一體成型的環(huán)片,所述第二限位凸部102與所述架體10一體成型的環(huán)片;在所述架體10上繞有的銅絲以形成所述繞組;在所述線圈架1上套入有塑封殼,所述塑封殼為常規(guī)的塑料外殼,該塑封殼與所述架體10相連以包著繞組。進(jìn)一步的,所述插接片組件包括一插片21和兩個(gè)第二插片22,所述一插片21為銅金屬片,該一插片21為兩個(gè)。 整流橋,就是將橋式整流的四個(gè)二極管封裝在一起,只引出四個(gè)引腳。山東進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊代理商

而整流橋就是整流器的一種,另外,可以說(shuō)整流二極管是**簡(jiǎn)單的整流器。重慶西門康SEMIKRON整流橋模塊哪里有賣的

    整流橋(D25XB60)內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi),同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作,通過(guò)二極管的單向?qū)üδ埽呀涣麟娹D(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。對(duì)一般常用的小功率整流橋(如:RECTRONSEMICONDUCTOR的RS2501M)進(jìn)行解剖會(huì)發(fā)現(xiàn),其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)如圖2所示,該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)(大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式)。橋內(nèi)的四個(gè)主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板,他們分別與輸入引**流輸入導(dǎo)線)相連,形成我們?cè)谕庥^上看見(jiàn)的有四個(gè)對(duì)外連接引腳的全波整流橋。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu),在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹(shù)脂。然而,環(huán)氧樹(shù)脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的(一般為℃W/m,比較高為℃W/m),因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大(通常為℃/W)。通常情況下,在元器件的相關(guān)參數(shù)表里,生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過(guò)散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻。 重慶西門康SEMIKRON整流橋模塊哪里有賣的