術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外,術(shù)語“第1”、“第二”、“第三”用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性。應(yīng)說明的是:以上所述實(shí)施例,為本發(fā)明的具體實(shí)施方式,用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對其限制,本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),其依然可以對前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改或可輕易想到變化,或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改、變化或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。 它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th)時(shí),IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。浙江SEMIKRON西門康IGBT模塊工廠直銷
作為工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20的公共集電極單元200。此外,當(dāng)空穴收集區(qū)8內(nèi)設(shè)置有溝槽時(shí),如圖10所示,此時(shí)空穴收集區(qū)8中的溝槽與空穴收集區(qū)電極金屬3接觸,即接觸多晶硅13。可選的,在圖7的基礎(chǔ)上,圖11為圖7中的空穴收集區(qū)電極金屬3按照b-b’方向的橫截圖,如圖11所示,此時(shí),電流檢測區(qū)域20的空穴收集區(qū)8與空穴收集區(qū)電極金屬3接觸,且,與p阱區(qū)7連通;當(dāng)空穴收集區(qū)8通過設(shè)置有多晶硅5的溝槽與p阱區(qū)7隔離時(shí),橫截面如圖12所示,此時(shí),如果工作區(qū)域10設(shè)置有多晶硅5的溝槽終止于空穴收集區(qū)8的邊緣時(shí),則橫截面如圖13所示,且,空穴收集區(qū)8內(nèi)是不包含設(shè)置有多晶硅5的溝槽的情況。此外,當(dāng)空穴收集區(qū)8內(nèi)包含設(shè)置有多晶硅5的溝槽時(shí),如圖14所示,此時(shí),空穴收集區(qū)8的溝槽通過p阱區(qū)7與工作區(qū)域10內(nèi)的設(shè)置有多晶硅5的溝槽隔離,這里空穴收集區(qū)8的溝槽與公共集電極金屬接觸并重合。因此,本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt芯片,在電流檢測區(qū)域20內(nèi)沒有開關(guān)控制電級,即使有溝槽mos結(jié)構(gòu),溝槽中的多晶硅5也與公共集電極單元200接觸,且,與公共柵極單元100絕緣。又由于電流檢測區(qū)域20中的空穴收集區(qū)8為p型區(qū),可以與工作區(qū)域10的p阱區(qū)7在芯片橫向上聯(lián)通為一體。 浙江SEMIKRON西門康IGBT模塊工廠直銷這些IGBT是汽車級別的,屬于特種模塊,價(jià)格偏貴。
MOS管和IGBT管作為開關(guān)元件,在電子電路中會經(jīng)常出現(xiàn),它們在外形及特性參數(shù)上也比較相似,相信有不少人會疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管,而有的卻需要用到IGBT管?它們之間有何區(qū)別呢?接下來冠華偉業(yè)為你解惑!何為MOS管?MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型”的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET。MOS管本身自帶有寄生二極管,作用是防止VDD過壓的情況下,燒壞mos管,因?yàn)樵谶^壓對MOS管造成破壞之前,二極管先反向擊穿,將大電流直接到地,從而避免MOS管被燒壞。何為IGBT?IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT的電路符號至今并未統(tǒng)一,畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號,這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。同時(shí)還要注意IGBT有沒有體二極管,圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有,除非官方資料有特別說明,否則這個(gè)二極管都是存在的。IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的。
