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可控硅模塊又叫晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：第1層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性?？煽毓枘K是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極，陽(yáng)極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。福建哪里有西門(mén)康SEMIKRON可控硅廠家直銷

    其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí)，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門(mén)極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽(yáng)極電壓或陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過(guò)零后的某一時(shí)刻t1（或某一相位角wt1），在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖，使可控硅導(dǎo)通，根據(jù)前面介紹過(guò)的可控硅開(kāi)關(guān)特性，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通，這一范圍稱為控制角，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通，這一范圍稱為導(dǎo)通角，常用j表示。同理在正弦波交流電的負(fù)半周，對(duì)處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅（對(duì)兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言）在t2時(shí)刻（即相位角wt2）施加觸發(fā)脈沖，使其導(dǎo)通。如此周而復(fù)始，對(duì)正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通，獲得相同的導(dǎo)通角。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間（或相位），即改變了導(dǎo)通角j（或控制角a）的大小。導(dǎo)通角越大調(diào)光器輸出的電壓越高，燈就越亮。從上述可控硅調(diào)光原理可知，調(diào)光器輸出的電壓波形已經(jīng)不再是正弦波了，除非調(diào)光器處在全導(dǎo)通狀態(tài)。 海南哪里有西門(mén)康SEMIKRON可控硅哪家好可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類。

    電動(dòng)機(jī)端電壓波形為正弦波，即全導(dǎo)通狀態(tài)；（圖示兩種狀態(tài)）當(dāng)可控硅導(dǎo)通角α1《180°時(shí)，電動(dòng)機(jī)端電壓波形如圖實(shí)線所示，即非全導(dǎo)通狀態(tài)，有效值減??；α1越小，導(dǎo)通狀態(tài)越少，則電壓有效值越小，所產(chǎn)生的磁場(chǎng)越小，則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。但這時(shí)電動(dòng)機(jī)電壓和電流波形不連續(xù)，波形差，故電動(dòng)機(jī)的噪音大，甚至有明顯的抖動(dòng)，并帶來(lái)干擾。這些現(xiàn)象一般是在微風(fēng)或低風(fēng)速時(shí)出現(xiàn)，屬正常。由以上的分析可知，采用可控硅調(diào)速其電機(jī)轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。3.各元器件作用及注意事項(xiàng)D15、R28、R29、E9、Z1、R30、C1組成降壓、整流、慮波穩(wěn)壓電路，獲得相對(duì)直流電壓12V，通過(guò)光電偶合器PC817給雙向可控硅BT131提供門(mén)極電壓；R25、C15組成RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，解決可控硅導(dǎo)通與截止對(duì)電網(wǎng)的干擾，使其符合EMI測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)；同時(shí)防止可控硅兩端電壓突變，造成無(wú)門(mén)極信號(hào)誤導(dǎo)通。TR1選用1A/400V雙向可控硅，TR1有方向性，T1、T2不可接反，否則電路不能正常工作。L2為扼流線圈，防止可控硅回路中電流突變，保護(hù)TR1，由于它是儲(chǔ)能元件，在TR1關(guān)斷和導(dǎo)通過(guò)程中，尖峰電壓接近50V，R24容易受沖擊損壞。

    即導(dǎo)通角為180°（或p）。正是由于正弦波被切割、波形遭受破壞，會(huì)給電網(wǎng)帶來(lái)干擾等問(wèn)題……好的調(diào)光設(shè)備應(yīng)采取必要措施，努力降低使用可控硅技術(shù)后產(chǎn)生的干擾。可控硅的作用可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅基本也重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒(méi)有實(shí)現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路。在一個(gè)基本的單相半波可控整流電路中，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí)，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時(shí)，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通，負(fù)載上才會(huì)有電壓輸出，因此可以通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖到來(lái)的時(shí)間，來(lái)進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值，達(dá)到可控整流的作用?？煽毓璧淖饔弥褪怯米鳠o(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)，經(jīng)常用于自動(dòng)化設(shè)備中，代替通用繼電器，具有無(wú)噪音、壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。可控硅的作用三：開(kāi)關(guān)和調(diào)壓作用可控硅的作用之三就是起到開(kāi)關(guān)和調(diào)壓的作用，經(jīng)常應(yīng)用于交流電路中，由于其被觸發(fā)時(shí)間不同，因此通過(guò)它的電流只有其交流周期的一部分，通過(guò)它的電壓只有全電壓的一部分，因而起到調(diào)節(jié)輸出電壓的作用。 采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

    可控硅的主要參數(shù)有：1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。4、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓璺诸惥庉嬁煽毓栌卸喾N分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。福建哪里有西門(mén)康SEMIKRON可控硅廠家直銷

反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音；效率高，成本低等等。福建哪里有西門(mén)康SEMIKRON可控硅廠家直銷

    故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下，從門(mén)極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí)，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門(mén)極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門(mén)極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí)，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。可控硅原理主要用途編輯可控硅原理整流普通可控硅基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅，就可以構(gòu)成可控整流電路。我畫(huà)一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。 福建哪里有西門(mén)康SEMIKRON可控硅廠家直銷