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    Schottky）二極管的大特點(diǎn)是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時(shí)要全考慮。肖特基二極管的作用及其接法肖特基二極管的作用及其接法,肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱(chēng)肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。1、肖特基二極管的作用及其接法-整流利用肖特基二極管單向?qū)щ娦?，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈沖直流電。在電路中，電流只能從肖特基二極管的正極流入，負(fù)極流出。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子，在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加電壓使P區(qū)相對(duì)N區(qū)為正的電壓時(shí)，位壘降低，位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲(chǔ)存載流子，能通過(guò)大電流，具有低的電壓降（典型值為）,稱(chēng)為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過(guò)很小的反向電流（稱(chēng)反向漏電流），稱(chēng)為反向阻斷狀態(tài)。肖特基二極管主要用于各種低頻半波整流電路，全波整流。整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)肖特基二極管封在一起。半橋是將四個(gè)肖特基二極管橋式整流的一半封在一起。 二極管可以被視為止回閥的電子版本。這種單向行為稱(chēng)為整流，用于將交流電（ac）轉(zhuǎn)換為直流電（dc）。河北代理艾賽斯IXYS二極管模塊貨源充足

    空穴為少數(shù)載流子。[6]因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和PN結(jié)五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來(lái)交界處的電中性被破壞。[6]二極管PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V，在這個(gè)外加電場(chǎng)的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都要PN結(jié)移動(dòng)，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場(chǎng)的增加，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過(guò)門(mén)檻電壓，PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導(dǎo)通。[6]二極管主要分類(lèi)編輯二極管點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小，不能通過(guò)較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開(kāi)關(guān)電路中使用[5]。二極管面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大，可以通過(guò)較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用[5]。二極管平面型二極管平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開(kāi)關(guān)管使用時(shí)PN結(jié)面積小，用于大功率整流時(shí)PN結(jié)面積較大[5]。 江西進(jìn)口艾賽斯IXYS二極管模塊哪家好早期的二極管包含“貓須晶體（“Cat‘sWhisker”Crystals）”以及真空管（英國(guó)稱(chēng)為“熱游離閥。

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱(chēng)為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長(zhǎng)久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子。

    二極管的兩根引腳分別稱(chēng)為陽(yáng)極和陰極，由P型半導(dǎo)體一側(cè)引出的電極稱(chēng)為陽(yáng)極，由N型半導(dǎo)體一側(cè)引出的電極稱(chēng)為陰極。在二極管符號(hào)中，三角形底邊一端為陽(yáng)極，另一端為陰極。符號(hào)形象地表示了二極管電流流動(dòng)的方向，即電流只能從陽(yáng)極流向陰極，而不允許反方向流動(dòng)。二極管是將PN結(jié)封裝起來(lái)，并分別引出電極制成的。所謂PN結(jié)是將半導(dǎo)體材料(硅或鍺)利用特殊工藝制成P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，并將這兩塊半導(dǎo)體用專(zhuān)門(mén)技術(shù)結(jié)合起來(lái)，在它們的交界面上就會(huì)形成一個(gè)稱(chēng)為PN結(jié)的特殊結(jié)構(gòu)。這個(gè)PN結(jié)對(duì)來(lái)自?xún)蓚€(gè)方向的電流呈現(xiàn)不同的性質(zhì)，在外加電壓足夠大時(shí)(一般約0．3～0．6V)，電流只能從陽(yáng)極(P型半導(dǎo)體一側(cè))流向陰極(N型半導(dǎo)體一側(cè))，反方向是不能導(dǎo)通的。二極管的電流、電壓關(guān)系是指管內(nèi)流過(guò)的電流與其兩端所加電壓之間的關(guān)系。對(duì)二極管施加正向電壓和反向電壓兩種情況時(shí)，對(duì)應(yīng)有二極管的導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)。1．正向偏置與導(dǎo)通狀態(tài)二極管陽(yáng)極接高電位，陰極接低電位，連接電路如圖(a)所示，這種連接稱(chēng)為二極管的正向偏置。此時(shí)調(diào)節(jié)串聯(lián)在電路中的電阻大小可以發(fā)現(xiàn)，當(dāng)二極管VD兩端正向電壓較低時(shí)(小于0．5V)，電路中幾乎沒(méi)有電流，燈泡也不發(fā)光；當(dāng)二極管兩端正向電壓大于0．5V后。 貼片穩(wěn)壓二極管是電源電路中常用的元件之一，有別于普通二極管，工作在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)。

    能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流，一般用在電視機(jī)電路中，常用的阻尼二極管有2CN1、2CN2、BSBS44等。7.顯示用于VCD、DVD、計(jì)算器等顯示器上。8.穩(wěn)壓這種管子是利用二極管的反向擊穿特性制成的，在電路中其兩端的電壓保持基本不變，起到穩(wěn)定電壓的作用。常用的穩(wěn)壓管有2CW55、2CW56等。[1]9.觸發(fā)觸發(fā)二極管又稱(chēng)雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對(duì)稱(chēng)性的二端半導(dǎo)體器件。常用來(lái)觸發(fā)雙向可控硅；在電路中作過(guò)壓保護(hù)等用途。[1]二極管原理類(lèi)型編輯二極管種類(lèi)有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開(kāi)關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開(kāi)關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu)，又可分為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。點(diǎn)接觸型二極管是用一根很細(xì)的金屬絲壓在光潔的半導(dǎo)體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地?zé)Y(jié)在一起，形成一個(gè)“PN結(jié)”。由于是點(diǎn)接觸，只允許通過(guò)較小的電流（不超過(guò)幾十毫安），適用于高頻小電流電路，如收音機(jī)的檢波等。面接觸型二極管的“PN結(jié)”面積較大，允許通過(guò)較大的電流。 產(chǎn)品擴(kuò)充到大功率的盤(pán)狀可控硅二極管,壓接式IGBT,固態(tài)繼電器,電源管理IC,RFMOSFET及其驅(qū)動(dòng)。湖南哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊工廠直銷(xiāo)

在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，二極管會(huì)導(dǎo)通，這連接方式，稱(chēng)為正向偏置。河北代理艾賽斯IXYS二極管模塊貨源充足

    檢波肖特基二極管在電子電路中用來(lái)把調(diào)制在高頻電磁波上的低頻信號(hào)（如音頻信號(hào)）檢出來(lái)。一般高頻檢波電路選用鍺點(diǎn)接觸型檢波二極管。它的結(jié)電容小，反向電流小，工作頻率高。6、肖特基二極管的作用及其接法-變?nèi)葑內(nèi)菪ぬ鼗O管(VaractorDiodes)又稱(chēng)"可變電抗二極管"，是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)菪ぬ鼗O管的電容量一般較小，其大值為幾十皮法到幾百皮法，大區(qū)容與小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容。當(dāng)外加順向偏壓時(shí)，有大量電流產(chǎn)生，PN（正負(fù)極）結(jié)的耗盡區(qū)變窄，電容變大，產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng)；當(dāng)外加反向偏壓時(shí)，則會(huì)產(chǎn)生過(guò)渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時(shí)會(huì)有漏電流的產(chǎn)生，所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。肖特基二極管應(yīng)用SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為T(mén)TL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被廣采用。 河北代理艾賽斯IXYS二極管模塊貨源充足