所以包裝時(shí)將g極和e極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料,將它短接。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸,直到g極管腳進(jìn)行長久性連接。b、主電路用螺絲擰緊,控制極g要用插件,盡可能不用焊接方式。c、裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺,接地地面,接地腕帶等防靜電措施。d、儀器測量時(shí),將1000電阻與g極串聯(lián)。e、要在無電源時(shí)進(jìn)行安裝。f,焊接g極時(shí),電烙鐵要停電并接地,選用定溫電烙鐵合適。當(dāng)手工焊接時(shí),溫度2601c15c.時(shí)間(10士1)秒,松香焊劑。波峰焊接時(shí),pcb板要預(yù)熱80c-]05c,在245℃時(shí)浸入焊接3-4IGBT功率模塊發(fā)展趨勢編輯igbt發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標(biāo)的,特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用,簡化其主電路,減少使用器件,提高可靠性,降造成本,簡化調(diào)試工作等,都與igbt有密切的內(nèi)在聯(lián)系,所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發(fā),予估近2-3年內(nèi),會有突破性的進(jìn)展。已有適用于高壓變頻器的有電壓型hv-igbt,igct,電流型sgct等。正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限,遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求。
該igbt芯片上設(shè)置有:工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域;其中,igbt芯片還包括第1表面和第二表面,且,第1表面和第二表面相對設(shè)置;第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元,以及,工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元,其中,第三發(fā)射極單元與第1發(fā)射極單元連接,公共柵極單元與第1發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過刻蝕方式進(jìn)行隔開;第二表面上設(shè)有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共集電極單元;接地區(qū)域設(shè)置于第1發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處;電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測電阻連接,以使檢測電阻上產(chǎn)生電壓,并根據(jù)電壓檢測工作區(qū)域的工作電流。第二方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供一種半導(dǎo)體功率模塊,半導(dǎo)體功率模塊配置有第1方面的igbt芯片,還包括驅(qū)動集成塊和檢測電阻;其中,驅(qū)動集成塊與igbt芯片中公共柵極單元連接,以便于驅(qū)動工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域工作;以及,還與檢測電阻連接,用于獲取檢測電阻上的電壓。本發(fā)明實(shí)施例帶來了以下有益效果:本發(fā)明實(shí)施例提供了igbt芯片及半導(dǎo)體功率模塊,igbt芯片上設(shè)置有:工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域;其中。 IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時(shí)間,但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。浙江SEMIKRON西門康IGBT模塊工廠直銷
絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。浙江SEMIKRON西門康IGBT模塊工廠直銷
該電場會阻止P區(qū)空穴繼續(xù)向N區(qū)擴(kuò)散。倘若我們在發(fā)射結(jié)添加一個(gè)正偏電壓(p正n負(fù)),來減弱內(nèi)建電場的作用,就能使得空穴能繼續(xù)向N區(qū)擴(kuò)散。擴(kuò)散至N區(qū)的空穴一部分與N區(qū)的多數(shù)載流子——電子發(fā)生復(fù)合,另一部分在集電結(jié)反偏(p負(fù)n正)的條件下通過漂移抵達(dá)集電極,形成集電極電流。值得注意的是,N區(qū)本身的電子在被來自P區(qū)的空穴復(fù)合之后,并不會出現(xiàn)N區(qū)電子不夠的情況,因?yàn)閎電極(基極)會提供源源不斷的電子以保證上述過程能夠持續(xù)進(jìn)行。這部分的理解對后面了解IGBT與BJT的關(guān)系有很大幫助。MOSFET:金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱場效晶體管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)(以N-MOSFET為例)如下圖所示。MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號在P型半導(dǎo)體襯底上制作兩個(gè)N+區(qū),一個(gè)稱為源區(qū),一個(gè)稱為漏區(qū)。漏、源之間是橫向距離溝道區(qū)。在溝道區(qū)的表面上,有一層由熱氧化生成的氧化層作為介質(zhì),稱為絕緣柵。在源區(qū)、漏區(qū)和絕緣柵上蒸發(fā)一層鋁作為引出電極,就是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。上節(jié)我們提到過一句,MOSFET管是壓控器件,它的導(dǎo)通關(guān)斷受到柵極電壓的控制。我們從圖上觀察,發(fā)現(xiàn)N-MOSFET管的源極S和漏極D之間存在兩個(gè)背靠背的pn結(jié),當(dāng)柵極-源極電壓VGS不加電壓時(shí)。 浙江SEMIKRON西門康IGBT模塊工廠直銷