云南哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-18

    整流二極管一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽?dǎo)體器件。通常它包含一個(gè)PN結(jié),有正極和負(fù)極兩個(gè)端子。二極管重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負(fù)極流出。整流二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦裕呀涣麟娮兂擅}動(dòng)直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示,另外,整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個(gè)外,還有大整流電流,是指整流二極管長時(shí)間的工作所允許通過的大電流值。它是整流二極管的主要參數(shù),是選項(xiàng)用整流二極管的主要依據(jù)。肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中有極少量的自由電子。 二極管是常用的電子元件之一,他比較大的特性就是單向?qū)щ?,也就是電流只可以從二極管的一個(gè)方向流過。云南哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí),小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí),半導(dǎo)體受熱激發(fā),少數(shù)載流子數(shù)目增加,反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí),反向電流會(huì)突然增大,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長久破壞,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復(fù),否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子。 內(nèi)蒙古代理艾賽斯IXYS二極管模塊服務(wù)電話二極管重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負(fù)極流出。

    肖特基,肖特基二極管,肖特基模塊一、知識(shí)點(diǎn)肖特基SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的,因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管。SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面:1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低)。2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間,完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。故開關(guān)速度非常快,開關(guān)損耗也特別小,尤其適合于高頻應(yīng)用。SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn),但其反向擊穿電壓比較低,比較高約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。二、產(chǎn)品介紹1.規(guī)格本公司引進(jìn)美國onsem(安森美)公司的質(zhì)量芯片,采用特殊的封裝工藝生產(chǎn)出YF系列共陰肖特基二極管模塊,具有損耗、超高速、多子導(dǎo)電、大電流、均流效果好等優(yōu)點(diǎn)。特別適合6V~24V高頻電鍍電源,同等通態(tài)條件下比采用快恢復(fù)二極管模塊,底板溫度低14℃以上。

    可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關(guān)系特性。在上圖(b)所示反向特性中,當(dāng)反向電壓不超過一定范圍(曲線OB段)時(shí),反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0.1m左右,通常可以忽略不計(jì)。當(dāng)反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí),反向電流將急劇增加,稱為反向擊穿,此時(shí)的電壓稱為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后,PN結(jié)不能恢復(fù)原有的性能,造成長久性損壞。綜上所述,二極管具有在正向偏置電壓下導(dǎo)通,反向偏置電壓下截止的特性,這個(gè)特性稱為單向?qū)щ娦?。[編輯]二極管的主要參數(shù)二極管的參數(shù)是評(píng)價(jià)二極管性能的重要指標(biāo),是正確選擇和使用二極管的依據(jù),主要參數(shù)有:(1)大整流電流IFM指二極管長期工作時(shí),允許通過二極管的大正向電流的平均值。當(dāng)實(shí)際電流超過該值時(shí),二極管會(huì)因過熱而損壞。(2)高反向工作電壓URM指保證二極管不被擊穿所允許施加的大反向電壓。實(shí)際使用中二極管反向電壓不應(yīng)超過此電壓值,以防發(fā)生反向擊穿。(3)反向電流IR指二極管加反向電壓而未擊穿時(shí)的反向電流。如果該值較大,是不能正常使用的。反向電流愈小,二極管單向?qū)щ娦杂谩?在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的傳導(dǎo)性。

    二極管,(英語:Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(VaricapDiode)則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓),反向時(shí)阻斷(稱為逆向偏壓)。因此,二極管可以想成電子版的逆止閥。早期的真空電子二極管;它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的傳導(dǎo)性。一般來講,晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層,構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí),由于p-n結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),這也是常態(tài)下的二極管特性。早期的二極管包含“貓須晶體(“Cat‘sWhisker”Crystals)”以及真空管(英國稱為“熱游離閥(ThermionicValves)”)?,F(xiàn)今普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。二極管可以被視為止回閥的電子版本。這種單向行為稱為整流,用于將交流電(ac)轉(zhuǎn)換為直流電(dc)。青海艾賽斯IXYS二極管模塊廠家供應(yīng)

包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速二極管,肖特基,電源管理IC等。云南哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊

    詳解肖特基二極管的作用及接法-肖特基二極管的應(yīng)用肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管的作用肖特基二極管的作用如下:肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。明顯的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航?。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管,也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。一個(gè)典型的應(yīng)用,是在雙極型晶體管BJT的開關(guān)電路里面,通過在BJT上連接Shockley二極管來箝位,使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)其實(shí)處于很接近截止?fàn)顟B(tài),從而提高晶體管的開關(guān)速度。這種方法是74LS,74ALS,74AS等典型數(shù)字IC的TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。肖特基。 云南哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